一种低成本的光纤陀螺信号处理方法

讨论了一种低成本的干涉型光纤陀螺的信号处理方法。应用了自动相位跟踪技术,重点解决了PZT的稳定性问题,提高了光纤陀螺的精度。在方案中,以正弦波信号作为相位偏置信号,相位解调运用了同步相关检测的方法。方案的优点是其低成本和易于实现,能够满足在一定条件下陆地导航和定位系统的需要。     

光刻物镜中压电陶瓷驱动器的动态性能研究

针对压电陶瓷在光刻机投影物镜中作为像质补偿镜组促动器的特定应用要求,对一种以集成运算放大器构成的压电陶瓷驱动器的动态性能进行了研究.首先,针对驱动器系统中集成运放固有频率特性对动态性能的影响进行了分析,确定了外部补偿网络的参量.然后,针对驱动器系统大容性负载对动态性能的影响进行了分析,提出了隔离电阻的补偿方法.最后,讨论了驱动器系统中寄生电容对动态性能的影响.计算表明:补偿后的压电陶瓷驱动器系统相位裕量为79°,阶跃响应无超调量,调节时间为5 μs.基本满足压电陶瓷在光刻物镜中作为像质补偿镜组促动器的稳定性强、响应快速、超调量小等动态要求.     

Nanoembossing and piezoelectricity of ferroelectric Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3 nanowire arrays

Arrays of ferroelectric PZT nanowires with lateral size down to 200 nm were fabricated by nanoembossing technology. Structural characterization of the embossed PZT film was studied by Raman spectroscopy. Multidomain configurations of a single nanowire have been explored by vertical mode piezoresponse force microscopy (VPFM). The local electric polarization of the individual ferroelectric nanowire has also been investigated. Excellent ferroelectric and piezoelectric characteristics observed in the embossed PZT nanowires suggest nanoembossing technique proposed in this work is promising to become a useful method for ferroelectric nanowires fabrication.     

Ferroelectric effect and equivalent polarization charge model of PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3 on AlGaN/GaN MIS-HEMT

PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(PZT) gate insulator with the thickness of 30 nm is grown by pulsed laser deposition(PLD) in AlGa N/Ga N metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMTs). The ferroelectric effect of PZT Al Ga N/Ga N MIS-HEMT is demonstrated. The polarization charge in PZT varies with different gate voltages. The equivalent polarization charge model(EPCM) is proposed for calculating the polarization charge and the concentration of two-dimensional electron gas(2 DEG). The threshold voltage(Vth) and output current density(IDS) can also be obtained by the EPCM. The theoretical values are in good agreement with the experimental results and the model can provide a guide for the design of the PZT MIS-HEMT. The polarization charges of PZT can be modulated by different gate-voltage stresses and the Vthhas a regulation range of 4.0 V. The polarization charge changes after the stress of gate voltage for several seconds. When the gate voltage is stable or changes at high frequency, the output characteristics and the current collapse of the device remain stable.     

压电晶体位移特性曲线干涉自动测量方法

本文提出了压电晶体(PZT)位移物曲线自动干涉测量方法,该方法利用干涉仪把PZT的微位移量转化成干涉条纹相位变化量,通过快速傅里叶变换(FFT)方法自动复原干涉条纹中包含的相位的变化量,从而高精度地检测出PZT的位移特性曲线.根据该方法,利用CCD摄象机、图象板和干涉仪组合成一套光、机、电一体化的微位移自动测试系统,实际测量了我们研制的PZT随电压变化的位移特性曲线.实验表明,该方法原理实现简单,且能实现高精度、自动、实时和动态测量.     

PZT相位调制器温度漂移的控制

在光纤陀螺中,ＰＺＴ相位谳制器受温度变化影响会导致陀螺输出信号漂移。本文就这个问题提出一种解决方案,并通过实验进行验证。     

电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响

采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3 (LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA).用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构.再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用 RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱.分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响.     

硼酸镁纳米晶须的水热-熔盐焙烧合成研究

以MgCl2·6H2O、H3BO3和NaOH为原料,采用定-转子反应器合成MgBO2 (OH)前驱体,水热合成MgBO2 (OH)纳米棒,进而熔盐焙烧合成了直径为50 ～105 nm、长度为6～13μm(平均长径比为120)、高度分散的纯单斜相单晶Mg2B2O5纳米晶须.采用XRD、SEM、EDX、TEM及SAED等手段进行表征.研究发现,MgBO2( OH)纳米棒的最佳合成条件是水热温度为210℃、水热时间为8h,该条件下可获得分散良好、形貌规则,尺寸分布范围窄的MgBO2 (OH)纳米棒.     

基于PZT的非球面能动抛光盘设计优化

基于PZT压电陶瓷驱动器的非球面能动抛光盘,能够在PZT驱动器的作用下改变面形,用于中小口径非球面镜加工。为优化设计基于PZT压电陶瓷驱动器的非球面能动抛光盘,利用有限元分析方法,计算各驱动器的影响函数,计算非球面能动抛光盘的输出面形,与理论面形比较得到剩余残差。以优化设计驱动器排布方式和极头直径为例,当非球面能动抛光盘中心到非球面工件中心的距离L为120mm,分别计算比较,极头直径为Φ10mm时,19单元PZT圆形排布与21单元PZT方形排布的剩余残差;以及19单元PZT圆形排布时,极头直径为Φ10mm与Φ14mm的剩余残差。结果表明,非球面能动抛光盘产生变形后的剩余残差RMS相应分别为0.303μm、0.367μm、0.328μm。因此,基于PZT压电陶瓷驱动器的非球面能动抛光盘确定选用19单元PZT圆形排布且极头直径Φ10mm。     

首批系列化国产外腔半导体激光器

就首批系列化国产外腔半导体激光器的设计,关键技术和生产等多方面进行了介绍,对一些特性参数进行了说明,给出了一些实物的图片。长期稳定性实验表明,产品的一致性和稳定性都达到了设计要求,生产流程和生产工艺相对简单,各项性能指标完全达到了国外同类产品的性能和指标。