首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   439篇
  免费   41篇
  国内免费   11篇
化学   198篇
晶体学   5篇
力学   10篇
综合类   2篇
数学   23篇
物理学   253篇
  2024年   2篇
  2023年   3篇
  2022年   14篇
  2021年   18篇
  2020年   14篇
  2019年   5篇
  2018年   14篇
  2017年   12篇
  2016年   11篇
  2015年   9篇
  2014年   21篇
  2013年   51篇
  2012年   15篇
  2011年   22篇
  2010年   17篇
  2009年   45篇
  2008年   23篇
  2007年   27篇
  2006年   24篇
  2005年   15篇
  2004年   17篇
  2003年   9篇
  2002年   14篇
  2001年   15篇
  2000年   8篇
  1999年   11篇
  1998年   19篇
  1997年   3篇
  1996年   5篇
  1995年   5篇
  1994年   3篇
  1993年   5篇
  1992年   4篇
  1991年   2篇
  1989年   3篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1985年   1篇
  1982年   1篇
  1974年   1篇
排序方式: 共有491条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
ABSTRACT

The microstructure evolution and property change of four kinds of low silicon cast aluminum alloy exposed to heat for 0–50?h at 200°C were studied by means of Brinell hardness test, tensile property test, friction and wear property test and XRD analysis. The results show that with increasing thermal exposure time, the tensile strength of each group of samples decreased and the amount of wear increased. The tensile strength of samples with more Si content decreased slowly. When the time increased to 50?h, the increase of wear loss was the largest. The hardness of samples after thermal exposure increases compared with that before thermal exposure. The residual stress of (311) diffraction crystal surface of AlSi3.5Mg0.66 under different thermal exposure time was measured. The type of residual stress changed from residual tensile stress to residual compressive stress after thermal exposure. There is an abnormal phenomenon that the hardness of the sample increased and the amount of wear increased, and it is evident that the distribution of residual stress was inhomogeneous after thermal exposure. It is found that with increasing thermal exposure time to 50?h, the average lattice distortion ε of the low-index crystal plane and the high-index crystal plane in the aluminum alloys gradually increased.  相似文献   
22.
自控液晶光阀组式光刻快门研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
陈赟 《光子学报》2006,35(5):783-786
通过理论推导,构建了抗蚀剂的感光特性、光源的光效与曝光量之间的数学模型,为液晶光阀代替穿孔带提供了理论依据.结合液晶光阀的工作原理和光刻快门的控制原理,对液晶光阀组的控制进行了研究并给出了其控制电路图.通过实际光刻试验,自控液晶光阀组光刻快门机构可以完成编码图案的控制,通光控制达到了预计要求,刻出的图案清晰,线条陡直.证明液晶光阀组替代穿孔带用作光刻快门是完全可行的.  相似文献   
23.
全氟和多氟化合物环境问题研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
史亚利  蔡亚岐 《化学进展》2014,26(4):665-681
全氟和多氟化合物(PFASs)是一类具有重要应用价值的含氟有机化合物,许多全氟和多氟化合物难以光解、水解和被生物降解,因此具有环境持久性,并可沿食物链累积放大。2009年5月9日,全氟辛烷磺酸(PFOS)及其盐和全氟辛烷磺酰氟被正式列入持久性有机污染物(POPs)名单,由此全氟和多氟化合物成为近年最受关注的新型污染物,其环境问题研究进入到了新的广度和深度。本文将就其分析方法、环境存在、生物累积放大效应、人体暴露和健康效应、新型全氟和多氟化合物等方面的研究,特别是2009年PFOS等被纳入POPs公约以来取得的研究新进展,进行较为全面的综述,并在此基础上对有关发展趋势进行展望。  相似文献   
24.
食品接触性塑料制品、可再生资源、汽车尾气中含有低浓度铅.铅等重金属体内蓄积严重影响机体健康,但机体长期暴露于铅环境的代谢依然未知.以低剂量含铅细颗粒物暴露为场景,探讨其在大鼠体内的生物转运及体内分布.通过比较每日吸入染毒(7.05±0.83)μg/m3及经口染毒0.42μg/d,连续染毒28 d.结果显示含铅细颗粒物入...  相似文献   
25.
In this study, after Dill’s model is discussed for transmittance and refractive indices of the non-chemically amplified resists, G- and I-line novolak resists, and the chemically amplified resists, a modification of Dill’s model as a new exposure model is introduced. The simulation results obtained using this new model with the multi-thin film interface method and the Berning theory have shown a good matching to the experimental data. Also, the simulated transmittance change due to the exposure parameters are used to analyze the influence of the coefficients on the transmittance.  相似文献   
26.
张海婧  林少彬 《色谱》2014,32(7):730-734
建立了水中8种双酚-二环氧甘油醚(双酚A二缩水甘油醚(BADGE)及其衍生物双酚A(3-氯-2-羟丙基)甘油醚(BADGE·5HCl)、双酚A双(3-氯-2-羟丙基)醚(BADGE·52HCl)、双酚A(2,3-二羟丙基)甘油醚(BADGE·5H2O)、双酚A双(2,3-二羟丙基)醚(BADGE·52H2O)、双酚A(3-氯-2-羟丙基)(2,3-二羟丙基)醚(BADGE·5HCl·5H2O)和双酚F-二环氧甘油醚(BFDGE)及其衍生物双酚F双(3-氯-2-羟丙基)醚(BFDGE·52HCl))的固相萃取-高效液相色谱-串联质谱(SPE-HPLC-MS/MS)测定方法。10个饮用水接触涂料样品在室温避光条件下,以超纯水浸泡(24±1)h,然后取200 mL经C18固相萃取柱进行净化浓缩,以C18色谱柱进行分离,以5 mmol/L醋酸铵、甲醇和水为流动相进行梯度洗脱,质谱多反应监测(MRM)模式检测,外标法定量。结果表明,8种双酚-二环氧甘油醚在0.007~5.00 μg/L线性关系良好,相关系数均大于0.9990,该方法对8种双酚-二环氧甘油醚的定量限为7~91 ng/L,回收率为79.1%~101%,RSD为4.0%~12%。该方法具有灵敏度高、选择性强的特点,能够满足水中双酚-二环氧甘油醚的快速检测和准确定量。  相似文献   
27.
 在北京同步辐射光源4B7B实验站上,采用透射光栅配X射线电荷耦合元件(CCD)的方法对单色光进行了检验,在优化高次谐波抑制方法后,开展了X射线CCD的灵敏度标定实验研究;在标定数据处理过程中,提出了等效曝光时间的概念,修正了快门开合造成的曝光时间误差。标定实验获得了100~1 500 eV能区CCD的灵敏度,补充了300~600 eV能区CCD灵敏度标定数据,验证了简化模型的正确性。  相似文献   
28.
针对光学元件损伤图像中损伤区域的高精度检测问题,对内全反射照明下光学元件损伤图像的处理技术进行了研究。根据在线检测图像中损伤区域中心峰值的信号强度高于局部背景的信号强度这一特点,利用高斯滤波器生成待检测图像的局部信号强度比图像,实现了对损伤区域的低漏检率自动定位;根据CCD的成像原理,利用辐射标定的方法建立起损伤区域的尺寸与其在图像中总灰度的关系方程,实现了损伤区域的亚像素高精度尺寸测量。实验结果表明,与传统的光学元件损伤图像处理算法相比,本文提出的算法在保持低漏检率的同时大大提高了损伤区域的测量精度。  相似文献   
29.
The oxidation processes of white wines can occur during storage and commercialization due to several factors, and these can negatively affect the color, aroma, and quality of the wine. Wineries should have faster and simpler methods that provide valuable information on oxidation stability of wines and allow fast decision-making procedures, able to trigger suitable technological interventions. Using a portable prototype instrument for light irradiations at different wavelengths and times was considered and evaluated on sensorial, spectrophotometric, and colorimetric parameters of white wines. The sensorial analysis revealed that white and light blue were the most significant, after only 1 h of irradiation. The experimental results showed that hydrogen peroxide could enhance the effect of light treatment, allowing a contemporary evaluation of the oxidation stability of wine against light and chemical stresses. As expected, a good correlation (R2 > 0.89) between optical density at 420 nm and b* parameter was highlighted. The synergic effect of light and H2O2 was also studied on the hydrolyzable and condensed tannins’ additions to white wine. The proposed methodology could be used to evaluate the oxidative stability of white wines, but also to evaluate the effect of some oenological adjuvants on wine stability.  相似文献   
30.
何源  邢增海  陈焕杰  余艺  梁海辉  钟铖  张红  谭炎 《物理实验》2006,26(5):22-24,28
设计了通过液晶光阀自动调整全息照相物光和参考光辐照比至最佳状态,同时能实现曝光时间自动控制的控光仪.该仪器巧妙运用液晶光阀和硅光电池器件,使测量、调整、自控一体化,从而提高拍摄优质全息图的工作效率.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号