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11.
用XRD,ESR和TPD等技术研究冲击波处理的结晶MgO后发现,MgO的晶格发生畸变,微应力值ε1/2D显著增大,有大量缺陷产生并形成F心,晶体的平均晶粒减小,且表现出各向异性,从而引起了催化剂表面碱中心强度增大,数目变化,在对乙烷氧化脱氢反应中表现出较高的活性和对乙烯的选择性,初步讨论了可能的结构模型和催化机理。 相似文献
12.
聚二甲基二烯丙基氯化铵的合成,表征及抗菌性能 总被引:2,自引:0,他引:2
65%的二甲基二烯丙基氯化铵(DADMAC)单体水溶液通过自由基聚合得到分子量约为5000的聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDADMAC)均聚物。用红外光谱,核磁共振,X射线衍射仪,粘度法和扫描电镜对PDADMAC进行结构分析和表征。合成聚合物的抗霉菌实验表明,PDADMAC对多种霉菌有抑制作用,具有较宽的抑菌谱;抗细菌实验表明,PDADMAC对金黄色葡萄球菌,大肠杆菌,枯草芽孢杆菌具有不同程度的抑制作用。 相似文献
13.
14.
陈玮玮 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):226-227
触发管作为一种高压开关,基于其导通时间短,可承受数千安培脉冲电流等特点被广泛应用于触发器、快脉冲产生器及大电流脉冲发生器中。随着系统精良小型化的发展需求,相应对触发管导通时间、脉冲电流和导通时间晃动等参数也提出了更高的要求。 相似文献
15.
用气压浸渗工艺制备了体积分数40%~50%Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料,使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒,其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm.测定了这些复合材料的静、动态压缩性能,并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤,结果表明,与基体材料相似,这些复合材料表现出明显的应变率敏感性;当增强颗粒平均粒径小于60μm时,材料的累计损伤基本与应变率无关,而主要取决于材料的应变.材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的.较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤,并随着颗粒体积分数的增加,材料的流动应力和损伤率都相应增加. 相似文献
16.
In this paper,the concept of the infinitesimal realization factor is extended to the parameter-dependent performance functions in closed queueing networks. Then the concepts of realization matrix (its elements are called realization factors) and performance potential are introduced,and the relations between infinitesimal realization factors and these two quantities are discussed. This provides a united framework for both IPA and non IPA approaches. Finally,another physical meaning of the service rate is given. 相似文献
17.
18.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献
19.
四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以四溴双酚A(TBA)合成了在水和空气中稳定的四溴双酚A合锑铝双金属化合物(TBASA).通过IR、1HNMR和元素分析予以表征,并研究了其对聚乙烯(PE)和聚环氧乙烷(PEO)的阻燃性能.结果表明,这种分子中含有溴、锑和铝的化合物,对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果. 相似文献
20.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献