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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 相似文献
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B. Hannoyer A. A. M. Prince M. Jean R. S. Liu G. X. Wang 《Hyperfine Interactions》2006,167(1-3):767-772
Crystalline LiFePO4 has been synthesized using solid-state, spray pyrolysis, and wet chemical methods. The crystal parameters were obtained from Rietveld’s refinement methods of the X-ray diffraction patterns. A detailed investigation of the Fe valency carried out using Mössbauer spectroscopy at room temperature indicates that Fe is predominantly present in its bivalent state. 相似文献
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在氩气/空气的混合气体近大气压介质阻挡放电中,首次观察到点状与线状放电共存的放电现象, 测量比较了点状与线状放电的谱线频移和振动温度。谱线频移的测量利用的是氩原子ArⅠ(2P2→1S5)的发射谱线,振动温度的测量利用的是氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πg) 的发射谱线。结果表明:点放电中的ArⅠ(2P2→1S5)谱线的频移大于线放电谱线的频移,表明前者电子密度较高;而点放电振动温度低于线放电的振动温度。 相似文献
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常压介质阻挡放电由于其具有均匀、散漫、稳定,而且不需要真空系统等优点,正日益受到人们的重视和研究。文章给出了常压介质阻挡放电的研究进展,包括实验装置、实验条件、放电机理以及最新的诊断方法,还介绍它在材料表面改性、环境工程、食品加工等方面的应用前景。 相似文献
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A DC glow discharge produced in N2 gas can generate several species that are important in different applications, such as the modification of surface properties of materials. A low-pressure glow discharge apparatus was used for the the analysis of the Ar–N2 mixture at a total pressure of 2.0 Torr, a power of 20 W and 40 l/min flow rate of gases. The emission bands were measured in the wavelength range of 200–1100 nm. The principal elements are N2, N 2+ and Ar I. The electron temperature was found in the range of 1.72–2.08 eV, and the ion density was in the order of 1010 cm?3. 相似文献
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The widespread use of gas discharge tubes (GDTs) and avalanche diodes for transient voltage suppression (TVS) in many cases results in their exposure to ionizing radiation. The aim of this paper is to investigate the influence of irradiation on these TVS devices’ characteristics, by exposing them to a combined neutron/gamma radiation field. Experimental results show that irradiation of TVS diodes causes a lasting degradation of their protective characteristics. On the other hand, GDTs exhibit a temporary change of performance. The observed effects are presented with the accompanying theoretical interpretations, based on the interaction of radiation with materials constituting the investigated devices. 相似文献
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