碳纳米锥吸附Na的第一性原理计算

本文采用第一性原理计算结合从头算分子动力学的方法,研究了碳纳米锥(CNC)、B和N掺杂碳纳米锥(B-CNC和N-CNC)的稳定性,结果表明CNC、B-CNC和N-CNC均可以稳定存在.在此基础上分别研究了Na原子在CNC、B-CNC和N-CNC上的吸附行为.结果表明：1) Na原子在CNC五元碳环中心顶部位置的吸附最强,吸附能为-2.52 eV. CNC的能隙(Eg)为1.96 eV. 2) B和N掺杂CNC后,B-CNC和N-CNC的导电性均显著增强. 3)与CNC相比,Na原子在B-CNC上的吸附增强,而在N-CNC上的吸附则显著减弱.这表明B-CNC有望作为Na离子电池的负极材料.本文的研究结果对以CNC为负极材料的Na离子电池的研究提供了理论指导.     

Ein Vergleich zwischen radioaktiver Markierung und Indikator-Aktivierungsanalyse bei der Messung von Verweilzeitspektren

An VK-Z-Rohren zur Herstellung von Polyamid wurden Verweilzeitspektren mit der Methode der radioaktiven Markierung und der Methode der Indikatoraktivierungsanalyse gemessen. Die nach den beiden Methoden ermittelten Verweilzeitspektren werden miteinander verglichen. Die Übereinstimmung der Verweilzeitspektren wird durch Gegenüberstellung der statistischen Momente und durch einen Test nach Kolmogoroff-Smirnov geprüft. Es wird der experimentelle Aufwand beider Verfahren diskutiert und eine Fehlerabschätzung durchgeführt.     

Zur Anreicherung der stabilen Isotope des Schwefels durch Fest-Flüissig-Austausch unter Verwendung von Ionenaustauschern

An verschiedenen Systemen chemischer Verbindungen wurden Versuche zur Anreicherung des stabilen Isotopes ³⁴S unter Verwendung der Ionenaustauscher Wofatit L 150, SBW und SBK nach den Methoden der Frontalchromatographie und der Bandenverdrāngungschromatographie ausgeführt. Beim Isotopenaustauschsystem Hydrogensulfit (am Ionenaustauscher)/Schwefeldioxid (in wäβriger Lösung) wurden Verfahrensweise und Betriebsparameter hinsichtlich des Anreicherungsgrades optimiert. Mit Hilfe einer einfachen Methode gelang es, aus den Versuchsergebnissen Werle für den elementaren Trennfaktor und die Trennstufenhöhe zu berechnen.     

In beam Mößbauer spectroscopy: 57Fe in semiconductors

Abstract

An overview of results on microscopic properties, implantation features and dynamics of Fe ions implanted into Si, Ge and ZnS as investigated with in beam Mößbauer spectroscopy(IBMS) is given. Potential and limitations of the method are discussed.