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62.
Khang Hoang 《固体物理学:研究快报》2016,10(12):915-918
Erbium (Er) doped GaN has been studied extensively for optoelectronic applications, yet its defect physics is still not well understood. In this work, we report a first‐principles hybrid density functional study of the structure, energetics, and thermodynamic transition levels of Er‐related defect complexes in GaN. We discover for the first time that ErGa–CN–VN, a defect complex of Er, a C impurity, and an N vacancy, and ErGa–ON–VN, a complex of Er, an O impurity, and an N vacancy, form defect levels at 0.18 eV and 0.46 eV below the conduction band, respectively. Together with ErGa–VN, a complex of Er and an N vacancy which has recently been found to produce a donor level at 0.61 eV, these defect complexes provide explanation for the Er‐related defect levels observed in experiments. The role of these defects in optical excitation of the luminescent Er center is also discussed. 相似文献
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通过出气率测量装置评价了SUNIST装置的内部磁探针出气特性,实验结果表明其出气量和出气气体成分不足以影响SUNIST真空特性。其后的放电实验验证了这一结论。 相似文献
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1引言分离流动经常出现在许多实际流动中,对流体机械和飞行器产生重大影响。但由于这种流动具有方向性,变化快,给测量带来了困难。到目前为止,主要有以下三种测量方法:山激光多普勒测速治(*D川;(2)飞行热线(F坊In含*。卜w让e);O)脉冲热线技术(PulsedAVire。‘脉冲热线”比“激光多普勒测速仪”价格低一个数量级,操作简单,是一种比较理想的测量技术。其原理最初由Baner山提出,随后经过BradburyP],Eaton问,Castro*和Fernholz问等人不断发展与完善,目前国外正推广应用在分离流动的研究中。但在国内,尚不多见其… 相似文献
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HIRFL-CSR电子冷却束流位置测量系统 总被引:1,自引:0,他引:1
高效率的电子冷却过程, 要求电子束与离子束位置平行且重叠。 为了同时测量电子束与离子束的位置, 在HIRFL CSR电子冷却装置上研发了以容性圆筒形极板为感应电极的束流位置探测系统。 系统测量束流通过探针时产生的脉冲感应信号, 并进行傅里叶变换得到频谱信号, 分析4个不同电极上频谱信号强度获取束流的位置信息。 测量结果表明, 该束流位置探测系统测量准确, 为定量研究储存环离子累积和电子冷却过程与两种束流相对位置及角度的依赖关系提供了条件。 The efficient electron cooling requires that the ion beam and electron beam are parallel and overlapped. In order to measure the positions of ion beam and electron beam simultaneously, a beam position monitor system is developed for the HIRFL-CSR electron cooler device, which probe consists of four capacitive cylinder linear cut poles. One can get the both beam positions from the picking up signals of four poles by using Fourier transform(FFT) method. The measurement results show that the beam position monitor system is accurate. This system is suitable for investigating the relation between electron cooling processing and the angle of ion beam and electron beam. 相似文献
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The interactions between N,N′-di(2-hydroxy-3-methyoxy-phenyl-1-methylene)-o-phenyldiamine-mone Zn(II), Nd(III) nitrate (2LZnNd) and bovine serum albumin (BSA) was investigated by various spectroscopic
techniques under physiological conditions. It was proved that the fluorescence quenching of BSA by 2LZnNb was a result of
the formation of a non-fluorescent complex with the binding constants of 3.15 × 105; 2.72 × 105 and 2.44 × 105 M–1 at 298 K, 304 K and 310 K, respectively. A marked increase in the fluorescence anisotropy in the proteinous environments
indicates that BSA introduces motional restriction on the drug molecule. The corresponding thermodynamics parameters ΔH and ΔS were calculated to be –16.36 kJ mol–1 and 43.48 J mol–1 K–1 via van’t Hoff equation. Moreover, the competitive probes experiment revealed that the binding location of 2LZnNb to BSA
is in the hydrophobic pocket of site II. The effect of 2LZnNb on the conformation of BSA has been analyzed by means of CD
spectrum and three-dimensional fluorescence spectra. The results indicate that the conformation of BSA molecules was changed
in the presence of 2LZnNb Schiff base. 相似文献
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过渡金属硅化物β-FeSi2因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi2的发光机理,介绍了几种β-FeSi2薄膜制备方法并比较了不同制备方法的特点,总结了最近几年来β-FeSi2的研究进展和主要研究结果。结合作者已经取得的结果和积累的经验,提出了提高材料发光性能方法,认为良好的结晶质量和尽可能减少缺陷是β-FeSi2高效发光的基础,因此有必要探索新的制备方法并改善已有的制备工艺。另外,尝试在β-FeSi2薄膜中应用其它元素,也有可能增大发光效率;而有效激发β-FeSi2的p-i-n结构也是提高发光效率的方法之一。最后,讨论了β-FeSi2的发展趋势,展望了该种材料的发展前景。 相似文献
69.
提出了原子力/光子扫描隧道显微镜(AF/PSTM)系统的关键部分——双功能弯曲光纤探针的制作方法.采用热拉伸与动态、静态两步化学腐蚀相结合的方法制作出AF/PSTM弯曲光纤探针,弯曲角度约为150°,尖端曲率半径优于100nm,锥角范围为60°—90°.将这种双功能弯曲光纤探针应用在新研制的AF/PSTM系统上,同时获得了样品的光学与形貌图像,实现了图像分解.
关键词:
原子力/光子扫描隧道显微镜
光纤探针
热拉伸
化学腐蚀 相似文献
70.
利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡/锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0.5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。 相似文献