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71.
Abstract

The photovoltaic effect in Cu2s-CdS heterojunction has been the subject of study by a large number of investigators. Proper heat treatment of the junction plays crucial role in optimizing the performance of the heterojunction.

In this paper, after a brief review of the work on Cu2S-CdS heterojunctions, the profile of copper in CdS as a function of heat treatment will be discussed. The diffusion of copper from Cu2S into CdS has been studied at various temperatures, by radioactive tracer methods. This has a bearing on the spectral response of the Cu2S-CdS cells as a function of heat treatment.  相似文献   
72.
A field theory model onR 2 in which the basic fields are Ising spins instead of Gaussian spins is examined. Using statistical mechanics techniques we discuss the ultraviolet and the infrared problems. In particular we discuss a technique yielding the asymptotic expansion in of the ground state energy, as 0, without using the cluster expansion.Supported in part by Consiglio Nazionale delle Ricerche.  相似文献   
73.
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤.  相似文献   
74.
《Physics letters. A》2020,384(23):126564
In terahertz frequency region, we have investigated theoretically the correlation between spectra of a free photonic structure and that deposited on a metal for several models of metal. It was found that for quasi-normal incidence of p-polarized electromagnetic field the presence of metal generates narrow spectral wells in the middle of reflection windows existing in a free photonic crystal. Quite another manifestation of metal-resonator inter-influence takes place at incident angles exceeding the Brewster angle when reflection spikes coincide with modes of photonic crystal resonator and they are absent throughout the stopband areas. The effects are strongly depended on polarization, number of periods and angle of incidence.  相似文献   
75.
本文利用时间切片离子速度成像技术在134∽140 nm波段研究了OCS分子经由F 31Π里德堡态的真空紫外光解离动力学. 在选取的5个分别对应OCS(F 31Π, v1=0∽4)的伸缩振动激发的光解波长,实验测得了来自CO(X1Σ+)+S(1D2)产物通道的SS(1D2))实验影像,并获得了总平动能谱和CO(X1Σ+, v)共生产物的振动布居及角分布. 结果分析表明OCS分子解离生成CO(X1Σ+)+S(1D2)产物的过程经历了上态F 31Π 与C?v和Cs构型的下电子态间非绝热耦合过程. 实验结果显示了很强的波长相关性:OCS (F 31Π, v1)的较低转动激发态(v1=0∽2)和较高转动激发态(v1=3, 4)的CO(X1Σ+)产物的振动布居和角分布具有显著差异,表明该解离过程中具有不同的解离机理. 本结果提供了振动耦合可能对真空紫外光解离动力学产生关键作用的相关证据.  相似文献   
76.
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管。  相似文献   
77.
本文描述了一种应用于自由电子激光结合高里德堡态氢原子飞行时间谱装置中的分光方法,以及该方法应用于小分子(如2S)光解动力学研究中的必要性. 拉曼-α辐射(121.6 nm),用作H原子产物探测的激光,是在Kr/Ar气介质中利用四波混频产生的. 利用透镜对不同波长的光有不同的折射率,四波混频后的混合光在经过一片离轴的氟化锂透镜后,121.6 nm的激光将会与212.6和845 nm在空间上分开. 在激光到达反应中心前利用挡板挡住212.6和845 nm的激光,只让121.6 nm的光经过反应中心,从而消除212.6 nm激光产生的背景信号对实验的干扰. 结合自由电子激光,成功地研究了H2S在122.95 nm波长下的光解动力学,采集到了产物时间飞行谱. 本文展示了转换得到的产物总平动能谱,解离机理与121.6 nm波长下的结果相似. 实验结果显示,该方法成功地解决了分子在VUV波段进行光解动力学研究的难题,消除了这些分子在紫外光波段因为强烈吸收而产生的背景信号.  相似文献   
78.
本文利用时间切片离子成像技术对OCS分子进行了真空紫外波段的光解动力学研究. 在四个光解光波长(从129.32到126.08 nm)下测量了硫原子解离产物S(3PJ=2,1,0)、S(1D2)、S(1S0)的速度影像,并从中清晰地发现了四个主要的解离产物通道:S(3PJ=2,1,0)+CO(X1Σ+),S(3PJ=2,1,0)+CO(A3π),S(1D2)+CO(X1Σ+)和S(1S0)+CO(X1Σ+). 在实验影像中,产物CO分子的部分振动态结构能够得到分辨. 实验还获取解离产物总平动能谱,产物分支比和角分布. 对实验结果进行分析显示除绝热解离通道S(3PJ=2,1,0)+CO(A3π)之外,在其他三个产物通道中非绝热效应都起到非常重要的作用.  相似文献   
79.
加速管是一台加速器的核心部分. 一般电子辐照加速器的俘获效率在50%左右, 一半的电子都损失在加速管内. 丢失的电子打在加速管内壁, 产生轫致辐射、腔体发热量增加、真空变坏等许多负面影响. 采用一段等梯度加速结构, 相速沿加速管呈线形增加,调整相速变化规律及加速管腔体的尺寸参数, 设计出的加速管最终的俘获效率提高到90%以上, 同时平均加速梯度没有因此降低, 加速管总长度没有增加.  相似文献   
80.
Organic ultraviolet photodetectors (OUV-PDs) were fabricated utilizing 2-TNATA as an electron donor with Bphen and TPBi as electron acceptors. A high sensitivity of OUV-PDs to UV light was obtained in the range of 300–420 nm. The optimized OUV-PDs composed of Bphen as the acceptor offered a photocurrent density up to 336 µA/cm2 at ?8 V with 365 nm UV light at a power of 1.2 mW/cm2. The high response is attributed to the excellent electron transport ability of Bphen and the matched energy level between 2-TNATA and Bphen.  相似文献   
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