R_2Fe_17_C化合物的结构与内禀磁性的研究

本文系统研究了R_2Fe_17_C(R=Y,Sm,Gd,Tb、Dy.Er) 化合物的结构与内享磁性, 井与相应的R_2Fe_17_C 化合物进行了比较.R_2Fe_17_C 的居里温度比相应氏R_2Fe_17 的居里温度增加大约200K. 本文讨论了C 原子对该化合物结构与磁性的影响, 同时, 还对Sm_2(Fe_1-xCo_x)_17C系列化合物进行了研充. 关键词：     

稀土元素ICP—AES法摄谱数据的简便处理

本文用PC－1500微机以三次多项式拟合的方法处理稀土元素ICP－AES法摄谱数据，讨论了实验方面的有关问题，提出了一套较为简便的实验方法。通过人工合成样分析及磷矿基体中的加料回收实验，证明本法符合实用要求。     

N2（A）及N（2D）对IF（X）的传能研究

在微波放电系统中,对NH_3-F-F_2-CF_3I体系进行研究,结果表明,向IF(X)传能的诸多媒介中,N_2(A)及N(~2D)起着主要作用,并且这一结论在经微波激发后的N_2与CF_3I的直接反应中得到了进一步证实。     

L—Fuzzy群（I）

In this paper,the L-fuzzy group theory in a general frame is established,which is a generalization of [1-4].     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

改进Q2–重标度模型与部分子分布函数的核效应

针对原有的Q²-重标度模型中存在的问题,提出了改进的Q²-重标度模型,利用核动量守恒条件,采取对价夸克、海夸克、胶子进行不同的Q²-重标度来描述束缚核子内部分子动量分布. 利用改进的Q²-重标度模型所得到的束缚核子内部分子分布函数,对轻子-核深度非弹性散射过程,核Drell-Yan过程及J/ψ光生过程均给出较满意的解释.