N掺杂锐钛矿TiO2光学性能的第一性原理研究

用平面波赝势方法(PWP)计算了N掺杂锐钛矿型TiO2前后的光学特性,即介电函数虚部ε2(w),光学吸收系数I(w)和反射率R(w).并从能带结构上解释了为什么掺N后锐钛矿型TiO2的光学谱在2.93,3.56和3.97 eV处相对掺杂前会出现3个峰值的原因.从光谱图上分析得出,掺杂后TiO2要发生红移现象,实验现象证实了这一结果.     

Breakdown voltage analysis of Al0.25Ga0.75N/GaN high electron mobility transistors with partial silicon doping in the AlGaN layer

In this paper,two-dimensional electron gas（2DEG） regions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors（HEMTs） are realized by doping partial silicon into the AlGaN layer for the first time.A new electric field peak is introduced along the interface between the AlGaN and GaN buffer by the electric field modulation effect due to partial silicon positive charge.The high electric field near the gate for the complete silicon doping structure is effectively decreased,which makes the surface electric field uniform.The high electric field peak near the drain results from the potential difference between the surface and the depletion regions.Simulated breakdown curves that are the same as the test results are obtained for the first time by introducing an acceptor-like trap into the N-type GaN buffer.The proposed structure with partial silicon doping is better than the structure with complete silicon doping and conventional structures with the electric field plate near the drain.The breakdown voltage is improved from 296 V for the conventional structure to 400 V for the proposed one resulting from the uniform surface electric field.     

湍流对M×N列阵双曲余弦高斯光束传输和远场光束质量的影响

基于广义惠更斯-菲涅耳原理,并采用光束的非相干合成方法,推导出了M×N双曲余弦高斯列阵光束在湍流中的三维光强传输方程．采用桶中功率、β参量和Strehl比作为光束质量的评价参量,研究了湍流大气对双曲余弦高斯列阵光束远场光束质量的影响．研究表明：在湍流大气中,双曲余弦高斯列阵光束的传输将经历三个阶段的变化,并且湍流使得光束传输经历三阶段的进程加快;湍流导致双曲余弦高斯列阵光束扩展、最大峰值光强下降,但是,β参量随光束数目M（N）、相邻子光束间距xc（yd）和光束参量δ的增加而减少,即光束扩展受湍流的影响减小;并且,存在最佳xd（yd）和δ值使得Strehl比取得极大值．因此,适当选取M（N）、xd（yd）和δ可以降低湍流对双曲余弦高斯列阵光束远场光束质量的影响．     

有限玻色子系统中的激发态量子相变

为了探讨原子核系统中存在激发态量子相变的可能性,在相互作用玻色子模型框架下对有限玻色子系统中的激发态量子相变现象进行唯象分析,特别是针对角动量和有限N效应如何影响U（5）-SU（3）和SU（3）-O（6）过渡区中的激发态量子相变行为进行了系统研究。结果表明,低角动量振动谱中的激发态量子相变特征在现实玻色子数情况下可以很好地保持,但随着角动量增加相变特征逐渐消失。In this work, a phenomenological analysis of the excited-state quantum phase transitions (ESQPTs) in the finite-N boson system has been carried out within the interacting boson model in order to reveal the possibility of finding ESQPTs in nuclear systems. Particularly, the angular momentum and finite-N effects on the ESQPTs in the U(5)-SU(3) and SU(3)-O(6) transitional regions have been systematically investigated. The results indicate that the main features of ESQPTs can be well preserved even at a realistic boson number for small angular momentum but will gradually disappear as the angular momentum increases.     

第一性原理计算N掺杂对InNbO4电子结构的影响

宽带隙（3.83 eV）半导体光催化材料InNbO4在紫外光作用下具有分解水和降解有机物的性能。最近实验发现了N掺杂InNbO4具有可见光下分解水制氢的活性。为了从理论上解释这一实验现象,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂对InNbO4的能带结构、态密度和光学性质的影响。分析能带结构可得,N掺杂后在InNbO4的价带（O 2p）上方形成N 2p局域能级,导致电子跃迁所需的能量减小。吸收光谱表明,N掺杂后InNbO4的光吸收边出现了红移,实现了可见光吸收。     

组装阵列中耦联剂对表面增强拉曼光谱的影响

利用自组装技术,将不同浓度比例的对巯基苯胺和N,N'-二苯基硫脲为功能耦联分子,在光滑银基底表面组装不同表面密度的二维银纳米粒子阵列。通过对组装阵列和粗糙银表面耦联剂分子的表面增强拉曼光谱比较,阵列中对巯基苯胺分子拉曼信号得到了明显的增强,但只有微弱的N,N'-二苯基硫脲的拉曼增强信号,说明在这种组装阵列中得到的拉曼散射增强主要来自于银纳米粒子和光滑银表面之间。     

79Kr高自旋超形变的观测

通过５５Ｍｎ（３０Ｓｉ,αｐｎ）反应布居了７９Ｋｒ的高自旋态．用ＧＡＳＰ阵列配以由４０个ΔＥ×ＥＳｉ（Ａｕ）望远镜所组成的带电粒子球实现γγγ－带电粒子符合测量．观测到由相对强度为（２．７±０．３）％的８条级联γ跃迁所组成的７９Ｋｒ高自旋超形变转动带．除了在转动频率ω＞０．９５ＭｅＶ处急剧下降外,该带的动力学转动惯量近乎常数（22ñ2／ＭｅＶ）并被解释为具有四极形变参数β２＝０．５１以及本征侵入组态为π５０ν５１． High-spinstates in 79Kr were populated via the fusion evaporation reaction 55Mn (30Si,αpn)at 130 MeV.Promptγ γγ charged particle coincidences were measured by using the GASP array in conjunction with the ΔE×E Si(Au) charged particle ball.Asu perdeformed band consisting of 8 γ ray transitions with an intensity of (2.7±0.3)% has been indentified in 79Kr.The dynamic moment of inertia for the band is nearly constant at approxately 22ñ2/MeV below arotational frequency of 0.95 MeV...     

高精度高分辨率迎风格式应用于不同速度范围内粘性流动

提出了一种适合于不同速度范围的高精度高分辨率的迎风有限差分格式，并基于此数植模型发展了适应于速度范围极宽的非定常粘性流动通用软件，不仅适用于超音速下捕捉强间断面，跨音速及高亚音速下捕捉弱间断面和滑移面，还可以精确地模拟低速情况下的粘性流动。此软件可分别用于研究内流和外流的流动特性以及预估其粘性损失。     

超音速连续波COIL的二维半数值模拟

给出了超音速连续波氧碘化学激光器的理论模型，利用此模型对典型实验装置进行了二维半几何近似下的初步数值模拟研究，对所得结果进行了讨论，并与实验或文献结果作了比较。     

In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。