STM/STS study on nondispersive checkerboard superstructure in superconducting Bi2212 and La-Bi2201

We performed STM/STS measurements on superconducting Bi2212 and La-Bi2201 in order to study the nondispersive two-dimensional (2D) electronic superstructure, namely the so-called checkerboard. The nondispersive checkerboard clearly appears within the pairing gap in both systems, although the period is different between Bi2212 (∼4a×4a) and La-Bi2201 (∼5a×5a). We point out that the nondispersive checkerboard originates in hole-pairs and/or quasiparticles around the antinodes of the d-wave gap, and interrelates with the spatially inhomogeneous pairing gap.     

硅铝酸钠溶液中27Al和29Si的核磁共振研究

本文采用原位核磁共振方法检测不同碱度硅铝酸钠溶液中²⁷Al的信号, 在比较了文献实验结果的基础上, 明确了体系中的不同铝物种的化学位移, 进一步提出了硅铝酸钠溶液中的硅铝物种的归属.     

Si82笼状分子的第一性原理研究

本文构建了Si82笼状分子的具有C2v对称性的初始原子结构模型.采用基于密度泛函的第一性原理方法对其结构进行优化计算.研究发现:经过结构驰豫,Si82分子对称性从C2v下降为Cs,部分硅原子从顶点位置向内凹陷,导致键长和键角均发生变化.对Si82笼状分子的稳定性、轨道分布和电荷分布等性质进行了分析和讨论.     

绒面ZnO/Si异质结太阳能电池的初步研究

以p型单晶硅<100>作为衬底材料,通过化学腐蚀法得到硅绒面表面结构,采用喷雾热解法沉积掺Al的ZnO薄膜于绒面硅上,结合微电子光刻、磁控溅射和真空蒸镀等工艺制作上、下表面电极,于400 ℃氮气氛围下快速退火合金,得到Ag/Ti/n-ZnO/p-Si/Al异质结太阳能电池.对电池样品进行了原子力显微镜、霍尔效应测试、X射线衍射谱、电流电压特性等分析.得到电池最佳性能为:开路电压V_(oc)=355 mV,短路电流I_(sc)=36 mA,填充因子FF=0.41,电池效率达到5.2;.绒面异质结构有效降低了电池表面的光反射,相对增加了p-n结的有效面积,电池效率得到一定程度的提高.ZnO与Si界面之间SiO_2层的存在是目前影响电池效率的主要因素.     

加氢单壁硅纳米管的热稳定性与拉伸力学特性

采用Tersoff势的分子动力学方法,研究外部加氢及内/外加氢单壁硅纳米管的热稳定性与拉伸力学特性,进而将两种单壁硅管与(14,14)碳纳米管的拉伸特性进行对比.研究结果表明:①外部加氢和内/外加氢单壁硅管的"骨架"结构近似于单晶硅的{110}晶面,两种硅管分别只能在低于150 K和75 K的温度下稳定存在;②外部加氢以及内/外加氢硅管硅的抗拉强度分别为4.0和1.2 GPa,断裂应变(抗拉强度对应的应变)分别为35%和32%,均远小于(14,14)碳管的抗拉强度和断裂应变.     

四甲基二硅桥联茚基环戊二烯基四羰基二铁的合成、结构及热重排反应

ClMe₂SiSiMe₂Cl顺序与茚基锂和环戊二烯基锂作用,生成(1-C₉H₇)Me₂SiSiMe₂C₅H₅.后者进一步与五羰基铁反应,得到硅硅桥联茚基环戊二烯基化合物[η⁵,η⁵-(1-C₉H₆)Me₂SiSiMe₂C₅H₄]Fe₂(CO)₄ (2).化合物2在加热条件下发生重排反应,给出硅硅键和铁铁键复分解产物([-)Me₂Si(η⁵-1-C₉H₆)Fe(CO)₂SiMe2(η⁵-C₅H₄)Fe(CO)₂(]-) (3).利用X射线衍射法,测定了2和3的分子结构.     

Phase Transformations in Alkaline and Acid Leached Y Zeolites Dealuminated by Steaming

The steaming of zeolite Y (here at 873 K for 7 hours) leads to the formation of an amorphous aluminium aluminosilicate in addition to the dealuminated zeolite (DAY). An alkaline treatment of DAY causes the transformation of the non‐framework phase into an alkali aluminosilicate and the partial desilication of the DAY framework. The alkali aluminosilicate is decomposed by a moderate acid leaching under the formation of silica gel. The ²⁹Si MAS NMR and IR spectra of DAY and its chemically treated modifications are superimposed by the signals of the crystalline zeolite framework and the amorphous non‐framework materials whereas XRD measurements only characterize the current state of the framework.     

缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响

采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜.分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光.     

P和As掺杂Mn4Si7第一性原理计算

采用第一性原理计算方法,对本征Mn₄Si₇以及P和As掺杂的Mn₄Si₇的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn₄Si₇是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料,P掺杂Mn₄Si₇的带隙值增大为0.839 eV,As掺杂Mn₄Si₇的带隙值减小为0.752 eV。掺杂使得Mn₄Si₇的能带结构和态密度向低能方向移动,同时使得介电函数的实数部分在低能区明显增大,虚数部分几乎全部区域增加且8 eV以后趋向于零。此外掺杂还增加了高能区的消光系数、吸收系数、反射系数以及光电导率,明显改善了Mn₄Si₇的光学性质。