ZnSe-ZnS多层量子阱光学双稳态器件

本文报道了以YAG三倍频激光为光源时,在用MBE生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料制成的F—P标准具光双稳器件上观察到的脉冲压缩效应。根据入射脉冲波形和透射脉冲波形得到了该器件的双稳回线。     

高频单线圈双调谐NMR单晶探头的研制

本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH₂CH₂COOH·H₂C₂O₄)屏蔽张量的测量。     

以双量子谱解析胰岛素类似物中氨基酸残基质子自旋体系

氨基酸残基质子自旋体系解析,是以核磁共振方法研究蛋白质等生物大分子结构、功能、运动的基础。二维双量子谱是解析残基质子自旋体系的重要手段。对B链C端去五肽胰岛素及S-磺酸型胰岛素A链,分别在水中及重水中测定其500 MHz相敏双量子谱和300 MHz相敏双量子谱。由双量子谱的直接峰、远程峰、等价峰,解析各类残基质子自旋体系,确认了从COSY谱所作的解析,提供了可供解析的更多信息。     

喇曼型无引导场自由电子激光实验

EPA-74脉冲线加速器二极管改用凹面聚焦阴极产生束流,从有栅网阳极孔引出后,通过磁透镜将束流注进长1.5m,周期长3.45cm的双绕螺旋摇摆器中,摇摆器磁场为1.25kGs时,进入摇摆器均匀区的束流为280A,传输到均匀区末端束流130A。实验得到130dB/m的增长率和辐射输出饱和现象,饱和功率7.6MW,效率5％。由波导色散线和微波量热计分别测得辐射频率为37GHz和辐射能量48mJ。辐射波模为TE_(11)圆波模。     

不确定中立型线性随机时滞系统的鲁棒稳定性

建立了中立型随机微分时滞方程的LaSalle不变原理,然后应用LaSalle不变原理讨论了不确定中立型随机时滞系统的随机渐近稳定和几乎必然指数稳定的代数判据, 同时给出示例说明结果的有效性．     

Effects of Different Plasma Energy Treatments on n-Type Al0.4Ga0.6N Material

El3ctronic properties, surface chemistry and surface morphology of plasma-treated n-Al0.4Ga0.6N material are studied by electrical contact measurements, atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy. Although excessive etching can cause the surface roughness to significantly increase, the nitrogen vacancies VN produced by the excessive etching can be compensated for by the negative effects of the rougher surface. Thus, VN produced by excessive etching plays a key role in Ohmic contact of high-A1 content AIGaN and it can reduce Ohmic contact resistance. The effect of rapid thermal annealing on the performance of n-Al0.4Ga0.6N can significantly reduce the etching damage caused by excessive etching.     

逐步增加的Ⅱ型截尾下系统可靠性的Bayes分析及寿命预测

在逐步增加的型截尾模型下,研究部件寿命服从双参数指数分布的冷贮备串联系统可靠性指标的Bayes估计及单样本场合未来观测值的预测问题.在两个参数均未知的情形下,分别在平方损失(SE)、LINEX损失和熵(General Entropy,GE)损失函数下给出两个参数及可靠性指标的Bayes估计,对于超参数的确定,给出一种新的方法;并讨论了单样本场合未来观测值的预测问题,给出预测分布及预测区间;最后利用随机模拟方法进行比较,并对结果进行了讨论.     

非线性二阶中立型时滞微分方程正解的存在性

考虑非线性二阶中立型微分方程,[a(t)x(t)-∑ from i=1 to m (p_i(t)x(τi(t)))]″-∫from n=a to b (f(t,ξ,x[g(t,ξ)])dσ(ξ))=0,t≥t_0,和相应不等式[a(t)x(t)-∑ from i=1 to m (p_i(t)x(τi(t)))]″-∫from n=a to b (f(t,ξ,x[g(t,ξ)])dσ(ξ))≥0,t≥t_0.存在正解是相互等价的.其中a(t),pi(t)∈C([t0,∞),R+),a(t)>0,τi(t)∈C(R~+,R~+),τi(t)t,limt→∞τi(t)=∞(i=1,2,…,m).g(t,ξ)∈C([t_0,∞)×[a,b],R+).g(t,ξ)是分别关于t和ξ的增函数.g(t,ξ)t,ξ∈[a,b],limt→∞,ξ∈[a,b]g(t,ξ)=∞.f(t,ξ,x)∈C([t_0,∞)×[a,b]×R,R+).当x>0时,xf(t,ξ,x)>0.σ(ξ)∈C([a,b],R),且σ(ξ)非减.     

万变不离其宗——看两道高考题所折射出的新课程理念

杨氏双缝干涉实验是高考物理的重要考查实验之一,在每年全国各省市的试题中均有体现．但是绝大多数学生在学习该知识时只是机械地记住相邻两条亮纹（或暗纹）间的距离公式,而对产生干涉现象的原理和条件不甚了解．2008年四川卷中的“双棱镜干涉”和2005年江苏卷中的“洛埃镜实验”正是以“杨氏双缝干涉实验”为依据,     

Measurement of the KLL Dielectronic Recombination Resonances in He-like to C-like Kr Ions

The KLL dielectronic recombination processes of highly charged He-like to C-like Kr ions have been studied experimentally. The measurement was performed on the newly developed Shanghai electron beam ion trap （Shanghai-EBIT） facility. Characteristic x-rays from both dielectronic recombination and radiative recombination are detected as the electron beam energy is scanned through the resonances. The KLL resonant strengths obtained are 5.41×10^-19, 4.33×10^-19, 3.59×10^-19, 2.05×10^-19 and 0.98×10^-19 cm^2 eV for He-like to C-like Kr ions, respectively.