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81.
针状纳米NixZn1-xFe2O4的制备及磁性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
李巧玲  常传波 《化学学报》2010,68(14):1385-1390
以FeCl2, Zn(NO3)2, Ni(NO3)2为原料, 利用化学沉淀法制得了针状纳米α-FeOOH, 并借助针状α-FeOOH做为中间体, 采用柠檬酸法在针状纳米α-FeOOH表面包裹镍和锌的柠檬酸络合物后, 于不同温度煅烧后制得了针状纳米NixZn1-xFe2O4. 利用红外光谱仪(IR)、X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对样品的物相﹑晶格常数、形貌和粒径进行表征, 并利用振动样品磁强计(VSM)对样品进行磁性能研究. 结果表明: 利用化学沉淀-柠檬酸法制得的Ni-Zn铁氧体样品保持了中间体α-FeOOH的针状形貌, 所得样品的直径在40 nm左右, 长度约600 nm, 长径比大于15. 随着煅烧温度的升高样品直径有所增加, 长径比下降, 随着x值的增加, NixZn1-xFe2O4样品的晶格常数a从0.8442 (x=0)逐步减少到0.8353 (x=1.00), 矫顽力(Hc)从63.5 Oe (x=0)逐步增加到358.7 Oe (x=1), 饱和磁化强度(Ms)先增加后减小, 当x=0.6时达到最大为58.9 emu/g. 与相似条件时制备的不定型NixZn1-xFe2O4相比, 由于针状NixZn1-xFe2O4的各向异性增大, 而表现出明显的硬磁性.  相似文献   
82.
以白炭黑和硅溶胶为桂源, 在(TPA)2O-Na2O-SiO2-H2O体系60℃下合成了高结晶度纯相硅佛石.由SEM测得其晶粒尺寸为0.2μm和0.45μm, 用XRD线宽法测得的为0.02μm.与180℃时合成的硅沸石样品相比, 低温合成的细晶粒硅沸石已具备纳米级材料的若干特性.其正乙烷吸附量反常增大;XRD、FTIR、29SiMASNMR和TG/DTG/DTA的研究证明, 其结构破坏温度和单斜/正交对称性相转变温度明显下降, 桂羟基缺陷明显增加.  相似文献   
83.
林晓敏  闫石  朱丽丽  李莉萍  苏文辉 《化学学报》2009,67(12):1389-1394
利用溶胶-凝胶法合成了固溶体Ce1-xPrxO2-δ (x=0.05~0.30). X射线衍射(XRD)分析表明, 在x≤0.30的范围内形成了单相萤石结构固溶体Ce1-xPrxO2-δ; X射线光电子能谱(XPS)结果表明, 样品中氧缺位浓度随掺杂量增大而增大, 铈离子主要为Ce4+离子, 镨离子以混合价态Pr3+和Pr4+存在; 拉曼光谱(Raman)观察到两个峰, 458 cm-1峰为特征F2g振动谱带, 较宽的570 cm-1峰与样品中氧离子缺位有关; 交流阻抗谱测试表明, 固溶体Ce1-xPrxO2-δ的电导率随掺杂量增加而增大, x=0.2时, 电导率达到最大, 活化能较低, σ600 ℃=3.28×10-2 S/cm, σ700 ℃=6.06×10-2 S/cm, Ea=0.54 eV (250~650 ℃), Ea=0.49 eV (650~800 ℃).  相似文献   
84.
自组装双分子基传感器的光电子学及光谱学研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文综述了近年来在双分子层脂膜 ( BLM)特性、制备技术及研究方法等方面的新进展。同时着重介绍了膜体系的光电子学与光谱学特性及其在不同领域的应用 ,以及我们在该领域所开展的相关工作  相似文献   
85.
张琴  韩榕 《光子学报》2008,37(3):537-542
利用低剂量的He-Ne激光和增强UV-B处理小麦叶绿体,研究了He-Ne激光对UV-B辐射损伤的修复效应.将提取的离体完整叶绿体分成CK(对照)、L(激光)、B(UV-B)和BL(UV-B和He-Ne激光复合处理)不同处理组.B、BL组经过不同剂量的紫外辐照处理(剂量依次为0.42 kJ·m-2·d-1,0.84 kJ·m-2·d-1 ,1.26 kJ·m-2·d-1),其中BL组被UV-B辐射处理后再用He-Ne激光(5 mW·mm-2)辐照.利用低温荧光法测定不同处理组小麦叶绿体荧光发射光谱的变化;用电导仪和Clark氧电极仪分别测量叶绿体膜透性和电子传递速率,膜透性的改变从一定程度上能反应膜的损伤程度;ATPase活性采用分光光度计测量.研究表明:He-Ne激光和增强UV-B辐射影响叶绿体激发能的分配,UV-B辐照达到1.26 kJ·m-2·d-1时,叶绿体几乎完全失去活性;He-Ne激光则从一定程度上能促进叶绿体的光化学活性.UV-B辐射后的叶绿体再经过He-Ne激光的辐照处理后,可以恢复部分光化学活性,但当叶绿体损伤严重,光化学活性完全丧失时,He-Ne激光对其没有激活作用.  相似文献   
86.
<正>A simple and efficient method has been developed;benzil/benzoin undergoes smooth condensation with various substituted aldehyde and ammonium acetate in the presence of potassium dihydrogen phosphate(KH_2PO_4) under mild reaction conditions to afford the corresponding trisubstituted imidazole in excellent yields.The method for synthesis of product,the reaction mixture was reflux in ethanol for 40-90 min.The present method is simple,efficient,and cost-effective.  相似文献   
87.
利用群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导了KH(KD)分子基态X1Σ+的电子态和合理的离解极限.采用Gaussian03程序包中的多种方法和基组,对KH(KD)分子基态X1Σ+的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过比较计算结果,发现B3LYP为最优方法,6-311g(3df,3pd)为最佳基组.运用优选出的方法和基组对KH(KD)分子基态进行了单点势能扫描,然后分别采用Murrell-Sorbie函数及修正的Murrell-Sorbie+c6函数进行了非线性最小二乘拟合,得到了KH(KD)分子基态的势能函数和相应的光谱常数.计算结果表明,利用修正的Murrell-Sorbie+c6函数计算所得的光谱常数与实验数据吻合得更好.  相似文献   
88.
纳米SiO2形成柯石英的p-T相图   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 使用纳米SiO2粉体为原料,在2.0~4.2 GPa、150~1200 ℃范围内进行了一系列的高压高温实验研究,得到了该压力温度范围内晶化产物α-石英与柯石英的p-T相图,而且该相图中的相边界在650 ℃以下斜率为负,在650 ℃以上基本水平。通过X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪(Raman)、傅立叶红外光谱仪(FT-IR)、DSC-TGA差热分析仪(TG-DTA)-等表征手段,发现纳米SiO2原粉中水分(包含Si-OH和吸附水)的存在能显著降低合成柯石英的温度和时间,在4.2 GPa压力下得到了目前合成柯石英的最低温度190 ℃。常压下,合成的柯石英在800 ℃以下能够稳定存在,在1 000 ℃以上转化为α-方石英。  相似文献   
89.
The structural properties and relaxation mechanisms of Li2KH(SO4)2 crystals were determined using the temperature dependences of NMR spectra and the spin-lattice relaxation times (T1) of their 1H, 7Li, and 39K nuclei. The results obtained were compared with the previously reported physical properties of LiKSO4 crystals. The substitution of the potassium ions with protons in the LiKSO4 crystals were variations in the phase transition temperatures, and the non-appearance of ferroelastic properties. The 7Li T1 for the Li2KH(SO4)2 crystals was much shorter than the 7Li T1 for the LiKSO4 crystals, and these findings indicate that the presence of the protons in Li2KH(SO4)2 causes the Li ions to move with greater freedom.  相似文献   
90.
实验测量了室温下磷酸二氢钾(KDP)晶体0.2~1.6THz的时域光谱,以及50~4000cm叫范围内的远红外光谱,200~2000nm的紫外一可见一红外光谱。KDP晶体的禁带宽度是5.91eV,在测量范围内有一个很宽的声子吸收带,从0.2~205.5THz吸收系数在35~80cm-1,声子吸收的低频端小于0.2THz。最高的纵光学模声子的频率大约是205.5THz,由此求出这支声子的H—O键的力常数为13.13N·cm-1。  相似文献   
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