全氟和多氟化合物环境问题研究

全氟和多氟化合物（PFASs）是一类具有重要应用价值的含氟有机化合物,许多全氟和多氟化合物难以光解、水解和被生物降解,因此具有环境持久性,并可沿食物链累积放大。2009年5月9日,全氟辛烷磺酸（PFOS）及其盐和全氟辛烷磺酰氟被正式列入持久性有机污染物（POPs）名单,由此全氟和多氟化合物成为近年最受关注的新型污染物,其环境问题研究进入到了新的广度和深度。本文将就其分析方法、环境存在、生物累积放大效应、人体暴露和健康效应、新型全氟和多氟化合物等方面的研究,特别是2009年PFOS等被纳入POPs公约以来取得的研究新进展,进行较为全面的综述,并在此基础上对有关发展趋势进行展望。     

分析化学实验教学中的导课方法与实践

以分析化学实验为例,介绍了分析化学实验教学中的几种导课方法,包括再现性导课、核心导课、巡回导课、总结回顾导课和机变导课。这些方法的运用具有简便快速地突出教学重点、破解教学难点、把“讲”师转变为“导”师、使学生成为实验课主体的优点,全面提高了实验教学质量。     

化学与刑侦

化学原理在侦破工作中应用的重要性日益突出,以化学为基础的侦破技术在近年来得到了迅速发展,成为打击犯罪、维护治安的重要手段。本文介绍了几种重要的分析方法在刑侦工作中的重要应用。     

多环麝香(PCMs)的环境行为及毒性效应

多环麝香(PCMs)作为重要的人工合成麝香广泛应用于日用品中,目前在各种环境介质中都能检测到PCMs的存在。由于其持续不断地进入环境并能够在生物体内积累,其效应类似于持久性污染物。作为一类新型污染物,PCMs所引起的环境问题受到了广泛重视。本文介绍了PCMs的物理化学性质、来源以及在不同环境介质中的分析方法和污染现状,概述了其在环境中的降解转化、生物富集行为,并总结了其能产生的急性毒性效应、亚慢性毒性效应、内分泌干扰效应和其他潜在的毒性效应,最后讨论了目前研究中存在的问题,并对未来研究进行了展望。今后,应该建立有效的、可比对的标准分析方法,更加系统地进行环境污染现状、迁移转化规律和生物降解代谢途径的研究;重视暴露途径和生物有效性的研究,并与风险评价结合;结合环境中PCMs的污染现状,探讨低剂量长期暴露和复合暴露对生物的影响。     

阀切换-离子色谱法测定分析纯硫酸钠中痕量氯离子

建立了阀切换-离子色谱法测定分析纯硫酸钠固体中痕量氯离子含量的方法。ICS-2100离子色谱系统,配置十通阀,用IonPac AS18色谱柱将硫酸钠固体样品中的氯离子和硫酸根离子预分离后,以IonPac TAC-ULP1为富集柱,将氯离子富集后在相同的IonPac AS18色谱柱上进行定量分析。同时以淋洗液发生器产生的不同浓度的KOH作为淋洗液,以抑制型电导检测器测定氯离子的含量。结果表明,阀切换-离子色谱法测定分析纯硫酸钠固体中的痕量氯离子,检出限为10 μg/L,线性相关系数(r2)大于0.999,实际样品的加标回收率为98.0%～103.0%,具有分离度和灵敏度高,选择性好,操作简单等特点。该方法能够准确测定硫酸钠固体中痕量氯离子的含量,适用于高纯化学试剂中痕量氯离子的分离测定。     

一种用于中药纯化过程的近红外光谱分析新方法

针对中药大孔吸附树脂纯化过程缺乏在线检测分析手段等问题，提出基于光纤 近红外透射光谱的过程分析新方法．以黄连提取物为例，采用HPLC分析测定值作参 比，用偏最小二乘算法建立了近红外透射光谱校正模型，并成功地用于预测黄连生 物碱在大孔树脂纯化过程中的洗脱曲线．本方法实时、快速，可同时测定洗脱物中 盐酸小檗碱、盐酸巴马亭、盐酸药相碱和黄连总生物碱的浓度．预测精度满足工业 过程分析要求，为提高中药质量分析水平提供了新的途径．     

THE N-NITROSAMINES IN TOBACCO SMOKE AND ITS ADSORPTION AND DEGRADATION

N-nitrosamines are strong carcinogens for humans. This paper gives an overview of the nitrosmaines in cigarette smoke including the formation, the harmfulness, the analytical methods of the nitrosmaines and the adsorptions and degradations of N -nitrosamines.     

硒的分析方法及进展

就国内近年来对于中草药、食品、血清等样品中硒元素的分析方法研究进展进行了综述,主要有原子吸收法、等离子体发射光谱法,荧光法、分光光度法和电化学方法。     

金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响

为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。