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91.
惠萍 《中国物理 C》2004,28(11):1146-1149
采用无规相近似(RPA)方法,用空心图作为试探波函数,利用Feymann?Hellman定理计算七阶2?+?1维SU(2?)格点规范场的胶球质量,在弱耦合区1/g2?=1.0?–?1.8胶球质量表现出良好的标度行为,基本趋于常数(m/e2?≈1.2?0±0?.0?1)?.  相似文献   
92.
In-situ energy dispersive x-ray diffraction on ZnS nanocrystalline was carried out under high pressure by using a diamond anvil cell. Phase transition of wurtzite of 10nm ZnS to rocksalt occurred at 16.0GPa, which was higher than that of the bulk materials. The structures of ZnS nanocrystalline at different pressures were built by using materials studio and the bulk modulus, and the pressure derivative of ZnS nanocrystalline were derived by fitting the equation of Birch-Murnaghan. The resulting modulus was higher than that of the corresponding bulk material, which indicates that the nanomaterial has higher hardness than its bulk materials.  相似文献   
93.
氩气介质阻挡放电的发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。  相似文献   
94.
SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles.  相似文献   
95.
用溶胶凝胶法,灼烧法合成了纳米级WO3,采用X-射线衍射、紫外可见漫反射光谱对WO3进行表征.在Fe3 为电子受体、溶液酸度pH为2.0情况下,研究了纳米级WO3在365nm紫外辐射下光解水析氧的光催化活性,并讨论了不同方法制备的催化剂活性差异的原因.结果表明,结晶程度越高、尺寸越小、比表面积越大的纳米级WO3具有更高的光分解水析氧活性,电子受体的浓度、溶液的酸度对析氧活性有明显的影响.  相似文献   
96.
97.
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.  相似文献   
98.
格子Boltzmann数值模拟方法是研究复杂的多孔介质结构特别是Klinkenberg效应的有效方法之一,对处理复杂边值问题尤其有效,用格子Boltzmann方法研究了气流穿越多孔介质问题,并将数值计算结果与实验结果进行了比较,结果表明格子Boltzmann方法是数值模拟气流穿越多孔介质问题的有效方法之一。  相似文献   
99.
合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子,并采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征,探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理.  相似文献   
100.
Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.  相似文献   
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