双轴晶体主平面上倍频的相位匹配参量

根据折射率椭球方程及双光轴晶体中光波的传播与偏振特性，分析双轴晶体在主平面内激光倍频相位匹配的特性与方法，导出光波在主平面上传播时倍频的相位失配关系；给出双轴晶体中容许相位匹配倍频的相位匹配角及混频的有效非线性系数deff的表达式。利用可相位匹配的类型、相位匹配角公式和有效非线性系数deff表达式的表，容易对任意一具体晶体在一给定波长求出实际能实现相位匹配的类型或偏振组合，算出相位匹配角，比较不同的相位匹配类型或偏振组合的有效非线性系数，选择最佳的相位匹配类型与方向。从相位失配关系可以计算晶体主平面内倍频的接收角、接收光谱宽度等特性参量。     

Measurement of electro-optic coefficients of low-symmetry crystal YbCa4O(Bo3)3

In this paper, we report on all the electro-optic coefficients of the low-symmetry crystal YbCa₄O(BO₃)₃ measured by the interferometric method. The new sample orientations, which have not been reported so far, have been used for measuring the skew electro-optic coefficients γ₅₁, γ₅₃, γ₄₂ and γ₆₂ independently. The results obtained are γ₁₁=0.6, γ₂₁=0.4, γ₃₁=0.3, γ₁₃=0.3, γ₂₃=0.2, γ₃₃=2.2, γ₅₁=0.9, γ₅₃=4.1, γ₄₂=0.8 and γ₆₂=0.4×10⁻¹² m/V.     

原子吸收光谱分析中石墨炉的原子化效率

本文评述了原子吸收光谱分析中石墨炉原子化效率的研究进展，叙述了基础理论、各种原子化效率公式以及βm,βi(exp),βi(cal)间的关系，讨论了原子化效率研究中需要进一步改善的问题。     

电子在蛋白质分子中的迁移机理及其特性

ATP水解作用所释放的能量能引起蛋白质分子中额外电子的激发,其激发与氨基酸残基晶格畸变相互作用,使额外电子自陷成孤子,这孤子在附着有供体(D)和受体(A)的蛋白质分子中运动时,由于孤子与供体电子的相互作用而"自局域"在孤子上进行迁移,从而可把电子供给受体.使用作者提出的孤子理论研究了这种迁移的特征,计算了在这种非平衡态过程中由孤子迁移电子的速率和动能系数,得到了一些有趣的结果,揭示了这种迁移的本质,求得了迁移的大小.     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

电流并联负反馈放大器实验的研究

用实验的方法，研究电流并联负反馈对放大器性能的改善，提出电流型、并联型负反馈放大器性能参数的测量方法。     

基于热传导原理电枢平均磨损率计算

在假设导轨为半无限长固体导体及电枢表面磨损主要是熔化磨损条件下,基于固体接触面导热原理,推导出电枢和导轨温度分布方程,提出了电枢平均磨损率计算方法。利用此方法分析了驱动电流、电枢和导轨材料匹配和接触面积参数对电枢平均磨损率影响。将平均磨损率计算结果与Stefani和Parker的实验结果进行对比,二者吻合较好,从而为建立电磁轨道炮磨损率与转捩之间的关系提供理论支持。     

高精度的光纤衰减系数测试系统的设计

利用常规仪器设备，设计了一套集光、机、电为一体的光纤衰减测量,实现了数字化监测显示，并可与微机接口；采用双光路法，消除了由于光源光强不稳定产生的误差。     

用力敏传感器测量液体表面张力系数

利用力敏传感器测量液体表面张力系数，既改进了传统的实验方法和仪器，提高了实验的准确度和稳定性，同时因实现了非电量电测，也有助于测量过程中学生对物理过程的观察和规律的理解。     

PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42基团的禁带宽度明显变小 关键词： PbWO4晶体 密度泛函 氧空位和铅空位 态密度分布