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51.
介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。  相似文献   
52.
Clifford分析中无界域上正则函数的边值问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
在引入修正Cauchy核的基础上,讨论了无界域上正则函数的带共轭值的边值问题:a(t)Φ (t) b(t)Φ (t) c(t)Φ-(t) d(t)Φ=g(t).首先给出了无界域上正则函数的Plemelj公式,然后利用积分方程方法和压缩不动点原理证明了问题解的存在唯一性.  相似文献   
53.
Acetophenone oxime and benzaldehyde oxime were converted to oxime ethers in the presence of alkyl halide or methyl sulfate and KOH in aqueous DMSO in 5 to 70 min. The yields of oxime ethers were 70-96%.  相似文献   
54.
可变抽样区间的非参数控制图   总被引:1,自引:1,他引:0  
最近几年一些学者研究了可变抽样区间的质量控制图。Amin等提出了可变抽样区间(VSI)的非参数控制图———符号 (Sign)统计量图〔1〕。本文在此基础上研究位置VSI符号控制图的制定方法 ,并设计离散VSI符号控制图。符号控制图的优点是对非正态总体亦可应用 ,并且不需要过程方差的信息。本文将所设计的VSI符号控制图同固定抽样区间 (FSI)的常规图作比较 ,并举实例说明符号控制图的应用  相似文献   
55.
李斌  曾菱 《光学学报》2002,22(11):291-1295
对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明:提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度,退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移,而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。  相似文献   
56.
该文研究Banach空间中一类强增生型变分包含解的存在性及其具误差的Ishikawa迭代程序的收敛性问题.该文结果是几位作者早期与最近的相应结果的改进和推广.  相似文献   
57.
Au-Au2S复合纳米球壳微粒的空腔谐振及参量讨论   总被引:2,自引:0,他引:2  
宋岩  席聪  陈光德  刁佳杰  景轩 《光学学报》2002,22(11):392-1395
Au-Au2S复合纳米球壳微粒(金纳米球壳),是一种新型复合结构的纳米微粒,其结构为纳米级的Au2S介质球外包裹了一层几个纳米厚的黄金球壳。这种复合纳米球壳微粒可以被抽象为球型谐振腔。报道了它的空腔谐振吸收的实验结果,并且运用经典理论结合介观结构特征,讨论了有关Au-Au2S复合纳米球壳微粒空腔谐振吸收的一些重要参量,其中包括谐振吸收波长、品质因数、谐振能量等。另外,还讨论了金球壳的厚度对这些重要参量的影响。  相似文献   
58.
左Clifford半群的特征与结构   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
作为Clifford半群的推广,本文定义了左Clifford半群,给出了它的许多特征,建立了它的半格分解结构和ξ直积结构。还讨论了两类特殊情形。  相似文献   
59.
唐梓洲 《数学学报》1989,32(4):439-447
设η为 Lens 空间 L~n(p)上的典则复线丛,σ=η-1∈(?)(L~n(p))本文完全求出了元素 σ~i∈(?)(L~n(p))及(rσ)~i∈(?)(L~n(p))的阶.然后,我们把 k 理论中的 r~i 运算应用到 Lens 空间到欧氏空间的浸入和嵌入问题上,得出了新的结果.  相似文献   
60.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。  相似文献   
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