硅灰石矿物发光原料中Fe2+的去除与CaSiO3∶Eu3+的光谱特性

提出了用草酸．邻菲哕啉去除硅灰石中Fe^2 的方法，研究了浸取剂的浓度、浸取时间和温度等条件对Fe^2 的去除率的影响，在最佳的浸取条件下，Fe^2 的去除率达到98．35％。在去除猝灭剂后的硅灰石矿物中，掺加适量的稀土激活剂Eu^3 ，通过高温固相法制成荧光发光材料，发光强度明显提高，接近于化学试剂合成的发光材料。     

稀土高分子发光材料研究的新进展

介绍了稀土高分子发光材料的发光机理及其发展历程，对其合成方法以及研究方向进行了综述，着重阐述了掺杂型和键合型稀土高分子发光材料研究的最新进展，并对其发展方向和应用前景作了展望。     

聚酰亚胺光控取向膜的研究现状

用线性偏振紫外光照射聚酰亚胺膜可以诱导液晶取向。本文对四种聚酰亚胺光控取向膜进行了详细的概述，并简述了这种光控取向膜的机理及未来应用。     

三维有序大孔杂化材料SiW11O8-39-SiO2和γ-SiW10O8-36-SiO2的制备与表征

通过溶胶-凝胶和聚苯乙烯模板等方法制备了含缺位Keggin阴离子SiW11O8-39和γ-SiW10O8-36的三维有序大孔杂化氧化硅复合材料, 并通过紫外漫反射光谱(UV/DRS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、固体核磁共振波谱(MAS NMR)等手段对其结构进行了表征. 结果表明, 杂化材料中的Keggin阴离子仍保留其基本骨架结构, 但其与氧化硅基体之间存在化学作用. 杂化材料的孔道结构用扫描和透射电子显微镜(SEM和TEM)进行表征, 其平均孔径为(335±50) nm. 对杂化材料孔壁的微孔性通过氮气吸附进行了测定. 此类材料对水溶液中羟基丁二酸的降解反应具有活性, 光催化过程中未发现Keggin阴离子自载体中脱落的现象.     

四足配体铽配合物-蒙脱土超分子复合发光材料的插层组装、表征和性质研究

用两种方法分别将四足配体铽配合物[TbL（NO3）]^2＋和[TbL]^3＋插层组装到了蒙脱土（MT）层板间，制备出超分子复合发光材料[TbL（NO3）^2＋-MT和[TbL]^3＋-MT。方法一：通过离子交换反应让配离子[TbL（NO3）]^2＋取代钠＋基蒙脱土（Na-MT）中的Na^＋离子，插层组装到蒙脱土层板间。方法二：用配体L与铽基蒙脱土（Tb-MT）反应，使配体插入蒙脱土层板间与Tb^3＋离子配位。用元素分析、XRD，FT-IR,UV-vis和热分析对材料进行了表征，并对其荧光性质进行了研究。结果表明，复合材料保持了蒙脱土良好的层柱结构特征，其层间距d001值与插层配离予的直径吻合较好，配离子以单层形式分布于蒙脱土层板间，复合材料中配合物的热稳定性有明显提高。在紫外光激发下，复合材料发出较强的Tb^3＋特征荧光，其发射光谱与相应配合物的发射光谱很相似；复合材料中配合物的相对荧光强度较相应纯配合物有明显提高。荧光寿命较长；配合物的激发波长向可见光区发生位移，说明插层组装实现了对配合物激发波长的调制作用。     

未来的宇航材料高模量高强度PBT纤维的研究动态

为满足未来高技术航天应用的挑战,开发和生产高模量,高强度的纤维和膜材料已成为先进水平的材料实验室的奋斗目标。由美国空军Wright航天实验室(AFWAL) 在1977年首次推出的聚苯撑苯并二噻唑(PBT)立刻变成首选的开发材料。本文综述了PBT课题的由来,单体的制备,聚合物的合成,以及液晶态千喷湿纺技术的突破,并介绍了PBT材料的结构特征,以及其优异的力学,耐高温热氧老化性能。从而预示可工业化生产的前景。     

中国科学院成都有机化研究所 高分子科学与材料研究发展中心

本中心主要从事功能高分子材料的基础、应用基础和相关产品技术的研究与开发。特别是在生物医用材料、储能／换能材料、智能聚合物等领域取得了一批具有国际水平的研究成果．形成了自己的研究特色和优势。     

La2/3Ca1/3MnO3中的输运机制与CMR效应

研究了超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的磁电特性，发现由电阻测量得到的绝缘体．金属相变与由磁化曲线得到的顺磁-铁磁相变温区完全一致，均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化，在Tc附近产生超大巨磁电阻效应。     

聚合物固体电解质基体的研究进展

综述了聚合物固体电解质基体的设计原理、分类和研究进展，并对今后在聚合物基体设计方面的研究前景作了展望。