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911.
本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO4的V位的电子结构、光学性质和光催化性能.缺陷形成能的计算结果说明BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的.电子结构计算结果表明:BiMoxV1-xO4(x=0, 0.0625, 0.125, 0.25)四种体系的带隙分别为2.123 eV,2.142 eV,2.160 eV和2.213 eV.掺杂BiVO4体系的带隙值均大于本征BiVO4,且带隙随着Mo浓度的增加而增大. BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系的能带结构全部向低能量区域移动,导致掺杂体系导带底越过费米能级,Mo掺杂BiVO4后具...  相似文献   
912.
利用第一性原理的计算方法,在维也纳从头计算模拟包(VASP)中计算了三种比例Re原子掺杂Os B4的结构特征及稳定性、电子性质及力学性能.将P42/nmc相Os B4中的Os元素进行Re元素的替代掺杂,并构建出Os1-xRexB4(x=0,0.0625,0.125,0.25)固溶体系的结构模型.结果表明:随Re含量的增高Os1-xRexB4的晶格常数和体积会略微增大,在x高于0.25后发生结构畸变;且P42/nmc-Os1-xRexB4(x=0,0.0625,0.125)的结构和热力学稳定;态密度主要来源于Os的5d电子和B的2s和2p电子,而Re原子的5d轨道电子对价带和导带态密度也均有贡献,并且随其含量的增高态密度峰值也增大;B-B键和B-Os键具有强共价相互作用是其具有较高的体积和剪切模量的主要原因.随着Re元素的浓度增加,结构的导电性和延展...  相似文献   
913.
工业焊接的过程中会产生焊接废气例如CO、NO2和CH4,这些气体会对工作人员的身心健康造成威胁,为解决这种废气吸附的需求,此文用基于密度泛函理论的第一性原理方法,搭建了Ca掺杂MoS2的模型,用Dmol3模块研究掺杂后的电子结构,并计算了Ca-MoS2吸附CO、CH4和NO2三种气体的态密度、电荷转移、吸附能、电子密度差等参数.结果表明Ca-MoS2对于CH4是一种物理吸附,主要是范德华力作用,而Ca-MoS2吸附CO和NO2是一种化学吸附,存在较强的吸附能力.此类掺杂有望制成新的气敏传感器等有益结果,该工作具有一定意义.  相似文献   
914.
Here, a two-dimensional (2D) hole-type square lattice photonic crystal is shown to achieve invisibility cloaking based on all-angle self-collimation. The proposed structure, which is composed of the high-refraction-index dielectric material PbTe (nPbTe ≈ 6), is applicable in the mid-infrared (mid-IR) frequency range. The cloaking region is capable of hiding any object of any shape and size since the incoming wave does not interact with the cloaked object. The optimization process and the functionality of the proposed structure are investigated by equal frequency contour analysis and the finite difference time domain (FDTD) method.  相似文献   
915.
Potassium–ion batteries (KIBs) are a new–type of energy storage devices that have attracted increasing attention due to their low cost and the abundant resource of K in the Earth’s crust. Monolayer and multilayer graphene are promising electrode materials for KIBs. Herein, the adsorption and diffusion of potassium atoms on the surface of graphene were studied using the first–principles calculations including the van der Waals interaction. It was determined that K atoms can stably adsorb on the surface of graphene. The climbing image nudged elastic band method was employed to calculate the diffusion barriers of a single K atom and two K atoms on the surface of graphene. The results demonstrated that the diffusion barrier of a single K atom on graphene was low. The interaction between K atoms was considered and it facilitates the K atom diffusion to the second and third nearest–neighbour site of the K adatom, but prevents the K atom diffusion to the far nearest–neighbour site of the K adatom. Moreover, the difference in charge density demonstrates that there was a significant charge transfer from two K adatoms to its nearest–neighbour carbon atoms.  相似文献   
916.
Dual-wavelength lasing operations are demonstrated in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) comprising ingeniously designed asymmetric InGaN quantum wells (AS-QWs). The dual laser modes show exact positive-correlated polarization dependences with a high degree of polarization of up to 98%. By simply tuning the pump energy, the components and intensity of the laser outputs can be continuously changed, making wavelength selection and switching available for the GaN-based VCSELs. Detailed theoretical analysis and experimental measurements show that the intensity of optical gain and the coupling between the active layer and optical field, namely the electron–photon interaction, as well as carrier tunneling and photon reabsorption play a crucial role in the multiwavelength lasing processes. Moreover, the design principles of the proposed AS-QWs and multistacked size-varied quantum dot (MS-QD) active regions are elaborated to provide guidelines for controllable multiwavelength emissions in GaN-based surface-emitting lasers. These results not only provide better understanding of lasing in nitride-based microcavity systems but also shed insight into the more fundamental issues of electron–photon coupling in such systems. Importantly, such controllable multiwavelength laser operations may extend nitride-based VCSELs to previously inaccessible areas, for example, flip-flop, ultrafast switches, and other functional devices such as Raman lasers and sensors.  相似文献   
917.
First-principles calculations are performed to investigate the electronic structures and magnetic properties of(Fe, Co)-codoped 4H-SiC using the generalized gradient approximation plus Hubbard U method. We find that 4H-SiC doped with an isolated Fe atom and an isolated Co atom produces a total magnetic moment of 5.98 μ_B and 6.00 μ_B respectively. We estimate T_C of about 263.1 K for the(Fe, Co)-codoped 4H-SiC system. We study ferromagnetic and antiferromagnetic coupling in(Fe, Co)-codoped 4H-SiC. Ferromagnetic behavior is observed.The strong ferromagnetic couplings between local magnetic moments can be attributed to p–d hybridization between Fe, Co and neighboring C. However, the(Fe, Co, V_(Si))-codoped 4H-SiC system shows antiferromagnetic coupling when an Si vacancy is introduced in the same 4H-SiC supercell. The results may be helpful for further study on transition metal-codoped systems.  相似文献   
918.
In this paper, the authors establish a generalized maximum principle for pseudoHermitian manifolds. As corollaries, Omori-Yau type maximum principles for pseudoHermitian manifolds are deduced. Moreover, they prove that the stochastic completeness for the heat semigroup generated by the sub-Laplacian is equivalent to the validity of a weak form of the generalized maximum principles. Finally, they give some applications of these generalized maximum principles.  相似文献   
919.
采用自旋密度泛函理论的第一性原理方法并结合晶体配位场理论,研究了Ni离子掺杂锐钛矿相TiO2体系(NixTi1-xO2;NixTiO2)的几何结构、缺陷形成能、电子结构以及磁性特征等问题。结果表明:实验上发现的有关Ni掺杂TiO2体系的很多矛盾,如:晶粒体积的增减、掺杂Ni离子的不同价态、吸收光谱带边移动方向和体系磁性特征的差异等问题都可归因于Ni离子掺杂类型的不同(NiTi;Niin)。分析表明,不同的Ni离子掺杂类型导致所成Ni-O键的键长和电荷布居不同,从而使Ni离子呈现不同的价态,这也是体系宏观电学和磁学性能差异的根本原因。形成能计算表明,通过控制Ni-TiO2晶体生长过程中的氧环境,可以人为的控制Ni离子的掺杂类型。  相似文献   
920.
第一性原理计算研究发现由于二维TiC单原子层具有高的比表面积与大量的暴露在表面的Ti原子,其是一种非常有潜力的储氢材料.计算结果显示H2可以在二维TiC单原子层表面进行物理吸附与化学吸附.其中化学吸附能为每个氢分子0.36 eV,物理吸附能是每个氢分子0.09 eV.覆盖度为1和1/4层(ML)时,H2分子在二维TiC单原子层表面的离解势垒分别为1.12和0.33 eV.因此,除了物理吸附与化学吸附,TiC表面还存在H单原子吸附.最大的H2储存率可以达到7.69%(质量分数).其中,离解的H原子、化学吸附的H2、物理吸附的H2的储存率分别为1.54%、3.07%、3.07%.符合Kubas吸附特征的储存率为3.07%.化学吸附能随覆盖度的变化非常小,这有利于H2分子的吸附与释放.  相似文献   
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