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81.
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜
关键词:
2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO2纳米复合薄膜
多靶磁控溅射
吸收光谱
有效介质理论 相似文献
82.
基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性 总被引:5,自引:0,他引:5
为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性. 相似文献
83.
84.
为了说明原子光刻(Atom Lithography)在纳米计量及传递作用中的特殊地位,首先对纳米计量标准及其现状进行了简要介绍,提出纳米计量中原子光刻的基本概念和优势,结合原子光刻实验装置对原子光刻技术的工作机理进行了分析。结果表明,可以通过原子光刻技术得到纳米量级刻印条纹,为纳米计量及标准传递提供更加精确的手段。最后对常见的2种原子光刻技术——沉积型原子光刻和虚狭缝型原子光刻进行了阐述,指出2者的不同之处,为不同条件下原子光刻提供了一定的借鉴。 相似文献
85.
研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性(MFS),发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同,充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。 相似文献
86.
简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱.制成的硫化锌纳米晶直径为3.0~3.5nm. 相似文献
87.
Effects of Processing Parameters on Microstructure and Properties of Nanoscale ZrC/ZrB2 Multilayered Coatings 下载免费PDF全文
ZrC/ZrB2 multilayered coatings with bilayer periods of 3.5-40nm are synthesized by rf magnetron sputtering. Analyses of x-ray diffraction, scanning electron microscopy and nanoindentation indicate that multilayered coatings possess much higher hardness and greater fracture resistance than monolithic ZrC and ZrB2 coatings. A maximum hardness (41.TCPa) and a critical fracture load (73.7mN) are observed in the multilayer with A = 32 nm deposited at the substrate bias -40 V. Higher residual stress built in the ZrC layer can be released by periodic insertion of ZrB2 into the ZrC layer. A clear multilayered structure with mixed ZrB2(001), ZrB2 (002) and ZrC (111) orientations should be responsible for the enhanced mechanical properties. 相似文献
88.
玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 总被引:4,自引:3,他引:1
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 相似文献
89.
90.
《中国颗粒学报》2003,1(6):272-272
Hosted by the Chinese Society of Particuology, China Powder Industry Association and Shanghai Science Technology Exhibition Company, with the sponsorship of Trans Tech Publications, Germany, and the organization of Worldwide Exhi-bitions Service Company, the above Conference/Exhibition, the largest of its kind in China, was held from Nov. 29 to Dec. 1 in Shanghai Mart, Shanghai. More than 100 professional equipment producers and market promotion agencies in powder/bulk handling and p… 相似文献