全文获取类型
收费全文 | 9920篇 |
免费 | 2262篇 |
国内免费 | 1752篇 |
专业分类
化学 | 5955篇 |
晶体学 | 547篇 |
力学 | 1052篇 |
综合类 | 92篇 |
数学 | 246篇 |
物理学 | 6042篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 45篇 |
2022年 | 181篇 |
2021年 | 205篇 |
2020年 | 234篇 |
2019年 | 211篇 |
2018年 | 230篇 |
2017年 | 335篇 |
2016年 | 445篇 |
2015年 | 394篇 |
2014年 | 480篇 |
2013年 | 814篇 |
2012年 | 726篇 |
2011年 | 826篇 |
2010年 | 711篇 |
2009年 | 802篇 |
2008年 | 735篇 |
2007年 | 817篇 |
2006年 | 830篇 |
2005年 | 662篇 |
2004年 | 620篇 |
2003年 | 494篇 |
2002年 | 458篇 |
2001年 | 354篇 |
2000年 | 358篇 |
1999年 | 299篇 |
1998年 | 266篇 |
1997年 | 259篇 |
1996年 | 205篇 |
1995年 | 189篇 |
1994年 | 160篇 |
1993年 | 108篇 |
1992年 | 127篇 |
1991年 | 84篇 |
1990年 | 74篇 |
1989年 | 38篇 |
1988年 | 38篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 2篇 |
1975年 | 2篇 |
1970年 | 1篇 |
1957年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
971.
利用XRD技术测试了镀锌钝化膜结合界面的残余应力,同时通过电解抛光法检测了其厚度方向残余应力的分布规律,分析了残余应力对镀锌钝化膜结合强度的影响. 试验结果表明,镀锌钝化膜的残余应力均表现为压应力,并随着基体表面残余应力的增大而减小;钝化膜在2—10μm厚度方向的残应力为-274.5—-428.3MPa,其应力为梯度分布;镀锌钝化膜与基体的界面结合强度与其残余应力成反比,减小薄膜残余应力,有利于提高镀锌钝化膜与基体的结合强度.
关键词:
X射线衍射法(XRD)
镀锌钝化膜
结合强度
残余应力 相似文献
972.
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at% Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
关键词:
相变存储器
硫系化合物
2Te3薄膜')" href="#">Si掺杂Sb2Te3薄膜
SET/RESET转变 相似文献
973.
分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2 μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2关键词:
择优取向
Cu(In
2薄膜')" href="#">Ga)Se2薄膜
太阳电池 相似文献
974.
975.
用电子束蒸发沉积方法在X切LBO(X-LBO)晶体上镀制了两种不同膜系结构的1 064和532 nm倍频增透膜,其中一种膜系结构为基底/ZrO2/Y2O3/Al2O3/SiO2/空气,另一种为基底/0.5Al2O3/ZrO2/Y2O3/Al2O3/SiO2/空气,两种膜系结构的主要差别在于有无氧化铝过渡层。测量了薄膜的反射率光谱曲线,发现两种增透膜在1 064和532 nm处的反射率均小于0.5%,实际镀制结果与理论设计曲线的差异主要是由材料折射率的变化引起的。且对样品在空气环境中进行了温度为473 K的退火处理,结果发现两种膜系结构均表现了较优异的光学性能,氧化铝过渡层的加入使薄膜具有强的热应力性能。 相似文献
976.
设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置。利用该装置,对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验,并对镀膜实验结果进行分析,得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数。样品测试结果表明:在压强为80~90 Pa、基体温度为160~180 ℃的镀膜参数下,不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳,薄膜沉积速率为0.145 nm/s。镀膜后真空室的二次电子产额明显降低。 相似文献
977.
978.
以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同. 系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴. 相似文献
979.
给出了3ω法测试系统中描述薄膜表面加热/测温膜中温度波动的级数形式解,并将复数温度波动的实部和虚部分开表示.利用该解分析了交流加热频率、加热膜宽度和材料热物性的组合参数对加热膜温度波动幅度的影响.并根据此解对测量原理的数学模型进行了修正,建立了相应的3ω测试系统,首先测定了厚度为500 nm SiO2薄膜的导热系数,验证了实验系统的合理性.加大了测试频率,利用级数模型在高频段直接得到SiO2薄膜的导热系数,结合低频段的数据同时确定了Si基体的导热系数.利用级数解分析测试了激光晶体Nd:YAG〈111〉面上多层ZrO2/SiO2增透膜的导热系数,测试的ZrO2薄膜的导热系数比体材料小.进行了不确定度分析.结果表明,提出的分析方法可以有效研究微器件表面薄膜结构的导热性能.
关键词:
ω法')" href="#">3ω法
微/纳米薄膜
导热系数
微尺度加热膜 相似文献
980.
采用离子注入与反应磁控溅射相结合的方法在钛合金及硅片基体表面上制备了纳米TiC类金刚石(DLC)复合膜.通过纳米压痕技术检测了薄膜的纳米硬度,显微划痕试验评估了薄膜的结合力.通过X射线光电子能谱及X射线衍射表征了薄膜的化学结构.结果表明,通过改变C2H2气体流量,可以达到控制薄膜中钛原子含量的目的,合适的C2H2气体流量可以在DLC膜中形成较多的纳米TiC晶粒,形成DLC包覆TiC晶粒的复合结构,使DLC膜力学性能得到明显提高.另外,划痕试验表明掺钛、先注入后沉积工艺都使薄膜的结合力得到了较大提高.
关键词:
纳米TiC类金刚石复合膜
类金刚石膜
力学性能 相似文献