全文获取类型
收费全文 | 68206篇 |
免费 | 6054篇 |
国内免费 | 12864篇 |
专业分类
化学 | 63863篇 |
晶体学 | 2218篇 |
力学 | 764篇 |
综合类 | 510篇 |
数学 | 4036篇 |
物理学 | 15733篇 |
出版年
2024年 | 132篇 |
2023年 | 1012篇 |
2022年 | 1674篇 |
2021年 | 2065篇 |
2020年 | 2163篇 |
2019年 | 2910篇 |
2018年 | 1837篇 |
2017年 | 2958篇 |
2016年 | 2465篇 |
2015年 | 2193篇 |
2014年 | 2870篇 |
2013年 | 6065篇 |
2012年 | 4354篇 |
2011年 | 4629篇 |
2010年 | 3804篇 |
2009年 | 4479篇 |
2008年 | 4511篇 |
2007年 | 4639篇 |
2006年 | 4348篇 |
2005年 | 3845篇 |
2004年 | 3687篇 |
2003年 | 3020篇 |
2002年 | 2548篇 |
2001年 | 2089篇 |
2000年 | 1985篇 |
1999年 | 1578篇 |
1998年 | 1378篇 |
1997年 | 1179篇 |
1996年 | 1010篇 |
1995年 | 1005篇 |
1994年 | 830篇 |
1993年 | 672篇 |
1992年 | 639篇 |
1991年 | 489篇 |
1990年 | 327篇 |
1989年 | 279篇 |
1988年 | 240篇 |
1987年 | 159篇 |
1986年 | 124篇 |
1985年 | 140篇 |
1984年 | 113篇 |
1983年 | 50篇 |
1982年 | 87篇 |
1981年 | 114篇 |
1980年 | 77篇 |
1979年 | 101篇 |
1978年 | 56篇 |
1977年 | 61篇 |
1976年 | 38篇 |
1973年 | 37篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
A. P. Vink E. van der Kolk P. Dorenbos C. W. E. van Eijk 《Optics Communications》2002,210(3-6):277-284
The optical properties of Ce3+ in CaSO4, SrSO4 and BaSO4 are reported. The Ce3+ ion shows 4f05d1→2F5/2,2F7/2 luminescence in all three sulphates. Co-doping with Na+ does not change the local surrounding of the Ce3+ ion, but enhances the amount of Ce3+ ions built in. Under optical excitation, besides the typical Ce3+ doublet emission in the ultraviolet spectral region, band emission around 445 nm was observed. This band emission was not assigned to emission from a Ce3+ centre, but to emission from an impurity-trapped exciton. Under X-ray excitation, both Ce3+ emission and an emission band around 380 nm was observed. This band was assigned to emission from a self-trapped exciton. 相似文献
62.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。 相似文献
63.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:3,自引:2,他引:1
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816· 相似文献
64.
The influence of pulse duration on the stress levels in ablation of ceramics: A finite element study
A. Vila Verde 《Applied Surface Science》2006,252(13):4511-4515
We present a finite element model to investigate the dynamic thermal and mechanical response of ceramic materials to pulsed infrared radiation. The model was applied to the specific problem of determining the influence of the pulse duration on the stress levels reached in human dental enamel irradiated by a CO2 laser at 10.6 μm with pulse durations between 0.1 and 100 μs and sub-ablative fluence. Our results indicate that short pulses with durations much larger than the characteristic acoustic relaxation time of the material can still cause high stress transients at the irradiated site, and indicate that pulse durations of the order of 10 μs may be more adequate both for enamel surface modification and for ablation than pulse durations up to 1 μs. The model presented here can easily be modified to investigate the dynamic response of ceramic materials to mid-infrared radiation and help determine optimal pulse durations for specific procedures. 相似文献
65.
66.
67.
介绍了光码分多址系统中常用地址码(一维扩时码、二维码和三维码)的特点,并对它们各自的互相关均值和方差进行了理论分析。基于非相干光码分多址系统中光学相关接收机的基本原理,结合不同的用户地址码,对系统误码率性能进行了分析,得到了接收机最佳判决阈值与地址码基本特性参数和系统同时用户数间的关系。最后,给出了数值仿真结果。结果表明,对于采用特定地址码的光码分多址系统,只有选择合适的接收机判决阈值,系统的误码率性能才能达到最佳。研究结果对光码分多址系统中接收机判决阈值的选取具有一定的参考作用。 相似文献
68.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816. 相似文献
69.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
70.
主要介绍了一个引理,这个引理奠定了K4-同胚图K4(α,1,1,δ,ε,η)色性研究的基础。 相似文献