CCD光谱谱线标定方法研究

CCD作为光谱分析和测色仪器的光谱接收器件 ,光谱谱线定位受单色仪狭缝和CCD光敏元尺寸影响。提出采用最小二乘法做曲线拟合和质心法来确定光谱线在CCD上的精确定位 ,使光谱谱线的定位精度得到提高 ,并且不受CCD光敏元尺寸限制。实验结果表明 ,两种方法对光谱线的定位 ,具有重复性高 ,稳定性好等特点。在定位精度上 ,两者具有一致性。     

Lp[0,1]空间Müntz有理逼近的Jackson型估计

设Λ={λn}n∞=1为正的实数数列,且当n→∞时,有λn↘0.本文给出了当λn≤Mn-1/2,n=1,2,…,(其中M＞0为一正常数)时Müntz系统{xλn}的有理函数在Lp[0,1]空间的逼近速度,主要结论为Rn(f,Λ) Lp≤CMω(f,n-1/2)Lp,1≤p≤∞.     

GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子n=3,Δn=0跃迁谱线和振子强度的计算

用HFR方法对CaⅨ-KrⅩⅩⅤ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态能级结构进行了理论计算.在已有实验研究的基础上,通过分析离子能级沿等电子序列的变化规律,运用最小二乘拟合方法预言计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态14条精细结构能级值.在此基础上,进一步计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2-3s3p,3s3p-3s3d和3s3p-3p2跃迁的23条谱线波长和相应的振子强度.计算结果与已有的实验值十分吻合,波长的最大不确定度为0.008 nm.     

Möbius立方体的拓扑结构性质

超立方体网络是目前在超级计算机处理器结构中应用得最广泛的拓扑结构,M(o)bius立方体是超立方体的一种变形,已经被证明它在某些方面具有优于超立方体的拓扑性质.本文指出了n维M(o)bius立方体递归结构的一些重要拓扑性质.     

有关力学谱和内耗工作的综合与回顾

本文广泛地收集了有关内耗，力学谱，超声衰减方面的专著及会议文集。反映了20世纪在此领域的英文，俄文出版的书籍。也列出了历次国际会议及前苏联，乌克兰，中国的国内会议。文中包括了点缺陷，电，声子，位错，晶界，电畴等诸方面在内的内耗与力学谱工作。     

塑料闪烁体的辐照特性

利用⁶⁰Co放射源分别对3种塑料闪烁体(BC-408, EJ-200, BC-404)进行辐照损伤研究, 比较辐照前后的透射谱、发射谱及光产额的变化, 发现3种闪烁体在低剂量具有较好的抗辐照性能; 当照射剂量超过1.44×10⁴Gy时,透射谱明显变坏, 光输出减少很严重, 但发射谱却保持不变.     

二甲酸二脂系玻璃化转变的力学谱研究

本文用最近发明的液态低频力学谱方法对二甲酸二脂系列样品进行了测量,验证了该方法的可信性与有效性,并且表明它能够提供物质变化的丰富信息.研究结果还表明,随着分子内部自由度的增加、二甲酸二脂系列的玻璃化转变温度表现出先减小然后又增加、但脆性是先增加后减小的有趣又难以理解反常趋势.     

利用电子动量谱学进行四氢呋喃及二恶烷的分子构象研究

利用第三代电子动量谱仪首次获得了四氢呋喃和二恶烷HOMO轨道的电子动量分布，并将实验结果与不同构象的理论计算进行了比较，四氢呋喃的C1，Cs构象和二恶烷C2h构象的理论曲线分别与各自实验结果符合较好．     

一种基于功率谱对数变换的联合变换相关器

联合功率谱的高频成份对相关峰识别具有重要作用,实验中记录的联合功率谱随着频率的增加其强度迅速降低。为增强联合功率谱的高频成分,改善其调制程度,可对功率谱进行对数变换,从而有效保留更多的高频成份,压低零级衍射光斑,提高联合变换相关器的识别能力。     

自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．