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41.
Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP(100) Surface 下载免费PDF全文
We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder. 相似文献
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ChunXiaLI YingXiaLI LingBoYU HuaZHANG SiftDongCHU HuaShiGUAN 《中国化学快报》2003,14(8):776-778
A convenient synthetic route was developed for the synthesis of the novel glycolipids: 1,2-di-O-acyl-3-O-(2‘-acylamide-2‘-denxy-ct-D-glucopyranosyl)-sn-glycerols. 10 new compounds of glycolipids with different acyl groups were obtained. 相似文献
43.
构造一个求解椭圆型边值问题的多子域D—N交替算法,导出对应的容度方程和等价的迭代法,证明算法的收敛性。 相似文献
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采用ICP-AES法对钛基复合材料中的合金元素镍、钕、铁的测定进行了研究,着重进行了基体元素及待测元素镍、钕、铁之间干扰试验及各元素在测定浓度范围内的线性相关性试验,进行了酸度试验,测定了钛基复合材料中3种元素的含量,得到了较好的精密度和准确度。方法简便、可靠,获得满意的分析结果。 相似文献
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48.
在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV2附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N*(1440)的产生. 相似文献
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50.
DuXiaCAO QiFANG DongWANG ZhiQiangLIU 《中国化学快报》2003,14(5):547-550
Two new D-x-A type compounds,where electron-donor D is tertiary amino group,electron-acceptor A is 2-benzothiazolyl and x is two conjugated styryl units,have been synthesized.They are named as trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diethylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole and trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diphenylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole.Both compounds show strong two-photon excited fluorescence in yellow-orange region when excited by a femtosecond laser at 800nm. 相似文献