极端相对论快电子分布等离子体中横振荡色散关系

本文对各向同性极端相对论快电子呈幂律分布等离子体中横振荡色散关系进行了解析和数值研究.得到长波支和短波支色散关系的解析表达式.由于解析近似对波数的限制,无法得到全波数空间色散曲线,因此对色散方程进行了数值求解.研究表明,在满足长波支和短波支条件时,解析色散曲线与数值色散曲线完全符合.此外,利用多项式回归的方法对数值结果进行拟合,得到不同参数下快电子分布等离子体横振荡色散关系近似表达式,该结果为进一步研究快电子分布等离子体的性质提供了重要的理论依据. 关键词： 相对论性等离子体 快电子分布 色散关系 数值计算     

采用高分辨电镜分析Cu掺杂聚-4-甲基-1-戊烯泡沫材料采用高分辨电镜分析Cu掺杂聚-4-甲基-1-戊烯泡沫材料

利用物理掺杂的方法,制备了铜掺杂聚-4-甲基-1-戊烯(PMP)低密度泡沫材料,采用高分辨扫描电子显微镜和透射电子显微镜,分析了泡沫材料的微观结构、成分及微区成分分布。结果表明：与PMP泡沫相比,铜掺杂PMP泡沫的孔洞直径和网络骨架尺寸变大;铜颗粒镶嵌在PMP泡沫的有机骨架上且有团聚现象;泡沫材料中除碳、铜外,还残留有杂质元素氧;铜颗粒被PMP泡沫包裹,与碳网络骨架之间接触紧密。     

碳纳米管场发射特性的研究

自1995年首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力的电子场发射极,特别是近几年碳纳米管合成技术的发展更促进了碳纳米管作为场发射电子源的研究。本论文对碳纳米管作为场发射电子源的研究进行了系统的总结,简洁地介绍了碳纳米管电子场发射研究的方法、理论、主要发现及意义。     

Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展

本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。     

小角X射线散射应用研究若干进展

文章从小角X射线散射（small-ande X-ray scattering，SAXS）的理论分析出发，结合国内外SAXS理论和应用研究的最新动态，总结了文章作者所在的研究小组近年来在SAXS技术用于材料微结构表征方面的研究成果。主要包括以下三个方面的内容：（1）有机／无机杂化材料中电子密度波动的研究；（2）弦长度分布函数材料的周期结构的研究；（3）纳米粉末晶化过程的研究。     

Mechanisms of Resonant Infrared Matrix-Assisted Pulsed Laser Evaporation

For the last decade, a variant of pulsed laser ablation, Resonant-Infrared Matrix-Assisted Pulsed Laser Evaporation (RIR-MAPLE), has been studied as a deposition technique for organic and polymeric materials. RIR-MAPLE minimizes photochemical damage from direct interaction with the intense laser beam by encapsulating the polymer in a high infrared-absorption solvent matrix. This review critically examines the thermally-induced ablation mechanisms resulting from irradiation of cryogenic solvent matrices by a tunable free electron laser (FEL). A semi-empirical model is used to calculate temperatures as a function of time in the focal volume and determine heating rates for different resonant modes in two model solvents, based on the thermodynamics and kinetics of the phase transitions induced in the solvent matrices. Three principal ablation mechanisms are discussed, namely normal vaporization at the surface, normal boiling, and phase explosion. Normal vaporization is a highly inefficient polymer deposition mechanism as it relies on collective collisions with evaporating solvent molecules. Diffusion length calculations for heterogeneously nucleated vapor bubbles show that normal boiling is kinetically limited. During high-power pulsed-FEL irradiation, phase explosion is shown to be the most significant contribution to polymer deposition in RIR-MAPLE. Phase explosion occurs when the target is rapidly heated (10⁸ to 10¹⁰ K/s) and the solvent matrix approaches its critical temperature. Spontaneous density stratification (spinodal decay) within the condensed metastable phase leads to rapid homogeneous nucleation of vapor bubbles. As these vapor bubbles interconnect, large pressures build up within the condensed phase, leading to target explosions and recoil-induced ejections of polymer to a near substrate. Phase explosion is a temperature (fluence) threshold-limited process, while surface evaporation can occur even at very low fluences.     

用拉盖尔-高斯激光对真空中电子直接加速

对用拉盖尔-高斯(LG)光束加速电子作了研究.结果表明，仅模指数为p和l=1的LG光束的纵向电场可用于加速电子.模指数为p和l=1的线偏振和圆偏振LG光束都对电子有加速效果.对轴上光场的相速度和群速度以及电子能量增益等物理特征作了讨论.给出了轴上光场的相速度和群速度、加速电位及电子能量增益等的解析表达式，并作了数值计算和分析. 关键词： 激光电子加速 拉盖尔-高斯光束 线偏振和圆偏振 能量增益     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运

在有效质量近似理论下，利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时，外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化，并且随着朗道指数或磁场强弱的变化，局域能级及其局域程度都会发生显著移动，特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外，还计算了电子输运系数，讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系，发现两者之间有着很好的对应关系，为相应的实验研究提供了依据. 关键词： 超晶格 局域电子态 磁场     

北京大学DC-SC光阴极注入器的升级设计

 基于直流电子枪-超导加速腔（DC-SC）光阴极注入器样机的初步实验结果,北京大学提出了新的注入器的改进设计。新注入器核心结构包括皮尔斯枪和3+1/2超导腔。文章给出了它们的详细结构参数,然后采用程序,对注入器的束流动力学进行了模拟。结果发现：新注入器可以提供具有高束流品质、高平均流强的电子束,束团的电荷量100 pC,横向发射度低于2 mm·mrad,脉宽5 ps,rms束斑可达0.5 mm,重复频率81.25 MHz;也可以提供电荷量为300 pC低重复频率的高峰值流强的电子束,其横向发射度小于3 mm·mrad,脉宽约为9 ps,以满足北京大学自由电子激光（PKU-FEL）实验平台的要求。