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文章探讨了实验室建筑构件隔声测量中填隙墙传声影响的检验与修正方法。通过实验分析,给出了三种可用于不同隔声量构件的门、窗和玻璃试件隔声测量的填隙墙构造方式。 相似文献
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基于长周期光纤光栅的模式耦合机理,提出一种快速模拟长周期光纤光栅折射率特性的方法。该方法在计算包层模式的有效折射率时分开计算,在环境折射率小于包层折射率时采用二分法和分步搜索法结合计算包层模式的有效折射率,在环境折射率大于包层折射率时采用Nelder-Mead加分步搜索法求解包层模式的有效折射率。在应用谐振波长的决定式求解与环境折射率的匹配的谐振波长时,采用变区间应用二分法求解而不是传统的逐步搜索法求解谐振波长。数值结果与实验结果做了对比,两者基本一致。实践证明,该方法方便快捷,比一般的方法速度提高7倍以上。 相似文献
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X. Wang L. X. You X. M. Xie C. T. Lin M. H. Jiang 《Journal of Raman spectroscopy : JRS》2012,43(7):949-953
Exfoliated Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi‐2212) single crystals were prepared by micromechanical cleavage of bulk Bi‐2212 single crystals on SiO2/Si substrates. Room temperature micro‐Raman spectra were collected using a 532‐nm laser source. The evolutions of the spectra of A1g (Bi), A1g (Sr), and A1g (OBi) Raman modes with different thicknesses of the samples were studied. The refractive index of Bi‐2212 single crystal was obtained by studying the intensity evolutions based on the interference effect. The observed wavenumber shifts of the A1g (Bi), A1g (Sr), and A1g (OBi) modes were analyzed. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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G. K. Singh A. P. Singh V. K. Sharma A. Kapoor K. N. Tripathi 《Optics & Laser Technology》2002,34(3):219-223
A general expression for the change in extraordinary refractive index of the annealed proton exchanged LiNbO3 waveguide has been deduced. The expression deduced explains the experimental results of decrease in change of extraordinary refractive index with annealing. The effect of annealing time has also been incorporated following Cao's model (Cao, Ramaswamy, Srivastava, J. Lightwave Technol. 10 (1992) 1302–1313). The concentration profile of protons in the annealed waveguide has been deduced theoretically, which is consistent with the previous results. The spontaneous polarization has been considered as the central mechanism for change in extraordinary refractive index due to proton exchange with annealing. 相似文献
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We studied the growth mode and electronic properties of ultra-thin silver films deposited on Ni(1 1 1) surface by means of scanning tunnelling microscopy (STM) and angle resolved photoemission spectroscopy (ARPES). The formation of the 4d-quantum well states (QWS) was analysed within the phase accumulation model (PAM). The electronic structure of the 1 ML film is consistent with the silver layer which very weakly interacts with the supporting surface. The line-shape analysis of Ag-4dxz,yz QWS spectrum support the notion of strong localization of these states within the silver layer. The asymmetry of the photoemission peaks implies that the decay of the photo-hole appears to be influenced by the dynamics of the electrons in the supporting surface. 相似文献
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高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。 相似文献
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