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271.
为了说明原子光刻(Atom Lithography)在纳米计量及传递作用中的特殊地位,首先对纳米计量标准及其现状进行了简要介绍,提出纳米计量中原子光刻的基本概念和优势,结合原子光刻实验装置对原子光刻技术的工作机理进行了分析。结果表明,可以通过原子光刻技术得到纳米量级刻印条纹,为纳米计量及标准传递提供更加精确的手段。最后对常见的2种原子光刻技术——沉积型原子光刻和虚狭缝型原子光刻进行了阐述,指出2者的不同之处,为不同条件下原子光刻提供了一定的借鉴。 相似文献
272.
以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq3)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq2)研究还有待发展。介绍了两种以Znq2为基体的新型有机电致发光材料Znq2(H2O)2和(Znq2)4的合成方法。用IR、XRD、TG、DTA和荧光测试方法进行表征与分析表明:Znq2(H2O)2和(Znq2)4的玻璃化温度(Tg)分别为104.2℃和204.9℃;在161℃下Znq2(H2O)2脱去水分子成为Znq2,在361℃高温下四聚体(Znq2)4裂解为单体Znq2;Znq2(H2O)2和(Znq2)4具有很好的发光性能,在光致发光谱中λmax分别是505,550nm。 相似文献
273.
274.
采用溶胶-凝胶法在较低温度下合成了红色发光材料Ca0.8Zn0.2TiO3:0.002Pr3 ,xGd3 .金属离子预先溶解含有柠檬酸的乙二醇溶液中.XRD表明在800℃灼烧2h形成了钛酸盐的晶体.荧光检测结果表明所合成样品的特征激发峰为330nm、特征发射峰为614nm,分别对应于O(2p)→Ti(3d)带间跃迁和Pr3 的1D2→3H4的特征发射.样品的发光强度随x的不同而不同,发光强度增强了29%-69%.当x=0.0005时,即nPr3 :nGd3 =4∶1时样品的红色发光强度最强,发光强度增强了69%. 相似文献
275.
本文对二种新合成的2,3-二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ)和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究,发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移,而在配合物Ⅱ中2,3-二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化,说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。 相似文献
276.
利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U(2l+1)→O(2l+2)过渡区的能谱和波函数的严格解. 给出了该系统Bethe假定方程的数值解法. 相似文献
277.
研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性(MFS),发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同,充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。 相似文献
278.
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键
关键词:
溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性 相似文献
279.
280.
西咪替丁的应用进展 总被引:2,自引:0,他引:2
劳英 《宁波大学学报(理工版)》2002,15(2):89-92
综述了近年来国内外报道的H2受体抗拮剂-西咪替丁应用于除治疗消化性溃疡以外的其他疾病的进展情况,以其为临床用药提供参考。 相似文献