镜面偏心测量光学系统设计及其杂光分析

为了解决现有镜面偏心测量设备存在的问题,本文研究了一种采用切换镜头和调焦相结合的方法来设计的镜面偏心测量光学系统,使用这个光学系统,既能使被测镜面的曲率半径扩展到-∞~+∞范围,又能保证测量精度。通过Lighttools软件对这个光学系统进行光线追迹,分析其杂光分布,结果表明:准直镜头内部多次反射产生的杂光强度很低,可以忽略。而当被测镜头中存在相邻球心像距的镜面时,产生的杂光强度比较大,在后续的图像处理过程中,必须增强目标图像的对比度。利用研制的镜面偏心测量设备进行测量实验,结果进一步验证了杂光分析的正确性。     

基于可调控多肽纳米管和石墨烯复合纳米结构的光吸收催化平台

近年来, 自组装纳米结构因为其容易制备、稳定、环保以及与各种功能基团、粒子等的多样结合能力吸引了科学家们的目光, 成为人们研究的热点课题, 在光电池、光催化、水凝胶、药物缓释等方面的实验科学领域得到了广泛的应用. 尤其是光催化方面, 自组装结构的重复性为激子的传递创造了比较良好的条件, 成为众多激子传递平台中的佼佼者. 本文报道了一种以苯丙氨酸二肽纳米管和羧基石墨烯为基础的自组装光吸收催化平台, 对其结构进行研究, 并使用该体系进行了烟酰胺腺嘌呤二核苷酸到它的还原态的催化实验. 该体系的微观结构由纳米管和石墨烯膜复合而成, 羧基石墨烯的存在能够降低纳米管直径, 实现纳米管的形态操控, 石墨烯与多肽纳米管复合纳米结构的存在实现了多通道协同激子传递, 降低了激子传递的距离, 极大增强了催化中心对于激子的接受和使用效率. 在复合了光敏剂和催化中心之后, 该体系具有较高的稳定性, 均一的分散性, 很强的光能吸收和转化能力等性质. 对于从NADP⁺往NADPH转变的催化实验表明, 该体系有较高的反应速率和催化效率, 并且比两种单一结构催化平台效果之和更好, 实现了一加一大于二的效应, 展现了复合纳米结构光吸收催化平台的巨大潜力和广阔应用前景.     

基于探针光调制的皮秒分辨X-ray探测方法与实验

高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量, 然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题. 传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限制, 难以突破40 ps时间分辨极限. 本文围绕半导体中光学探针光的全光调制效应, 提出一种以低温GaAs材料为基础, 实现皮秒时间分辨X-ray探测的新方法, 详细阐述了该探测器的工作机理、器件参数设计和时间分辨能力. 通过飞秒激光打靶实验, 验证了其概念设计的正确性. 结果表明该探测器具有约1.5 ps时间响应和10 ps时间分辨能力, 通过材料优化可将时间分辨提升 至1 ps以内.     

认知无线电网络中利用FEC和DE的多节点频谱感知算法

针对认知无线电网络(CRN)中空闲频谱感知困难的问题,本文提出了基于前向纠错和差分进化算法的多节点频谱感知算法。首先,利用基于差分进化算法的协同检测完成信号感知;然后,研究了信道噪声对频谱感知性能的影响;最后,分析了前向纠错技术在信道存在噪声时对频谱感知性能的影响。仿真实验将纠错和无纠错控制信道的不同信噪比作为依据,采用三种不同的检测方法评估了本文算法。仿真实验结果表明,在存在噪声的认知无线电网络中,本文算法提高了系统的性能和检测概率,且协同感知算法的性能随着节点数目的增加而提高,该算法适合应用于实时性要求较高的应用程序。     

物联网环境下的差异网络数据库异常数据检测

当前的物联网环境下,各个智能网络的数据库的使用没有统一标准,不同生产商的数据库中的异常数据标准也不同,这就使得传统的以模式识别为基础的网络数据库异常检测方法在进行异常阀值设置时,无法形成统一标准,数据库数据量庞大且存在无序性,无法保证检测的准确性和检测效率。提出基于混沌特征分析算法的物联网环境下的差异网络数据库异常数据检测方法。依据混沌特征分析相关理论构建物联网环境下的差异网络数据库模型,构建一种异常数据的偏差函数,对不同数据库下的异常数据进行偏差统计,通过对偏差函数的统计结果进行最小值求解,根据求解描述最小化的阀值请求,实现物联网环境下的差异网络数据库异常数据的检测。实验结果表明,利用改进算法进行异常数据检测,能够提高检测的有效性与准确性。     

Light‐induced degradation of PECVD aluminium oxide passivated silicon solar cells

Light‐induced degradation (LID) has been identified to be a critical issue for solar cells processed on boron‐doped silicon substrates. Typically, Czochralski‐grown silicon (Cz‐Si) has been reported to suffer from stronger LID than block‐cast multicrystalline silicon (mc‐Si) due to higher oxygen concentrations. This work investigates LID under conditions practically relevant under module operation on different cell types. It is shown that aluminium oxide (AlOx) passivated mc‐Si solar cells degrade more than a reference aluminium back surface field mc‐Si cell and, remarkably, an AlOx passivated Cz‐Si solar cell. The defect which is activated by illumination is shown to be doubtful a sole bulk effect while the AlOx passivation might play a certain role. This work may contribute to a re‐evaluation of the suitability of boron‐doped Cz‐ and mc‐Si for solar cells with very high efficiencies. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

Electroluminescence enhancement in ultraviolet organic light‐emitting diode with graded hole‐injection and ‐transporting structure

Electroluminescent intensity and external quantum efficiency (EQE) in ultraviolet organic light‐emitting diodes (UV OLEDs) have been remarkably enhanced by using a graded hole‐injection and ‐transporting (HIT) structure of MoO₃/N,N ′‐bis(naphthalen‐1‐yl)‐N,N ′‐bis(phenyl)‐benzidine/MoO₃/4,4′‐bis(carbazol‐9‐yl)biphenyl (CBP). The graded‐HIT based UV OLED shows superior short‐wavelength emis‐ sion with spectral peak of ～410 nm, maximum electroluminescent intensity of 2.2 mW/cm² at 215 mA/cm² and an EQE of 0.72% at 5.5 mA/cm². Impedance spectroscopy is employed to clarify the enhanced hole‐injection and ‐transporting capacity of the graded‐HIT structure. Our results provide a simple and effective approach for constructing efficient UV OLEDs. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

Use of graphene for forming Al-based p-type reflectors for near ultraviolet InGaN/AlGaN-based light-emitting diode

We demonstrated the improved performance of near UV (365 nm) InGaN/AlGaN-based LEDs using highly reflective Al-based p-type reflectors with graphene sheets as a diffusion barrier. The use of graphene sheets did not degrade the reflectance of ITO/Al contacts, viz. ∼81% at 365 nm. The ITO/graphene/Al contacts annealed at 300 °C exhibited better ohmic behavior with a specific contact resistance of 1.5 × 10⁻³ Ωcm² than the ITO/Al contact (with 9.5 × 10⁻³ Ωcm²). Near UV LEDs fabricated with the ITO/graphene/Al contact annealed at 300 °C showed a 7.2% higher light output (at 0.1 W) than LEDs with the ITO/Al reflector annealed at 300 °C. The SIMS results exhibited that, unlike the ITO/graphene/Al, the ITO/Al contacts undergo a significant indiffusion of Al atoms toward the GaN after annealing. Furthermore, both Ga and Mg atoms were also more extensively outdiffused in the ITO/Al contacts after annealing. On the basis of the SIMS and electrical results, the possible explanations for the annealing-induced degradation of the ITO/Al contacts are described and discussed.     

基于菌紫质F态的永久光存储研究

在线偏振飞秒激光激发下, 菌紫质通过双光子光化学反应可以生成具有永久光致各向异性的蓝移产物F₅₄₀态. 基于F₅₄₀态的永久光致各向异性, 通过调控飞秒激光空间光场分布, 可以在菌紫质薄膜中实现永久光信息存储. 本文使用纯相位型空间光调制器调制飞秒激光光场, 在物镜焦平面上生成光学点阵图案, 可以将信息快速记录在菌紫质薄膜中. 同时, 通过改变入射激光偏振方向, 可以实现偏振复用光存储, 这在高密度光存储和数据加密领域具有潜在应用.     

光谱成像技术在海上目标探测识别中的应用探讨

光谱成像可同时获得光谱和空间信息,这使得光谱成像技术在解决复杂海洋环境背景下目标探测与识别时表现出独特的优势,已成为光电目标检测领域的一个前沿研究方向。对光谱成像技术的原理、特点进行了讨论并重点列举了该技术在探测领域的应用;介绍了光谱成像技术在海上目标探测识别中的研究进展,并对光谱成像技术在该领域的应用价值进行了探讨。