全文获取类型
收费全文 | 8707篇 |
免费 | 847篇 |
国内免费 | 8322篇 |
专业分类
化学 | 14599篇 |
晶体学 | 158篇 |
力学 | 277篇 |
综合类 | 323篇 |
数学 | 534篇 |
物理学 | 1985篇 |
出版年
2024年 | 78篇 |
2023年 | 333篇 |
2022年 | 397篇 |
2021年 | 464篇 |
2020年 | 378篇 |
2019年 | 291篇 |
2018年 | 271篇 |
2017年 | 304篇 |
2016年 | 365篇 |
2015年 | 381篇 |
2014年 | 688篇 |
2013年 | 617篇 |
2012年 | 548篇 |
2011年 | 589篇 |
2010年 | 627篇 |
2009年 | 652篇 |
2008年 | 707篇 |
2007年 | 694篇 |
2006年 | 721篇 |
2005年 | 728篇 |
2004年 | 712篇 |
2003年 | 719篇 |
2002年 | 664篇 |
2001年 | 674篇 |
2000年 | 521篇 |
1999年 | 440篇 |
1998年 | 470篇 |
1997年 | 410篇 |
1996年 | 429篇 |
1995年 | 404篇 |
1994年 | 462篇 |
1993年 | 342篇 |
1992年 | 319篇 |
1991年 | 309篇 |
1990年 | 305篇 |
1989年 | 318篇 |
1988年 | 139篇 |
1987年 | 113篇 |
1986年 | 113篇 |
1985年 | 74篇 |
1984年 | 46篇 |
1983年 | 46篇 |
1982年 | 11篇 |
1980年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
对具有扩散项的时滞Mcholson方程的行波解进行了研究.特别是考虑到生物个体在空间位置上的迁移,研究了具有非局部反应的时滞扩散模型.对于弱生成时滞核,运用几何奇异摄动理论,在时滞充分小的情况下,证明了行波解的存在性. 相似文献
112.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相. 相似文献
113.
应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强. 相似文献
114.
115.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
116.
117.
118.
119.
120.