首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8409篇
  免费   2314篇
  国内免费   4501篇
化学   6964篇
晶体学   891篇
力学   1324篇
综合类   275篇
数学   126篇
物理学   5644篇
  2024年   128篇
  2023年   364篇
  2022年   490篇
  2021年   467篇
  2020年   390篇
  2019年   416篇
  2018年   284篇
  2017年   445篇
  2016年   446篇
  2015年   514篇
  2014年   1010篇
  2013年   811篇
  2012年   681篇
  2011年   762篇
  2010年   692篇
  2009年   707篇
  2008年   802篇
  2007年   544篇
  2006年   541篇
  2005年   483篇
  2004年   546篇
  2003年   630篇
  2002年   564篇
  2001年   514篇
  2000年   312篇
  1999年   245篇
  1998年   185篇
  1997年   172篇
  1996年   181篇
  1995年   200篇
  1994年   146篇
  1993年   76篇
  1992年   111篇
  1991年   97篇
  1990年   101篇
  1989年   62篇
  1988年   32篇
  1987年   20篇
  1986年   19篇
  1985年   7篇
  1984年   10篇
  1983年   7篇
  1982年   8篇
  1981年   1篇
  1979年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。  相似文献   
62.
微合金钢中稀土对沉淀相和性能的影响   总被引:3,自引:5,他引:3  
在Nb(Ti,V)微合金钢中,主要沉淀相分别为Nb(C,N),(Nb,Ti)(C,N)和V(C,N)。稀土降低沉淀相完全溶解的温度,增大奥氏体中沉淀相析出的孕育期,降低析出速率,抑制奥氏体中沉淀相的析出,在铁素体相区,稀土提高沉淀相的析出速率和数量,促进沉淀相的析出,其中稀土对铌沉淀相析出的作用影响最强。锻态钢中,稀土有促进细化球化析出相的作用,随稀土含量增加,沉淀相析出数量增加,但过量稀土,促进作用又减弱,稀土在保持微合金钢强度的情况下,显著改善其冲击韧性,尤其是低温韧性,微合金钢中添加适量稀土可获得更佳的综合性能。  相似文献   
63.
以十四酸根阴离子柱撑Zn-Al水滑石Zn0.77Al0.22(OH)2.0.22C13H27COO.0.81 H2O(记为ZnAl-14A)为预撑前体,在水溶液中用离子交换法将以2∶17缺位杂多酸根离子(P2Mo16VO61)11-记为(P Mo V)为配体的稀土杂多配阴离子Ce(P2Mo16VO61)219-(记为Ce(PMoV)2)插层组装到水滑石层板间,合成了一种具有大的层间距(3.37 nm)的超分子插层材料Zn0.77Al0.23(OH)2.0.0105[Ce(P1.9Mo15.7V1.1O61)2].0.011C13H27COO.0.83H2O(记为ZnAl-Ce(PMoV)2)。用ICP,IR,XRD和DTA对产物的组成和结构进行了表征。结果表明,该产物中Ce(PMoV)2配阴离子沿其长轴垂直于层板的方向分布于水滑石层间;产物具有规整的层状结构和热稳定性;产物对乙酸与正丁醇的酯化反应,二甘醇的脱水-环化反应和H2O2氧化环己烷的反应有良好的催化性能,且易于回收重复使用。  相似文献   
64.
用H2-TPR方法研究了过渡金属离子及其含量对杂多酸-HxPAs0.2Mo10VOy的氧化性能的影响,并在固定床反应器上考察了M0.2HxPAs0.2Mo10VOy(M=Fe3 、Co2 、N i2 和Cu2 )催化剂对异丁烷选择性氧化的催化性能.研究结果表明用过渡金属离子取代杂多酸中的质子,可以在较大程度上增强杂多酸的低温氧化能力,其中Fe3 对增强杂多酸的催化活性最为明显,而Cu2 却有利于提高目的产物甲基丙烯酸的选择性.  相似文献   
65.
锂离子电池正极材料尖晶石LiMn204的研究现状   总被引:4,自引:0,他引:4  
从制备方法,循环性能,比容量,高温性能等方面对近年来有关LiMn204尖晶石的研究作一综述;讨论合成方法,反应条件,尖晶石的晶体结构及改性对正极材料性能的影响,并预示该类正极材料今后的研究方向。  相似文献   
66.
合成了Tb(Ⅲ)、Ln(Ⅲ)(Ln=La,Gd,Y)与邻苯二甲酸(H_2L)的异多核配合物,对其进行了红外、热稳定性及荧光性能的研究。发现Tb(Ⅲ)、Y(Ⅲ)与邻苯二甲酸形成的异多核配合物具有较好的荧光性能,其荧光强度是Tb与H_2L单一稀土配合物Tb(HL)_3的2.23倍.  相似文献   
67.
液晶电视由于其优异的显示性能将会越来越受到青睐。本文简要综述了近年来电视用液晶材料的研究进展,归纳总结了这些液晶材料的合成方法及其热性能、介电各向异性、双折射率、粘度等特性。  相似文献   
68.
乙酰化淀粉/DL-丙交酯接枝共聚物的合成及降解性能研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
用醋酸乙烯酯和玉米淀粉反应制备出了不同取代度乙酰化淀粉,再用乙酰化淀粉同DL-丙交酯接枝共聚合成乙酰化淀粉/DL-丙交酯接枝共聚物。研究了原料配比,淀粉取代度对接枝反应单体转化率(C%),接枝率(G%)接枝效率(GE%)和接枝支链数均分子量(Mn)的影响,结果表明在给定的试验条件下接枝共聚反应的C%,G%,GE%和Mn可分别达到40%,225%,80%和1.4万。接枝共聚物在磷酸缓冲溶液和户外土壤掩埋降解实验表明,在160天内样品失重率分别为71%和60%,表明合成的乙酰化淀粉/DL-丙交酯接枝共聚物具有很好的降解性能。  相似文献   
69.
用一次投料法、半连续滴加法和单体预乳化法三种聚合工艺,合成了苯丙乳液聚合物,并加氨微细化,转化成水溶胶,考察了聚合工艺和反应组分(乳化剂,功能单体等)对苯丙乳液及其水溶胶反应稳定性和粒子大小及分布等胶体性能的影响。  相似文献   
70.
A kind of azo-containing resin (Azo-R) was synthesized by a simple way through the coupling reaction of 2-nitro-N-methyldiphenylamine-4-diazoresin (NDR) with phenol, and a new covalentely attached multilayer film from Azo-R as H-donor and photosensitive diazoresin, diphenylamine-4-diazoresin (DR) as H-acceptor via H-bonding attraction by selfassembly technique has been fabricated. Following the decomposition of diazonium group of DR under exposure to UV light, the H-bonds between the layers of the film convert to covalent bonds and the film becomes very stable toward polar solvents or electrolyte aqueous solutions. Thus the UV-irradiated azo-containing films can be used to measure photocurrent in a conventional three-electrode photoelectrochemical cell using KCl as supporting electrolyte. It was confirmed that the azo-containing multilayer film is responsible for the photocurrent generation.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号