圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。     

锑(Ⅲ)-2-(3,5-二溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙胺基酚-溴代十六烷基三甲胺的络合物吸附波

在pH5.3的HAc－NaAc、2－（3，5－二溴－2－吡啶偶氮）－5－二乙氨基酚（3，5－Br2－PADAP）、溴代十六烷基三甲铵（CTMAB）溶液中，用线性扫描示波极谱法可得到锑（Ⅲ）的络合物吸附波。峰电位为－0.70V（vs．SCE）。二阶导数档峰高与Sb（Ⅲ）浓度在3．3X10-8～2．5X10－6mol／L范围内呈线性关系。检出限为8．2X10-9mol／L。用多种电化学方法研究了极谱波的性质及电极反应机理。络合物组成为Sb（Ⅲ）：3，5－Br2－PADAP＝1∶2。加入CTMAB可消除试剂峰且提高灵敏度。试验了30多种离子对峰电流的影响，用流基棉分离干扰离子。方法已用于矿样中锑的测定。     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well

The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.     

Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．