Zur Methodik der Autoradiographie im Elektronenmikroskop

Die elektronenmikroskopische Autoradiographie erlaubt unter Ausmutzung des hohen Auflösungsvermögens des Elektronenmikroskops eine exakte Lokalisierung radioaktiver Verbindungen in Präparaten. Voraussetzung dafür ist die Herstellung einer Einkornschicht des Silberhalogenids aus einer vorgegebenen Filmemulsion. Diese Einkornschicht mit möglichst gleichmäßiger Silberhalogenidverteilung muß dann auf das radioaktive Objekt aufgebracht werden. Nach einer Übersicht über die Versuchsmethode werden Untersuchungen zur Präparation von Silberhalogenid-Einkornschichten aus den Emulsionen ORWO K 2, K 5, K 6, Ilford L 4 und Gevaert Nuc 7.15 für die elektronenmikroskopische Autoradiographie dargestellt.     

Die aktivierungsanalytische Bestimmung von Verunreinigungen in Platin

Ein Bericht über die aktivierungsanalytische Bestimmung des Cu, Au, Ir, Os und Ru in Platin durch radiochemische Trennung und gammaspektrometrische Strahlungsmessung. Aufbau eines radiochemischen Trenungsganges durch Verflüchtigung der Tetroxide des Os und Ru, Beseitigung der Matrixaktivität durch Adsorption am Anionenaustauscher, Extraktion des Au, Cu u. a. Elemente als Chloro-, DDTC- und BPHA-Komplexe. Diskussion der Möglichkeiten für den Einsatz des Trennungsganges in der Aktivierungsanalyse. Wiedergabe der Arbeitsvorschrift und der Ergebnisse der Analyse einiger Platinproben mit Verunreinigungen im Bereich von 0,05…400 ppm.     

Application of Autoradiography to the Investigation of New Doping Techniques of Semiconductor Materials

The development of technology of new semiconductor devices requires fundamental studies of a number of phenomena taking place in semiconductors during the doping process or accompanying the doping process.

These studies are concerned with the following problems:

1. Diffusion of gold in silicon and the effect of diffusion layers (particularly phosphorus layers) and epitaxial silicon layers on the distribution of gold in thin silicon plates.

2. Distribution of admixtures in silicon introduced with the aid of the ion implantation technique. Our studies concerned with the second of the above mentioned problems comprised an autoradiographic examination of the homogeneity of the beam of phosphorus ions implanted in silicon, and a study of some apparatus factors and of the purity of the basic material on the implantation.     

Aktivierungsanalytische Bestimmung von Spurenelementen in Tomaten

Die Autoren machen mit aktivierungsanalytischen Untersuchungen am Reaktor der Technischen Universität Budapest bekannt. Der thermische Neutronenfluβ war 2·10¹¹ ncm^?28^?1, und es wurde ein Ge(Li)-Detektor mit 25 cm³ Volumen und einer Energieauflösung von 2 keV angewendet. Die untersuchten Tomatenproben enthielten durchschnittlich 85% Trockensubstanz. Es wurden folgende Konzentrationen an Spurenelementen ermittelt (in mg/kg): Br: 50,1; Mn: 10,2; Zn: 9,3; Cu: 6,6; As: 0,051; Sb:0,030; Au: 0,005.     

Polycrystalline silicon films prepared by metal-induced crystallisation using pre- and post-deposited aluminium on amorphous silicon

We report on the successful fabrication of polycrystalline silicon films by aluminium-induced crystallisation (AIC) of Radio frequency (rf) plasma-enhanced chemical vapour deposited (PECVD) a-Si films. The effects of annealing at different temperatures (300 and 400°C), below the eutectic temperature of the Si–Al binary system, on the crystallisation process have been studied. This work emphasises the important role of the position of the Al layer with respect to the Si layer on the crystallisation process. The properties of the crystallised films were characterised using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, ellipsometry, field-emission scanning electron microscopy (FESEM) and atomic force microscopy (AFM). With an increase in the annealing temperature, it was found that the degree of crystallisation of annealed a-Si/Al and Al/a-Si films increased. The results showed that the arrangement where the Al was on top of the a-Si had a more prominent effect on crystallisation enhancement than when Al was below the a-Si. The interfacial layer between the Al and a-Si film is crucial because it influences the layer-exchange process during annealing. The oxide layer formed between the Al and the a-Si layers greatly retards the crystallisation process in the case of the Al/Si arrangement. Our investigations suggest that polycrystalline Si films formed by AIC can be used as a seed layer in solar cell fabrication.     

沟道层厚度对室温制备的In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

在室温下采用直流磁控溅射以SiO₂/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In₂O₃薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In₂O₃薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In₂O₃薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为10⁶,场效应迁移率为6.2 cm²·V^-1·s^-1。     

基片对交替溅射制备的MnZn铁氧体薄膜结构和磁性的影响

使用成分分别为MnFe₂O₄和ZnFe₂O₄的靶,使用射频溅射交替沉积制备了成分不同的Mn_1-xZn_xFe₂O₄薄膜,沉积薄膜所用基片分别为单晶硅Si（100）,氧化的单晶硅SiO₂/Si（100）, ZnFe₂O₄为衬底的单晶硅ZnFe< 关键词： MnZn铁氧体 纳米晶 软磁性 磁性薄膜     

用于红外激光防护的高开关率VO2薄膜

采用反应离子束溅射和后退火处理技术在石英玻璃基底上制备了具有纳米粒子的二氧化钒(VO₂)薄膜. 该薄膜具有半导体-金属相变特性,在3 μm处的开关率达到76.6%。 热致相变实验结果给出了准确的最佳退火温度为465 ℃. 仿真、热致相变和光致相变实验都显示VO₂薄膜在红外波段具有很高的光学开关特性. 光电池防护实验结果显示VO₂薄膜将硅光电池的抗干扰能力提升了2.6倍, 证明了VO₂在激光防护中的适用性. 采用连续可调节系统研究得到VO₂在室温条件下的相变阈值功率密度为4.35 W/cm², 损伤阈值功率密度为404 W/cm²。 低相变阈值和高损伤阈值都进一步证明VO₂薄膜适用于激光防护系统。本实验制备的VO₂薄膜在光开关、光电存储器、智能窗等方面也具有广泛的应用价值.     

Ag/AAO纳米有序阵列复合结构等效光学参量的确定

引入厚度偏差Δd, 修正了薄膜透射率表达式.基于Ag/AAO纳米有序阵列复合结构实验透射光谱(500—2700nm)的两条极值包络线, 定义了一个优化函数, 结合最优化数值算法尝试确定具有较强吸收的Ag/AAO纳米有序阵列复合结构的等效光学参量. 由此计算了该结构的等效折射率n、等效消光系数k、平均等效厚度d以及厚度偏差Δd. 该方法对Ag/AAO纳米复合结构平均等效厚度的相对计算误差仅为0.3%, 与实测厚度基本一致, 且Ag/AAO纳米复合结构的模拟透射谱与实验透射光谱在500—2700nm波段范围内相符. 这表明该计算方法可有效确定Ag/AAO纳米复合结构的等效光学参量, 并与实验结果是自洽的. 关键词： 薄膜光学 光学参量 纳米复合结构 最优化算法