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Er^{3+}- and Er^{3+}/Yb^{3+}-doped lead germanate glasses that are suitable for use in fibre lasers and optical amplifiers as well as optical waveguide devices have been fabricated and characterized. The absorption spectra from near-infrared to visible were obtained and the Judd-Ofelt parameters were determined from the absorption band. Intense and broad 1.53μm infrared fluorescence and visible upconversion luminescence were observed under 976 nm diode laser excitation. For 1.53μm emission band, the full widths at half-maximum are 36, 37, 51 nm for GPE, GPYE and GPFE samples, respectively. For frequency upconversion emission, the intense bands centred at around 524, 545, 657nm are due to the {}^4S_{3/2}+{}^2H_{11/2}→{}^4I_{15/2} and {}^4F_{9/2}→{}^4I_{15/2} transitions of Er^{3+} ions. The quadratic dependence of the green and red emissions on excitation power indicates that the two-photon absorption process occurs under the 976nm excitation. 相似文献
32.
《先进技术聚合物》2018,29(2):758-766
In this study, epoxy coatings were modified by adding various compositions of B4C particles. In order to achieve proper dispersion of particles in the epoxy coating and increasing chemical interactions between particles and polymeric coating, the surface of the B4C particles was treated with γ‐(2,3‐epoxypropoxy) propytrimethoxysilane (KH560). The surface modification and microstructure of B4C were characterized by Fourier transform infrared, X‐ray diffraction, X‐ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. Electrochemical impedance spectroscopy was also used to evaluate the impedance of coatings. The results revealed that the KH560 not only enhanced the interaction between B4C particles and epoxy resin but also exhibited a remarkable ability to improve the anticorrosion performance of epoxy resin. The epoxy coating with the 3 wt% B4C‐KH560 particles exhibited the best anticorrosion performance, which can be attributed to the best uniform dispersion of the B4C‐KH560 particles, and the particles effectively block the aggressive species (Cl−, O2, and H2O) from the coating. 相似文献
33.
线性簇合物SC2nS2-(n =1~12)电子吸收光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
应用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G*水平上优化了线性簇合物SC2nS2-(n =1~12)的基态平衡几何结构,并计算了它们的谐振动频率.在基态平衡构型下,通过TD-B3LYP/cc-pvTZ和TD-B3LYP/cc-pvDZ计算,确定了簇合物SC2nS2-(n =1~10) 电子跃迁的垂直激发能和对应的振子强度.基于计算结果,导出了电子跃迁吸收波长与体系大小n的解析关系式,以及SC2nS2-体系第一电离能与体系大小n的解析表达式,并讨论了不同端位原子对碳链体系激发态性质的影响. 相似文献
34.
在流动余辉装置上, 研究了SO(c1Σ-)的猝灭动力学过程. 获得了SO2, O2, CO2, N2, He, CS2, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH, C4H9OH, CH3COCH3, C6H6, CH2Cl2, CH2Br2, CHCl3, CCl4等16种分子与SO(c1Σ-)发生猝灭反应的速率常数. 初步分析表明: 醇类分子CnH2n+1OH(n=1, 2, 3, 4)中的C—H键的数目与其对SO(c1Σ-)的猝灭速率成正比; CO2, N2等非极性无机小分子对SO(c1Σ-)的猝灭作用不明显, 强极性分子SO2对SO(c1Σ-)的猝灭作用较强. 卤代烷烃中的卤素原子的大小对SO(c1Σ-)的猝灭过程发挥着较重要的作用; 而氯代烷烃中氯原子的个数与猝灭速率之间的关系不明显. 相似文献
35.
用高温固相反应法合成了非化学计量组成的Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3-α质子导体. 粉末X射线衍射(XRD)结果表明, 该材料为单一钙钛矿型BaCeO3斜方晶结构, 在高温下、CO2或水蒸气气氛中具有较高的稳定性. 扫描电子显微镜(SEM)观察分析表明, 材料经1550 ℃烧结20 h非常致密. 在500~900 ℃温度范围内, 用交流阻抗谱技术测定了材料在湿润氢气和湿润空气气氛中的电导率; 用气体浓差电池方法测定了材料在湿润氢气、湿润空气气氛中和氢-空气燃料电池条件下的离子迁移数, 研究了材料的离子导电特性, 并与化学计量组成的BaCe0.5Zr0.4La0.1O3-α材料进行了比较. 结果表明, 在500~900 ℃温度范围内、湿润氢气气氛中, Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3-α材料的质子迁移数为1, 是一个纯质子导体. 在湿润空气气氛中, 材料的氧离子迁移数为0.688~0.170, 质子迁移数为0.218~0.017, 是一个氧离子、质子和电子空穴的混合导体. 在氢-空气燃料电池条件下, 材料的离子(氧离子+质子)迁移数为0.990~0.796, 是一个氧离子、质子和电子的混合导体. 与化学计量组成的BaCe0.5Zr0.4La0.1O3-α材料相比较, 在相同实验条件下非化学计量组成的Ba1.03Ce0.5Zr0.4La0.1O3-α材料具有较高的电导率和离子迁移数. 相似文献
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用INDO系列方法对C60-进行几何构型优化,得到D3d对称性的构型,表明C60-确实发生了Jahn-Teller畸变,导致单键变短,双键变长,形成10种键,6种不等同碳原子,并以此构型为基础,计算了C60-的电子光谱,与实验结果吻合;同时对光谱进行了理论指认;最后对C60-的3种构型:D5d,D3d,D2h的几何构型、能量、光谱和反应特性进行了分析、比较和总结。 相似文献
37.
纳米TiO2有机表面改性的研究 总被引:26,自引:0,他引:26
利用硅烷偶联剂(KH-550)对表面包覆氧化硅的金红石相纳米TiO2进行了有机表面改性。采用红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)、热分析(TG-DTA)、BET、透射电镜(TEM)、润湿性和分散性实验等对表面改性前后的纳米TiO2进行了表征。红外光谱和X射线光电子能谱表明,KH-550以化学键合的方式结合在纳米TiO2的表面,并形成了有机包覆层。经测量,纳米TiO2表面的KH-550的质量分数约为2.0%。讨论了产生KH-550理论包覆量与实际包覆量差异的原因。TEM、TG和BET得出的结果显示,在纳米TiO2有机表面改性过程中存在明显的团聚现象,改进分散纳米TiO2的方法是提高有机改性效果的关键。润湿性实验和分散性实验表明,经KH-550表面改性的纳米TiO2同时具有亲水性和亲油性。 相似文献
38.
39.
40.
Sandwiched structures (a-SiNx/a-Si/a-SiNx) have been fabricated by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique. A Si nanocrystal (nc-Si) layer was formed by crystallization of an a-Si layer according to the constrained crystallization principle after quasi-static thermal annealing at 1100℃ for 30 min. Transmission electron microscopy (TEM) and Raman scattering spectroscopy clearly demonstrated that nc-Si grains were formed in the as-deposited a-Si layer after annealing. The density of nc-Si grains is about 1011cm-2 as shown by TEM photographs. Using capacitance-voltage (C-V) measurements we investigated the electrical characteristics of the sandwiched structures. The charge storage phenomenon of the nc-Si layer was observed from the shift of flat-band voltage (VFB) in C-V curves at a high frequency (1 MHz). We estimated the density of nc-Si grains to be about 1011cm-2 from the shift value of VFB, which is in agreement with the result of TEM photographs. At the same time, we found that the shift of VFB increased with the increase of the applied constant dc voltage or the thickness of the nc-Si layer. 相似文献