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141.
Zeta Function on a Generalised Cone 总被引:2,自引:0,他引:2
The analytic properties of the -function for a Laplace operator on a generalised cone
are studied in some detail using Cheeger's approach and explicit expressions are given. In the compact case, the -function of the Laplace operator turns out to be singular at the origin. As a result, strictly speaking, the -function regularisation does not regularise and a further subtraction is required for the related one-loop effective potential. 相似文献
142.
Spectral-Collocation Method for Volterra Delay Integro-Differential Equations with Weakly Singular Kernels 下载免费PDF全文
A spectral Jacobi-collocation approximation is proposed for Volterra delay
integro-differential equations with weakly singular kernels. In this paper, we consider
the special case that the underlying solutions of equations are sufficiently smooth. We
provide a rigorous error analysis for the proposed method, which shows that both
the errors of approximate solutions and the errors of approximate derivatives decay
exponentially in $L^∞$ norm and weighted $L^2$ norm. Finally, two numerical examples are
presented to demonstrate our error analysis. 相似文献
143.
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 下载免费PDF全文
We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献
144.
145.
146.
147.
报道了一个全光纤的高效率超连续谱产生系统,系统采用增加一段匹配光纤的办法解决增益光纤和光子晶体光纤直接熔接损耗较大的问题,并且对匹配光纤和光子晶体光纤熔接对准过程进行实时监控,使熔接损耗降到最低,从而实现了较高的全系统转换效率(76%)和较好的光束质量。实验研究了超连续光谱展宽的过程,结果显示:超连续谱展宽的初始阶段,拉曼效应和自相位调制效应起主要作用,光谱呈现长波方向展宽较多的非对称性,并出现明显的拉曼斯托克斯峰;光谱继续展宽时,满足相位匹配条件的四波混频开始起作用,拉曼效应产生的加宽光谱成分作为四波混频参量过程的泵浦,使光谱开始向长波和短波两个方向扩展。 相似文献
148.
149.
150.
影响光谱辐亮度标定因素的分析 总被引:2,自引:0,他引:2
在利用漫反射板标定光谱辐亮度的实验装置中,标准灯完全可以近似为点光源。通过对进入光谱仪的辐射通量的数值积分,可以对应求出仪器的实测光谱辐亮度的计算公式。计算表明,实测光谱辐亮度并不等于漫反射板表面的光谱辐亮度,而有一个随标定条件变化的微小差值。通过计算,对光谱仪与漫反射板的距离、光谱仪入射挟缝的光轴与漫反射板法线的夹角以及标准灯与漫反射板的距离等影响光谱仪标定的因素进行分析,得到了最佳的标定条件。讨论了理想标定情况、光谱仪视场趋于一点的极限情况和采用实际的双向反射分布函数已知的漫反射板标定时,实测光谱辐亮度的计算情况。 相似文献