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561.
电致发光器件在光通讯、光信息处理、视频器件、测控仪器等光电子领域有着广泛而重要的应用价值.无机半导体二极管、半导体粉末、半导体薄膜等电致发光器件尽管已取得了令人注目的成就,但由于其复杂的器件制备工艺,高驱动电压、低发光效率,不能大面积平板显示,能耗较高以及难以解决短波长(如蓝光)等问题,使得无机电致发光材料的进一步发展受到一定的影响.相比之下,有机化合物可通过分子设计的方法合成数量巨大、种类繁多的有机化合物发光材料,使得有机材料构成的电致发光器件有着众多的优势,并成为目前电致发光领域的前沿研究课题之一.有关材料的制备[1~3],发光机理[4,5],电致发光器件的制备和性能[6,7]的研究工作取得了相当大的进展.得到了各种发光颜色的器件,器件的发光亮度也较高.但由于电/光转换效率(量子效率)较低(小于10%),而且稳定性差,目前还只能制备出一些原型器件. 相似文献
562.
利用光电子能谱了镁、金与8-羟基喹啉铝的界面。对于Mg/Alq3和Au/Alq3两种界面,费米能级到Alq3的最高占有轨道边的距离都约为1.7eV,与金和镁的功函数无关。 相似文献
563.
564.
有机薄膜材料的电致发光 总被引:2,自引:2,他引:0
有机薄膜材料的电致发光具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、可制成大面积等优点 ,近几年来取得突破性的进展引起了越来越多的关注和兴趣。本文主要介绍了它的发展历程、器件的结构与材料、发光的基本原理等 相似文献
565.
566.
利用射频磁控溅射方法 ,在n Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 . 相似文献
567.
介绍一种我国独立自主开发的具有国际先进水平的新型平板显示器件。简述国内外的现状、器件的结构及与其它平板显示技术的比较、器件的特点、显示特性及其应用。 相似文献
568.
569.
570.
一类新型稀土配合物的合成与发光特性研究 总被引:13,自引:3,他引:10
合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin)3phen和Tb(asprin)3phen,并将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构了为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al的电致发光器件。很明显,在相同掺杂比例下,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大,而后者的电致发光中PVK的发射几乎全部被覆盖掉了,进一步研究发现它们的光致发光中也有同样现象存在,这表明具有同等配体的此类铕、铽配合物的特性存在很大差别,并对这一差别作了初步讨论。 相似文献