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141.
Negative thermal expansion (NTE) of materials is an intriguing phenomenon challenging the concept of traditional lattice dynamics and of importance for a variety of applications. Progresses in this field develop markedly and update continuously our knowledge on the NTE behavior of materials. In this article, we review the most recent understandings on the underlying mechanisms (anharmonic phonon vibration, magnetovolume effect, ferroelectrorestriction and charge transfer) of thermal shrinkage and the development of NTE materials under each mechanism from both the theoretical and experimental aspects. Besides the low frequency optical phonons which are usually accepted as the origins of NTE in framework structures, NTE driven by acoustic phonons and the interplay between anisotropic elasticity and phonons are stressed. Based on the data documented, some problems affecting applications of NTE materials are discussed and strategies for discovering and design novel framework structured NET materials are also presented.  相似文献   
142.
鲍献丰  陈晓洁  李瀚宇  刘昌  周海京 《强激光与粒子束》2021,33(12):123017-1-123017-6
强电磁脉冲环境下的平台-机载天线一体化耦合计算属于典型多尺度时域电磁计算问题,采用传统的FDTD方法数值模拟时,由于精细结构的存在导致网格量巨大,计算效率低下。介绍了一种将非均匀FDTD方法与细导线FDTD方法以及多网格集总元件FDTD方法相结合的时域混合方法,能够有效降低计算开销,结合并行计算技术,快速计算得到天线端口上耦合产生的瞬态电压和电流响应,并将该方法成功应用于无人机平台-天线一体化前门耦合数值模拟中。  相似文献   
143.
王涛  丛佩玺  石荣荣  周书  梁鹏 《强激光与粒子束》2021,33(12):123009-1-123009-5
高空核电磁脉冲(HEMP)对电子设备的耦合途径主要有两方面:一方面是通过装备(产品)上的天线耦合通道进入到电子系统内的“前门耦合”方式;另一方面则是“后门耦合”,即通过装备(产品)上的壳体、电源线、电缆、机箱的缝隙、孔洞等途径进行耦合。主要研究电气线路互联系统(EWIS)线缆抗高空核电磁脉冲耦合效应,通过研究HEMP干扰的特征、能量分布,搭建HEMP数学模型,采用控制变量法,改变EWIS线缆类型、离地高度等要素,通过在CST上建立仿真模型以及开展试验,分析HEMP对电子设备造成的影响程度,得到HEMP耦合效应的一般性结论与规律。  相似文献   
144.
Lin Huang 《中国物理 B》2021,30(11):114203-114203
A novel organized multipulse pattern and its birth dynamics under strong optomechanical effect in microfiber-assisted ultrafast fiber laser are investigated in this work. The background pulses are observed to obviously exhibit selectively amplifying self-organized process of evolving into quasi-stable equidistant clusters. The radio frequency spectrum of the multipulse pattern displays a harmonic mode-locking-like behavior with a repetition rate of 2.0138 GHz, corresponding to the frequency of torsional-radial (TR2m) acoustic mode in microfiber. The results show the evidence of optomechanical effect in dominating the birth dynamics and pattern of multipulse.  相似文献   
145.
采用熔融共混技术,将聚磷酸铵(APP)和氢氧化铝(ATH)引入到聚氨酯弹性体(TPU)中,制备了一系列热塑性聚氨酯/聚磷酸铵/氢氧化铝(TPU/APP/ATH)复合材料。采用傅里叶红外光谱(FTIR)、X-射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、激光拉曼光谱研究了TPU和阻燃TPU(FR-TPU)复合材料燃烧后炭渣的微观形貌、表面结构、元素组成、键合状态和石墨化程度,结合阻燃性能测试,揭示APP和ATH的协同阻燃机制。SEM分析表明相较于APP与ATH单独使用,TPU/APP/ATH炭层的空洞结构更少,炭渣的致密性更高。XPS分析表明FR-TPU的炭渣中C元素含量相比于纯TPU有所降低,O元素的含量有所上升,其中TPU/APP10/ATH10的C元素含量从88.2%降至69.24%,O元素的含量从8.07%升至17.78%,P和Al元素含量相较于单独添加分别从11.74%和16.36%下降至3.91%和3.31%。在此基础上,通过对C元素的分峰拟合发现TPU炭渣中C—C/C—H,C—O/C—N和CO/CN含量分别为61.05%,35.65%和3.30%;TPU/APP10/ATH10炭渣中三种结构含量分别为45.38%,45.00%和9.63%,说明ATH和APP复配使用有利于C元素形成酯、醚、羰基、羧酸(盐)、酯基等结构。通过对O元素的分峰拟合发现,TPU炭渣中O2/H2O,—O—,O三种结构含量分别为28.75%,44.36%和26.89%;TPU/APP10/ATH10炭渣中O2/H2O,—O—,O三种结构含量分别为44.33%,32.78%和22.89%,说明APP和ATH的加入有利于炭渣中O元素形成O2/H2O结构。通过对N元素的分峰拟合发现,TPU炭渣中—NH—,N结构的N元素含量分别为40.93%和59.07%;TPU/APP10/ATH10中—NH—,N结构的N元素含量分别47.17%和52.83%,说明ATH与APP复配使用促进了—NH—结构的形成。拉曼测试表明,相比于单独使用,APP和ATH复配使用,炭层的石墨化程度更好,致密性更高。以上分析结合阻燃测试可以得出TPU/APP/ATH复合材料阻燃机制:ATH受热分解生成氧化铝,吸收热量并释放大量水蒸气,有效促进APP降解,生成不燃性的氨气和聚磷酸,氨气和水蒸气稀释可燃性气体的浓度。随着温度继续升高,氧化铝可继续与聚磷酸反应生成偏磷酸铝[Al(PO3)3],同步催化聚氨酯基体成炭,形成高度石墨化炭层,石墨化炭层与偏磷酸铝一起覆盖在基体表面,有效抑制燃烧区域物质以及能量的输运,从而达到阻燃目的。  相似文献   
146.
垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho3Fe5O12,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料.  相似文献   
147.
With the development of device engineering and molecular design,organic field effect transistors(OFETs)with high mobility over 10 cm2 V-1-s-1 have been reported.However,the nonideal doubleslope effect has been frequently observed in some of these OFETs,which makes it difficult to extract the intrinsic mobility OFETs accurately,impeding the further application of them.In this review,the origin of the nonideal double-slope effect has been discussed thoroughly,with affecting factors such as contact resistance,charge trapping,disorder effects and coulombic interactions considered.According to these discussions and the understanding of the mechanism behind double-slope effect,several strategies have been proposed to realize ideal OFETs,such as doping,molecular engineering,charge trapping reduction,and contact engineering.After that,some novel devices based on the nonideal double-slope behaviors have been also introduced.  相似文献   
148.
谢丽  钟哲强  张彬 《光学学报》2021,41(2):149-156
变形镜在长期工作的过程中,压电陶瓷驱动器因累积疲劳效应会导致其失效,从而导致校正性能的降低.从变形镜的影响函数出发,将失效驱动器的电压置零,采用有限元方法建立变形镜疲劳失效模型,重点分析畸变波前的形态分布、入射光束的类型和驱动器的排布方式等对校正能力的影响.实验结果表明,在部分驱动器失效的情况下,变形镜应当根据高斯型随...  相似文献   
149.
探索LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO_3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时, LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.  相似文献   
150.
As electronic operating frequencies increase toward the terahertz regime, new electrooptic modulators capable of low‐voltage high‐frequency operation must be developed to provide the necessary optical interconnects. This Letter presents a new concept that exploits modulation instability to compensate for the intrinsically weak electrooptic effect, χ(2). Simulations demonstrate more than 50 times enhancement of electrooptic effect at millimeter wave frequencies leading to a substantial reduction in the required modulation voltage.

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