脉冲功率与等离子体应用技术的最新动态

以近期在日本举办的国际脉冲功率与等离子体应用会议(简称ISPP)为背景，较为详细地介绍了中、日、韩、俄、美等国在脉冲功率产生技术、高功率微波、辐射源、材料科学、脉冲功率系统和等离子体在工业中应用等几个方面的最新研究动态和成果。     

基于氟代异靛蓝并[7,6-g]异靛蓝的共轭聚合物的合成及其半导体性质

采用Stille缩聚,合成了3个异靛蓝并[7,6-g]异靛蓝(DIID)和乙烯单元交替排列的共轭聚合物P0F、P2F和P4F,三者在DIID单元中分别含0、2和4个氟原子(F).3个聚合物均具有良好的平面性,前线分子轨道几乎在整个共轭骨架上离域.它们均具有宽的吸收光谱,吸收范围在400~1000 nm,光学带隙约为1.25 eV;随着氟原子数目的增加,聚合物的最高占有分子轨道(HOMO)和最低空分子轨道(LUMO)能级依次下降0.1~0.2 eV.以这3个聚合物作为活性层,制备了顶栅-底接触型有机场效应晶体管器件,随着氟原子数目的增加,聚合物的传输性质由双极传输变为n型传输.P0F和P2F是双极传输型聚合物,空穴迁移率(μ_h)分别达到0.11和0.30 cm~2 V~(-1) s~(-1),电子迁移率(me)分别达到0.22和1.19 cm~2 V~(-1) s~(-1).P4F是n型聚合物,me达到0.18 cm~2 V~(-1) s~(-1).     

科学家成功研制出由单光子控制的全光晶体管

近日消息,美国麻省理工学院（MIT）电子研究实验室（RLE）、哈佛大学以及奥地利维也纳技术大学的科学家们在最新一期《科学》杂志公布,研制出了一种由单个光子控制的全光开关,新的全光晶体管有望让传统计算机和量子计算机都能受益。全光开关的核心部件是一对高反光镜。当打开开关时,光信号透过两面镜子,当关闭开关时,只有20％的光信号透过镜子。如此一来,这对镜子就构成了所谓的光学共振器。该研究的领导者、MIT物理学教授弗拉达·乌勒提解释道,如果根据光的波长精确地调整镜子间的距离,那么,对某些波长的光来说,镜子就是透明的,这就是默认的“开”状态。     

漫谈半导体材料及异质结器件

半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角落。文章简要回顾了半导体的研究历史,介绍了半导体材料与相关应用,阐述了半导体异质结器件的工作原理,并展示了半导体自旋电子学及低维窄禁带半导体纳米结构的研究现状与发展前景。     

利用射频反射技术从硅基量子计算机中读取自旋信息

<正>导论将量子计算的想法变成实用的技术是当前科技领域的一大挑战,利用变化的电磁场来操控硅晶体管中的电子,是一个较为可能的实施方法。在本题中,我们尝试利用射频反射法和单电子晶体管(以下简称SET)从硅基量子计算原型机读出量子比特。本文第一部分与第二部分讨论无线电波在电缆中的传输,第三部分探究了无线电波的反射条件,第四部分介绍了SET,第五部分与第六部分介绍了射频反射技术以及优化方法。     

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极）,而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。     

功能聚合物：从薄膜器件到纳米器件

文章简要回顾了功能聚合物的发现和发展历程,着重介绍了其在发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管、传感器件、纳米材料与器件中的应用.     

The optimization of hydrothermal process of MoS_2 nanosheets and their good microwave absorption performances

In this study,flower-like MoS₂ constructed by nanosheets was synthesized by a simple hydrothermal method.The hydrothermal process was optimized and the effects of hydrothermal condition,including reaction temperature,reaction time and the ratio of Mo source to S source(Mo:S) in precursor,on microwave absorption performances and dielectric properties were investigated.Our results showed that when the reaction temperature was 180℃,the reaction time was 18 h,and the Mo:S was 1:3.5,the sy...