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1.
Summary The pungent principles of ginger and grains of paradise are examined using a reversed-phase HPLC column. An electrochemical detector is used to selectively detect the phenolic gingerols and shogaols. The retention indices of the compounds are compared using methanowater and acetonitrile-water as eluents.Presented at the 14th International Symposium on Chromatography London, September, 1982  相似文献   
2.
A systematic understanding and controlling of gap states formed at the organic-metal interfaces is a key factor for fabricating functional organic-metal systems, as in case of heterojunctions in semiconductor devices. We report here the characterization of gap states near the Fermi level of metal substrate by metastable atom electron spectroscopy and first-principles density functional calculations. The gap states in organic-metal systems are classified into two types, i.e., chemisorption-induced gap states (CIGSs) and complex-based gap states (CBGSs). CIGSs can be further classified whether the metal wave function tails a short distance into the chemisorbed species with the exponential decay (damping type) or is exposed sufficiently to the chemisorbed species by mixing with the organic orbitals (propagating type). CIGSs observed in alkanethiolate and C60 on Pt(1 1 1) are their typical examples, respectively. As a consequence, alkanethiolate serves as a poor mediator of metal wave function, whereas C60 acts as a good mediator, which is responsible for tunneling mechanism and eventually electric conductivity in the relevant metal-organic-metal junctions. CBGSs are identified in bathocuproine films deposited on K-covered Au, where the K atoms migrate into the film to form an organic-metal complex. The CBGSs are distributed over the multilayer film, in contrast to the case of CIGS. With increasing film thickness, the CBGSs exhibit incommensurate energy shifts with the valence band top of the film, indicating that the Schottky-Mott model breaks down as evaluating charge transport in organic-metal systems.  相似文献   
3.
基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性。结果表明:Mo掺杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料,其带隙值由2.88 eV 变为0.55 eV。当Mo掺杂浓度为1.359×1021 cm-3时,磁矩为0.98 ,这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料。此外,Mo掺杂4H-SiC体系在(100)和(001)方向的静态介电常数分别为3.780和3.969。介质函数虚部不为0的起始点发生红移,表明掺杂使电子更容易跃迁。  相似文献   
4.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了典型立方结构合金相LaMgX4(X=Co, Ni, Cu)的力学特性和热力学特性。根据广义胡可定律计算了合金相的单晶弹性常数;根据单晶弹性常数和Hershey’s averaging方法计算了合金相的多晶弹性模量、泊松比、Zener各向异性因子和德拜温度。采用基于准谐近似的Gibbs2代码计算了LaMgX4(X=Co, Ni, Cu)合金相的吉布斯自由能、熵和等体热容与温度的关系。LaMgNi4的计算结果与其他文献计算结果及实验结果符合的很好。结果表明:LaMgX4 (X= Co, Ni, Cu)合金均为延展性、塑性和弹性各向异性材料。德拜温度按以下顺序递减:LaMgNi4>LaMgCu4>LaMgCo4。  相似文献   
5.
Life forms must organize information into cognitive models reflecting the outside environment, and in a complex and changing environment a life form must constantly select and organize this mass of information to avoid slipping into a chaotic cognitive state. The task of developing and maintaining adaptive cognitive models can be understood through two processes, crucial to regulating the interconnections between environmental elements. The inclusion and exclusion of information follows a process designated by P and the process by which cognitive models change is designated by K. Higher order concepts are created by reducing the interconnections between elements to a minimal number to avoid cognitive chaos. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Complexity 9:31–37, 2004  相似文献   
6.
罗强  唐斌  张智  冉曾令 《物理学报》2013,62(7):77101-077101
基于密度泛函理论第一性原理, 在广义梯度近似下, 研究了表面覆盖度为0.25 ML (monolayer)时硫化氢分子在Fe(100)面吸附的结构和电子性质, 并与单个硫原子吸附结果进行了对比. 结果表明: 硫化氢分子吸附在B2位吸附能最小为-1.23 eV, 最稳定, B1位吸附能最大为-0.01 eV, 最不稳定; 并对硫化氢分子在B1位和B2位吸附后的电子态密度进行了分析, 也表明了吸附在B2位稳定, 且吸附在B2位后硫化氢分子几何结构变化不大; 将硫化氢中硫原子吸附与单个硫原子吸附的电子性质进行了比较, 发现前者吸附作用非常微弱; 同时对吸附后的Fe(100)面进行了对比, 单个硫原子吸附的Fe(100)面电子态密度出现了一系列峰值且离散分布, 生成了硫化亚铁, 表明在硫化氢环境下, 主要是硫化氢析出的硫原子发生了吸附. 关键词: 第一性原理 Fe(100)表面 吸附能 硫化氢  相似文献   
7.
Ti和Al共掺杂ZnS的电子结构和光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于密度泛函理论的第一性原理研究Ti和Al单掺杂和(Ti,Al)共掺杂ZnS的能带结构、电子态密度分布、介电函数、光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构与光学性质的变化.计算结果表明:掺杂后禁带中引入了新的杂质能级,费米能级进入导带.掺杂改变了ZnS晶体的导电特性,使它表现出金属特性,导电性能增强;与纯净ZnS相比,Ti单掺杂和(Ti,Al)共掺杂ZnS的吸收边均出现明显的红移,且在1.79eV左右出现了一个新峰;而Al单掺杂ZnS的吸收边则发生明显的蓝移,且不产生新的吸收峰.  相似文献   
8.
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法研究了BaHf0.5Ti0.5O3的电子结构和光学性质.计算结果表明,BaHf0.5Ti0.5O3是一种间隙的半导体材料,其导带底主要由Ba、Hf和Ti的d态电子构成,价带顶则主要由O的p态、Hf 和Ti的d态电子构成;理论计算的介电函数最高峰的峰位与实验结果吻合较好,相对误差小于4%;吸收系数最大峰值为2.43×105cm-1,且吸收主要集中在低能区,静态折射率为2.01,能量损失峰出现在13.24eV处.研究结果为BaHf0.5Ti0.5O3光电材料设计与应用提供了理论依据.  相似文献   
9.
10.
Shi Shu  Lu Yang 《哲学杂志》2020,100(12):1550-1568
ABSTRACT

The iridium is an important metal which has excellent resistance to corrosion at high temperature. L12 intermetallic compounds i.e. Ir3Nb and Ir3Zr, with similar lattice parameters are ideal for working at high temperature. They are fully soluble due to their low lattice misfit. A first-principle investigation into the effect of doping Zr with different concentrations on the electronic structure, mechanical and thermodynamic properties of NbIr3 has been studied to prompt the development of novel high-temperature materials. Nine ZrxNb8?xIr24 compounds are carefully considered. The results show that adding Zr into these compounds can strengthen their structural stability and ductility. Nevertheless, it reduces the elastic modulus and elastic stiffness. Simultaneously, with the increase of Zr content, the thermodynamic properties of these compounds decrease. It is also found that the changes of elastic modulus are mainly attributed to the variations of bonds in these compounds.  相似文献   
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