低电感大电流长寿命同轴型电容器

介绍了一种应用于高功率脉冲源的低电感、高通流能力、长寿命的同轴型电容器。通过理论计算,综合考虑电容器的工作电压、电感、通流能力、与开关的连接方式等,确定了电容器的芯子结构、绝缘子结构及电极结构。通过设计实验线路,测试了电容器的电压、电感、通流能力、寿命等参数。实验结果表明：电容器电容量1.5 μF,工作电压100 kV,工作电流250 kA,峰值电流大于300 kA,电容器电感小于20 nH,储能密度205 J/L,工作寿命大于6 000次。     

直接膨胀供液制冷系统性能可视化研究

对直接膨胀供液制冷系统的传热性能进行了理论分析,建立了相应的数学模型.在保温体内对-5℃、0℃、5℃、10℃、15℃、20℃的工况进行了实验.分别测得制冷系统的压力、风量、制冷量、及功耗等技术参数,得到在环境温度一定的情况下的传热系数和制冷量的变化关系.并对蒸发器内制冷剂流动状态进行观察.实验表明:直接膨胀供液制冷系统...     

基于低双折射光子晶体光纤Sagnac干涉仪的超低温度系数扭曲传感器

研究了低双折射光子晶体光纤中由光纤扭曲造成的圆双折射效应,并应用Sagnac干涉仪结构设计了扭曲传感器.在Sagnac环中的光子晶体光纤上施加机械压力引入初始线双折射并产生正弦干涉光谱,再扭曲光纤产生圆双折射使干涉光谱随扭曲角度移动.光谱峰值波长随扭曲角度变化符合Sinc函数关系,理论分析与实验相符.传感器灵敏度为1....     

Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction memories

La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications.     

A Generalization of F-Expansion Method and Its Application to （2＋l）-Dimensional Boussinesq Equation

A new generalized F-expansion method is introduced and applied to the study of the （2＋1）-dimensional Boussinesq equation. The further extension of the method is discussed at the end of this paper.     

Low-dimensional structures formed by irradiation of laser

Some kinds of low-dimensional nanostructures can be formed by irradiation of laser on the pure silicon sample and the SiGe alloy sample. This paper has studied the photoluminescence (PL) of the hole-net structure of silicon and the porous structure of SiGe where the PL intensity at 706nm and 725nm wavelength increases obviously. The effect of intensity-enhancing in the PL peaks cannot be explained within the quantum confinement alone. A mechanism for increasing PL emission in the above structures is proposed, in which the trap states of the interface between SiO₂ and nanocrystal play an important role.     

漫谈半导体材料及异质结器件

半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角落。文章简要回顾了半导体的研究历史,介绍了半导体材料与相关应用,阐述了半导体异质结器件的工作原理,并展示了半导体自旋电子学及低维窄禁带半导体纳米结构的研究现状与发展前景。     

基于低照度三基色图像去噪及融合彩色图像增强方法研究

现有的各类彩色图像增强方法,主要用于对光照不均匀或弱光条件下已获取的彩色图像进行直接增强,而低照度彩色成像系统获取的彩色图像是由单独采集的三基色图像融合而成。为此提出了基于低照度三基色图像去噪及融合彩色图像增强方法。利用小波变换对低照度条件下独立采集的三基色图像进行去噪;然后将去噪后图像融合成彩色图像,将彩色图像由RGB颜色空间转换为HSV颜色空间;在HSV空间对V进行MSR增强,再对增强后的图像进行S调整;最后再将其转换回RGB颜色空间。采用客观评价方法对选取的去噪增强后图像进行了评价。结果表明:经过去噪和增强后的彩色图像在均值、方差和熵3项指标上均优于三基色直接融合的彩色图像,平均提高幅度为均值11.37%、方差8.46%、信息熵0.44%。该方法可移植到低照度彩色成像系统中,对成像质量的提升具有指导意义。     

电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。     

非晶CS/RB纳米薄膜的荧光性质

采用低真空物理气相沉积法制备单组份氰基对称二苯代乙烯(CS)纳米薄膜和罗丹明B(RB)纳米薄膜以及CS/RB叠层纳米薄膜。使用荧光分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征薄膜样品的荧光性质、结构和表面形貌。与粉末晶态样品相比,薄膜样品的荧光发射峰数量变多,发射波长范围拓宽到120 nm。有机小分子的非晶聚集态和纳米叠层结构的的纳米效应导致了样品的荧光性质的变化。