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111.
用柠檬酸络合法制备出双掺杂CeO2基粉体材料, 考察了柠檬酸用量、焙烧温度、升温速率和成胶温度等制备条件对粉体材料BET比表面积、孔容、平均孔径和平均粒径的影响. 柠檬酸用量和焙烧温度对粉体材料的这些性能影响较大, 升温速率只是对平均粒径产生影响, 成胶温度对BET比表面积没有影响, 对孔容和平均孔径影响也很小, 对平均粒径影响大一些. 通过对不同柠檬酸用量和不同焙烧温度所得样品进行XRD表征, 发现双掺杂并未改变CeO2晶型, 但晶胞参数略有增大, 表明掺杂离子进入CeO2晶格. 柠檬酸用量几乎不影响平均晶粒大小, 而焙烧温度对平均晶粒产生较大影响, 焙烧温度越高, 平均晶粒越大. 不同掺杂元素对粉体材料的表面性能也产生一定影响, 掺杂Ca2+的平均粒径比同主族的Mg2+和Sr2+小. 通过对不同制备条件的考察, 为制备固体氧化物电解质粉体材料提供了基础. 相似文献
112.
微合金钢中稀土对沉淀相和性能的影响 总被引:3,自引:5,他引:3
在Nb(Ti,V)微合金钢中,主要沉淀相分别为Nb(C,N),(Nb,Ti)(C,N)和V(C,N)。稀土降低沉淀相完全溶解的温度,增大奥氏体中沉淀相析出的孕育期,降低析出速率,抑制奥氏体中沉淀相的析出,在铁素体相区,稀土提高沉淀相的析出速率和数量,促进沉淀相的析出,其中稀土对铌沉淀相析出的作用影响最强。锻态钢中,稀土有促进细化球化析出相的作用,随稀土含量增加,沉淀相析出数量增加,但过量稀土,促进作用又减弱,稀土在保持微合金钢强度的情况下,显著改善其冲击韧性,尤其是低温韧性,微合金钢中添加适量稀土可获得更佳的综合性能。 相似文献
113.
114.
以十四酸根阴离子柱撑Zn-Al水滑石Zn0.77Al0.22(OH)2.0.22C13H27COO.0.81 H2O(记为ZnAl-14A)为预撑前体,在水溶液中用离子交换法将以2∶17缺位杂多酸根离子(P2Mo16VO61)11-记为(P Mo V)为配体的稀土杂多配阴离子Ce(P2Mo16VO61)219-(记为Ce(PMoV)2)插层组装到水滑石层板间,合成了一种具有大的层间距(3.37 nm)的超分子插层材料Zn0.77Al0.23(OH)2.0.0105[Ce(P1.9Mo15.7V1.1O61)2].0.011C13H27COO.0.83H2O(记为ZnAl-Ce(PMoV)2)。用ICP,IR,XRD和DTA对产物的组成和结构进行了表征。结果表明,该产物中Ce(PMoV)2配阴离子沿其长轴垂直于层板的方向分布于水滑石层间;产物具有规整的层状结构和热稳定性;产物对乙酸与正丁醇的酯化反应,二甘醇的脱水-环化反应和H2O2氧化环己烷的反应有良好的催化性能,且易于回收重复使用。 相似文献
115.
116.
水溶性含C_(60)聚电解质的制备及其与重氮树脂自组装膜AFMFFM的初步研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过BPO引发的溶液聚合 ,合成了水溶性的星状C6 0 苯乙烯 苯乙烯磺酸钠的三元共聚物 [Star shapedC6 0 poly(St SS) ],运用自组装技术 ,在水溶液中 ,含C6 0 的三元共聚物与重氮树脂 (Diazoresin)通过正负离子间的吸附力在云母基片上交替一层一层有序地组装成固体膜 .自组装膜经紫外光幅照反应 ,通过重氮基的分解 ,层间连接的离子键转变成共价键 ,从而增加薄膜的稳定性和堆砌密度 .用原子力显微镜 摩擦力显微镜(AFM FFM)考察了C6 0 在膜中的承载作用及比较不同链结构、不同链长、不同层数自组装膜的表面形貌和微摩擦性能 .初步的研究结果显示了聚合物薄膜的微摩擦性能与聚合物的化学结构、链长和膜的层数有密切关系 相似文献
117.
用一维自洽场晶体轨道法探讨了过渡金属夹心高聚物[(C~4BH~5)M]~n(M=Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的一维链结构和电子结构.计算表明,堆积单元(C~4BH~5)M中价电子数为奇数的高聚物结构会发生Peierls畸变,而价电子数为偶数的将取规则结构,由能带结构得到, [(C~4BH~5)Mn]~n的前线能带出现交叉,可能会发生进一步的结构畸变,但也有可能保持非满状态,成为异体.[(C~4BH~5)Ni]~n可能是不稳定的.其余三个高聚物为半导体或绝缘体,这系列高聚物电荷载流子通路主要依赖于金属d轨道重叠. 相似文献
118.
利用还原偶联方法合成出新化合物四 (4,4′ ,4″ ,4 N ,N 二乙氨基 )四苯乙烯 (TDETE) .通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态 -瞬态荧光光谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等 ,讨论了分子的构象效应等因素对TDETE光致发光行为的影响 .在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带 ,分别为全扭曲构象分子 (位于 3 4 5nm附近的发光I带 )、半扭曲构象分子 (位于 43 0nm附近的发光II带 )和激基缔合物 (53 0nm发光III带 )的辐射衰变所致 .在聚合物(PMMA)中 ,一方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制 ,表现为II带的辐射衰变速率常数 (kf 值 )增大、同时非辐射衰变速率常数 (knf值 )减小 ;另一方面 ,TDETE分子之间相互作用得到加强而有利于缔合物形成 ,结果 ,使发光II带和III带合二为一出现了强而宽的发射峰 ,荧光量子产率从溶液中的 0 0 55提高到 0 855.此外 ,在PMMA介质中观测到TDETE分子聚集体在 62 6nm处的发光带 (IV) ,粉末态中聚集体IV带的强度骤增 ,峰值波长红移至 650nm 相似文献
119.
120.