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利用自制纳米TiO2薄膜作电极, 对苯甲酸光电催化降解过程进行了系统研究. 同时利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射图谱(XRD)和光电流-电压响应谱分析光催化剂的微观性质和光电性能. 选取较高的pH 10.5, 以利于苯甲酸降解中间产物的检测(GC/MS). 通过对比光电催化与单一的TiO2光催化体系中苯甲酸的降解动力学、总有机碳(TOC)的去除率、降解产物的生成(GC/MS)及活性自由基物种的产生(ESR), 提出光电催化降解苯甲酸的具体反应路径和氧化机理. 羟基化的苯甲酸在羟基自由基与活性氧自由基的共同作用下, 经由含六个碳原子的二酸(顺式己二烯二酸), 被进一步氧化成小分子酸和CO2. 相似文献
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已知氟离子和磷酸根能加快锐钛矿和P25 TiO2光催化降解苯酚等有机物,但作用机理仍存在争议.合成了不含无机阴离子的锐钛矿,并在其表面沉积0.52 wt% Pt(Pt/TiO2).在初始pH 5.2的水溶液中,99%的氟离子和磷酸根分别为F-和H2PO4-.加入0.1~30 mmol/L阴离子,苯酚的光催化降解速率常数(kobs)都增大,证实了氟离子和磷酸根均具有正效应.有趣的是,kobs增加倍数均与阴离子吸附量呈线性关系,其中氟离子的斜率大于磷酸根,而Pt/TiO2的斜率大于TiO2.这表明阴离子的正效应源于吸附于固体表面的阴离子,并且氟离子的活性大于磷酸根.(光)电化学测试表明,氟离子和磷酸根分别抑制和促进O2还原,但它们都促进苯酚氧化.此外,氟离子和磷酸根分别使TiO2平带电位移动-159 mV和89 mV.前者有利于TiO2价带与苯酚发生轨道重叠,后者有利于TiO2导带分别与O2发生轨道重叠,进而加快界面电荷转移.由于阴离子广泛存在,该结果将有助于半导体光催化的机理研究及其环境应用. 相似文献
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光电催化降解活性艳红K-2BP中电解质NaCl和Na2SO4的作用研究 总被引:2,自引:1,他引:2
以TiO2/Ti为阳极, Ti网为阴极, 研究了活性艳红K-2BP在NaCl和Na2SO4电解质中的降解情况, 深入探讨了两种电解质在光电催化降解染料中的作用, 研究了电解质浓度、溶液pH值的影响, 并讨论了在混合盐电解质存在下, 活性艳红K-2BP的降解行为. 研究表明, 以NaCl为电解质时, Cl-会转化为氧化性很强的活性氯, 活性氯及光电的共同作用, 加速了染料的降解. 以Na2SO4为电解质时, SO42-在光电的作用下将发生两类反应, 一部分SO42-捕获光生空穴和HO•, 对光电催化降解染料起抑制作用; 另一部分SO42-将发生反应生成H2O2, 对染料降解起促进作用.
关键词 光电催化; 活性艳红K-2BP; TiO2/Ti电极; 电解质 相似文献
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采用浸渍-提拉法将 TiO2 薄膜负载在具有一定电极构型的氧化铟锡 (ITO) 基底上, 制备了全固态 TiO2 平面型器件 (ITO/TiO2/ITO). 采用扫描电镜对器件的表面形貌和膜厚进行了表征. 以紫外光下器件光电协同催化降解罗丹明 B(RhB) 为模型反应, 考察了器件的构型和空穴捕获剂 (乙醇) 对其光电催化性能的影响. 结果表明, 初始浓度为 10 mg/L 的 RhB 在 1.5 V 偏压和 NaCl (1.5 mol/L) 为电解质的条件下, 光照 60 min 脱色率达到 83%; 阳极面积较大的器件光电催化性能较好, 刻蚀宽度为 2 mm 时光电催化活性最高; 空穴与 TiO2表面吸附的 H2O 氧化生成的羟基自由基对液相光电催化降解 RhB 起着重要作用. 相似文献
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采用溶剂热法-旋涂法构建了Sb2O3/BiVO4/WO3半导体异质结,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等手段表征了其物化性质。在1.23 V(vs RHE)电位下,BiVO4/WO3的光电流密度相对于BiVO4提高了2倍。进一步复合Sb2O3之后,虽然Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜的光电流密度有所下降,但其光电催化产H2O2的法拉第效率和产生速率得到明显提升。在1.89V(vs RHE)电位下,3c-Sb2O3/BiVO4/WO3薄膜产H2O2的法拉第效率提高到约19%;1c-Sb2O 相似文献
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以二氰二胺、硒粉和钨酸钠为前驱体,采用一锅法成功制备出Se掺杂WO3·0.5H2O/g-C3N4(Se/WCN)催化剂。并采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的物相结构、形貌及化学组成进行表征。与原始的WO3和g-C3N4相比,Se/WCN催化剂的起始电位降到了-0.75 V(vs RHE),电流密度高达70 mA·cm-2,表现出更高的电催化活性。而光照后,Se/WCN的催化性能进一步提升,起始电位从-0.75 V(vs RHE)降至-0.65 V(vs RHE),电荷转移电阻由371.4Ω减小到310.0Ω。 相似文献
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