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561.
电致发光器件在光通讯、光信息处理、视频器件、测控仪器等光电子领域有着广泛而重要的应用价值.无机半导体二极管、半导体粉末、半导体薄膜等电致发光器件尽管已取得了令人注目的成就,但由于其复杂的器件制备工艺,高驱动电压、低发光效率,不能大面积平板显示,能耗较高以及难以解决短波长(如蓝光)等问题,使得无机电致发光材料的进一步发展受到一定的影响.相比之下,有机化合物可通过分子设计的方法合成数量巨大、种类繁多的有机化合物发光材料,使得有机材料构成的电致发光器件有着众多的优势,并成为目前电致发光领域的前沿研究课题之一.有关材料的制备[1~3],发光机理[4,5],电致发光器件的制备和性能[6,7]的研究工作取得了相当大的进展.得到了各种发光颜色的器件,器件的发光亮度也较高.但由于电/光转换效率(量子效率)较低(小于10%),而且稳定性差,目前还只能制备出一些原型器件.  相似文献   
562.
侯晓远  李述汤 《物理》1999,28(3):152-157
利用光电子能谱了镁、金与8-羟基喹啉铝的界面。对于Mg/Alq3和Au/Alq3两种界面,费米能级到Alq3的最高占有轨道边的距离都约为1.7eV,与金和镁的功函数无关。  相似文献   
563.
有机薄膜电致发光材料与器件研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
有机电致发光薄膜近年来得到了迅猛的发展,是未来平板式全固体彩色电视机的技术关键。本文介绍了国内外此项技术的发展,以期对今后的工作有所借鉴  相似文献   
564.
有机薄膜材料的电致发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
有机薄膜材料的电致发光具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、可制成大面积等优点 ,近几年来取得突破性的进展引起了越来越多的关注和兴趣。本文主要介绍了它的发展历程、器件的结构与材料、发光的基本原理等  相似文献   
565.
许秀来  徐征  侯延冰  苏艳梅  徐叙 《物理学报》2000,49(7):1390-1393
研究了Gd3Ga5O12:Ag材料的制备及其发光性质.Gd3Ga5O12:Ag材料通过固相反应法制得,采用X射线衍射法分 析了材料的结晶度及成分.用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件,得到了 较好的蓝紫色发光,发光峰分别位于397和467nm.通过对材料的光致发光和激发光谱的研究 和比较,得出397和467nm分别来自于氧空位和Ag+的发光.  相似文献   
566.
利用射频磁控溅射方法 ,在n Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .  相似文献   
567.
周连祥 《应用光学》2000,21(1):38-41
介绍一种我国独立自主开发的具有国际先进水平的新型平板显示器件。简述国内外的现状、器件的结构及与其它平板显示技术的比较、器件的特点、显示特性及其应用。  相似文献   
568.
聚(3,4-二氧乙基噻吩)在有机光电子领域的应用进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
简要综述了高性能导电高分子聚(3, 4 二氧乙基噻吩)在有机光电子领域,特别是在有机电致发光和有机太阳能电池中的应用.  相似文献   
569.
稀土铽配合物有机电致发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用三价稀土铽配合物作为发射层、二胺衍生物(TPD)以及聚乙烯咔唑(PVK)作为空穴传输层制备了有机电致发光器件. 器件的结构为 玻璃衬底/ITO/PVK 或者TPD/Tb3+ 配合物/Al, 其中空穴传输层TPD 和发光层Tb3+-配合物采用热蒸发办法成膜. 而空穴传输层PVK采用旋甩涂敷的方法成膜. 对于以上的两种器件均获得了来自Tb3+ 的窄峰发射, 在直流电压15.4 V驱动下, 器件发光亮度达210 cd·m-2.  相似文献   
570.
一类新型稀土配合物的合成与发光特性研究   总被引:13,自引:3,他引:10  
合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin)3phen和Tb(asprin)3phen,并将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构了为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al的电致发光器件。很明显,在相同掺杂比例下,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大,而后者的电致发光中PVK的发射几乎全部被覆盖掉了,进一步研究发现它们的光致发光中也有同样现象存在,这表明具有同等配体的此类铕、铽配合物的特性存在很大差别,并对这一差别作了初步讨论。  相似文献   
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