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31.
We give a new independent self-dual 3-basis for the trivial variety with two binary operations. Received October 24, 2006; accepted in final form January 25, 2007.  相似文献   
32.
A survey of the contributions of Aldo Cossu in finite geometry is given. Dedicated to the memory of Professor Aldo Cossu  相似文献   
33.
This research investigates the effect of ion implantation dosage level and further thermal treatment on the physical characteristics of chromium coatings on Si(1 1 1) substrates. Chromium films had been exposed to nitrogen ion fluencies of 1 × 1017, 3 × 1017, 6 × 1017 and 10 × 1017 N+ cm−2 with a 15 keV energy level. Obtained samples had been heat treated at 450 °C at a pressure of 2 × 10−2 Torr in an argon atmosphere for 30 h. Atomic force microscopy (AFM) images showed significant increase in surface roughness as a result of nitrogen ion fluence increase. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) studies revealed a clear increased accumulation of Cr2N phase near the surface as a result of higher N+ fluence. XRD patterns showed preferred growth of [0 0 2] and [1 1 1] planes of Cr2N phase as a result of higher ion implantation fluence. These results had been explained based on the nucleation-growth of Cr2N phase and nitrogen atoms diffusion history during the thermal treatment process.  相似文献   
34.
The spectral structure of two parameter unbounded operator pencils of waveguide type is studied. Theorems on discreteness of the spectrum for a fixed parameter are proved. Variational principles for real eigenvalues in some parts of the root zones are established. In the case of n = 1 (quadratic pencils) domains containing the spectrum are described (see Fig. 1–3). Conditions in the definition of the pencils of waveguide type arise naturally from physical problems and each of them has a physical meaning. In particular a connection between the energetic stability condition and a perturbation problem for the coefficients is given.  相似文献   
35.
溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词: 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性  相似文献   
36.
This paper is based on the M. Sc. thesis written by the third author under the supervision of the first two authors. It was submitted to the University of Baghdad in 1986.  相似文献   
37.
An approximation theorem for families of weakly coercive convex functions by means of countably many smooth families of convex functions is proved. As a consequence, the classical “three-fold” lower semicontinuity theorem for integral functionals of the Calculus of Variations by James Serrin is unified in one single statement.  相似文献   
38.
Here we prove that every compact differential manifold has a smooth algebraic model defined over Q. In dimension 2 we find an algebraic model (may be singular) defined over Q and birational over Q to the projective plane.  相似文献   
39.
Kernels over the unit disk for which a version of Carathéodory interpolation is true are characterized in a simple computationally verifiable manner.  相似文献   
40.
In this paper we introduce a certain sum by using Dirichlet characters. We investigate the Riesz mean of the sum using the analytic properties of the MultipleL-function systematically. Eine überarbeitete Fassung ging am 6. 8. 2001 ein  相似文献   
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