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981.
982.
运用ANSYS软件建立了有限元模型,对化学气相沉积在硅基体上的金刚石膜内部和膜/基交界面处的各热残余应力分量的分布作了计算与分析.所建模型与已有的一维解析模型都能得出厚度截面上的法向应力分量的分布,且吻合较好,而前者的优点在于它还能模拟切向应力和剪应力等其它应力分量,这对分析膜/基界面的粘附与失效是至关重要的. 相似文献
983.
984.
985.
烷基苯基五元杂环基锡化合物的^13C—NMR研究 总被引:2,自引:2,他引:0
本文测定了18个含有各种烷基、苯基、烯丙基、五元杂环及其它极性基团的有机锡化合物的~(13)C—NMR谱。对全部谱线进行了归属。讨论了烷基锡、苯基锡中Sn—C键的性质和极性取代基对C—1δ值的影响。考察了各类C-Sn偶合常数大小顺序,以及~1J_(C-)~(119)Sn与~1J_(C-)~(117)Sn的关系。 相似文献
986.
微透镜制作中光刻胶与衬底匹配行为的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用光刻/离子束刻蚀制作大面阵硅微透镜阵列,采用SEM和表面探针测试等手段分析所制样品的形貌特点,定性讨论制备工艺的不同对所制器件的影响.所用工艺为大面阵微尖阵列和微合阵列的离子束刻蚀制作奠定了基础. 相似文献
987.
Partial averaging for impulsive differential equations with supremum is justified. The proposed averaging schemes allow one to simplify considerably the equations considered. 相似文献
988.
Employing Si 2p and O 1s photoemission spectroscopy using monochromated synchrotron radiation and the supersonic molecular beam technique, we have performed real time in situ observations of oxidation states on Si(0 0 1)-2×1 at room temperature. High-resolution Si 2p photoemission spectra, which unambiguously resolve oxide components [Si1+, Si2+, Si3+ and Si4+], were successfully measured requiring only 43 s per spectrum. We found that the Si4+ species gradually increases to reach the oxide thickness of 0.57 nm just after the saturation of Si1+, Si2+ and Si3+ species with a translational energy of 2.9 eV. 相似文献
989.
C. Dauwe 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1981,24(3):279-285
The method of triple coincidence is optimized for the detection of the orthopositronium decay. Two positron sources 86-Ge
and 22-Na, are compared. The influence of sandwich thickness is described and a method for the correction for those effects
is given.
This work is supported by the International Atomic Energy Agency, Vienna, through research contract 2516/R.B. 相似文献
990.