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101.
Sb/ZSM-5 was obtained by solid-state reaction with the mixture of Sb2O3 and zeolite HZSM-5 under a dry nitrogen flow at 773 K. Characterization of the treated zeolite was undertaken with XRD, 27Al MAS NMR, BET, TGA and FT-IR. The results revealed that part of the antimony oxides migrated into the channels of zeolite, and decreased the Brönsted acid sites in Sb/ZSM-5 remarkably. The other part of antimony oxides together with the amorphous alumino-silicate in the products distributed on the external surface of zeolite ZSM-5 and modified it, while the framework of ZSM-5 in crystal phase was retained. The structure of occluded antimony oxide inside the channels of ZSM-5 was studied by XRD Rietveld method. The result showed that their structure can be described as a chain of non-perfect [Sb5O5(H2O)2]n5n+, which is parallel to the straight channel of ZSM-5. There is about 0.6 [Sb5O5(H2O)2]5+ unit in every cell of the ZSM-5 on an average. 相似文献
103.
The solid diffusion coefficient of lithium-ion in LiCoO2 cathode material has been investigated by the capacity intermittent titration technique (CITT) at different voltages and at different charge/discharge cycles. By SEM, XRD and FTIR techniques, the structure of LiCoO2 was studied before and after charge-discharge cycles, and the relationship between solid diffusion coefficient and crystal structure was further discussed. CITT results show that the value of Li+ solid diffusion coefficient of LiCoO2 is about 10-12 cm2·s-1. During the whole charge-discharge cycles, the Li+ solid diffusion coefficient decreased within the voltage of 4.0~4.3 V, which is attributed to the change of the structure of LiCoO2. 相似文献
104.
105.
微波场中甲烷部分氧化制合成气 Ⅱ.Co/ZrO_2催化剂在微波场中的升温行为及催化活性 总被引:4,自引:0,他引:4
近年来,甲烷部分氧化制合成气(POM)的研究一直十分活跃[1,2].前文报道了用于甲烷部分氧化制合成气的镍基催化剂(Ni/La2O3)在微波场中的升温行为和催化活性[3],发现在达到相同的CH4转化率时,微波活化方式下的催化剂床层温度比常规加热低得多... 相似文献
106.
炭黑填充聚乙烯材料电阻—温度特性研究 总被引:8,自引:1,他引:8
研究了炭黑/聚乙烯导电复合材料的PTC特性及在不同条件下的电阻变化。发现PTC特性与体积膨胀及聚乙烯晶相的熔融有许多一致性。认为材料的体积膨胀及聚乙烯晶相熔融时炭黑颗粒均匀化扩散导致了电阻随温度上升。在较高温度下,炭黑颗粒在分子链段热运动的推动下会发生相对聚集使电阻不断减小,这是材料出现NTC现象的原因。材料总的电阻温度特性是体积膨胀、炭黑向聚乙烯熔融区扩散及相互聚集三个因素共同作用的结果。 相似文献
107.
WOx/TiO2光催化剂的可见光催化活性机理探讨 总被引:6,自引:0,他引:6
采用磁控溅射技术在用浸渍提拉法制得的TiO2薄膜上,溅射氧化钨层,通过气相反应中光催化降解二甲苯的实验表明,WOx/TiO2薄膜具有可见光活性.通过UV-Vis吸收光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对其可见光活性的机理进行探索.UV-Vis吸收光谱表明WOx,TiO2对可见光响应的范围有一定的扩展,吸收强度增加.XPS表明WOx/TiO2薄膜表面形成了明显的W杂质能级和Ti缺陷能级,这是WOx/TiO2在可见光范围有一吸收的主要原因,也是光催化剂具有可见光活性的必要条件之一,同时杂质能级的存在使半导体费米能级上移,载流子增加,光催化效率提高. 相似文献
108.
Norio Tsubokawa Yukio Shirai Hideyo Tsuchida Satoshi Handa 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》1994,32(12):2327-2332
The photografting of polymers onto ultrafine inorganic particles, such as silica and titanium oxide, initiated by azo groups introduced onto these surfaces was investigated. The introduction of azo groups onto the particles was achieved by the reaction of 4,4′-azobis(4-cyanopentanoic acid) with surface isocyanate groups, which were introduced by the treatment with tolylene 2,4-diisocyanate. It was found that the photopolymerization of vinyl monomers, such as methyl methacrylate (MMA), styrene, and N-vinylcarbazole, is initiated by ultrafine particles having azo groups. The corresponding polymers were effectively grafted onto these surfaces through the propagation of the polymer from the surface radicals formed by the photodecomposition of the azo groups: e.g., the percentage of grafting of PMMA and polystyrene onto silica was reached to 112 and 176%, respectively. The percentage of grafting onto silica in the graft polymerization initiated by photodecomposition of surface azo groups was much larger than that initiated by thermal decomposition. Polymer-grafted ultrafine particles thus obtained gave a stable colloidal dispersion in good solvents for the grafted chain. © 1994 John Wiley & Sons, Inc. 相似文献
109.
用TEM研究了(NR SBR)/PE共混体系经动、静态硫化后的形态结构及其与力学性能的关系。未硫化和静态硫化体系的形态结构与其组成有关,均以含量大的组份为连续相;对动态硫化体系,当(NR=SBR)/PE<70/30时,均以PE为连续相,其性能主要依赖于构成连续相组份的性质。 动态硫化体系的T_g值低于静态体系,随PE组份含量的增加变化不大,而静态硫化体系的T_g值则随PE含量增加向高温方向迁移。用DSC测得动态硫化体系的结晶度比静态体系的大。前者的应力-应变性能也低于后者。 相似文献
110.
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液(22℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质,合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响,从量子效率和电位的关系可求Pb,Pb-lat%As(at%表示原子百分比,全文同),Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜中t-Pbo的施主密度(ND)分别为9.3×1015,1.0×1016,3.1×1016和1.3×1017cm-3,平带位分别为-0.20,-0.22,-0.28和-0.08V(vs.Hg/Hg2SO4).比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-Pbo的ND(从而自由电子密度)和膜中t-Pbo的生长速率的影响,可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则. 相似文献