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111.
利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.
关键词:
表面传导电子发射显示
遂穿效应
面电荷密度
电场强度 相似文献
112.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
113.
We present a study of the growth kinetics of pentacene monolayer islands on SiO2 in the submonolayer regime by using Atomic Force Microscopy (AFM). Two distinct growth modes, namely correlated growth (CG) and non-correlated growth (NCG), have been identified by Voronoi tesselation. These two modes are characterized by different island growth kinetics. In the case of correlated growth, the average island size 〈A〉 scales with deposition time t i.e. 〈A〉 ∝ t whereas for non-correlated growth, 〈A〉 ∝ t2. The CG and NCG regimes are defined by the level of re-evaporation which determines the capture zones around the islands: Wigner-Seitz cells for CG and coronas of width λD (λD is the mean diffusion distance on SiO2 before re-evaporation) for NCG. A simple model is proposed to reproduce the experimental growth kinetics in both modes. 相似文献
114.
115.
The stress tensor of a massless scalar field satisfying a mixed boundary condition in a (1 + 1)-dimensional Reissner- Nordstrom black hole background is calculated by using Wald's axiom. We find that Dirichlet stress tensor and Neumann stress tensor can be deduced by changing the coefficients of the stress tensor calculated under a mixed boundary condition. The stress tensors satisfying Dirichlet and Neumann boundary conditions are discussed. In addition, we also find that the stress tensor in conformal flat spacetime background differs from that in flat spacetime only by a constant. 相似文献
116.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应.
关键词:
离子辐照
拟南芥
胚区域
生物效应 相似文献
117.
本文介绍非线性方程转化直线性方程和多元线性回归法来分析近代物理实验中塞曼效应分裂干涉圆环多处选点测量的处理过程。 相似文献
118.
H. Barentzen 《Annalen der Physik》2006,15(9):684-698
The eigenvalues of the weakly coupled T ? t Jahn‐Teller problem are known for several decades, and the same holds also true for the eigenstates. These, however, are only given in the traditional position representation, which proves inconvenient if one attempts to extend the weak‐coupling treatment into the region of stronger coupling. Here the solution of the T ? t eigenvalue problem at weak coupling is derived in terms of creation and annihilation operators. This reformulation of the problem is nontrivial, since the algebraic form of the oscillator eigenvectors, being simultaneous angular‐momentum eigenstates, has been worked out only recently and is probably still widely unknown. The electronic and oscillator eigenstates are then coupled to form eigenvectors of the total angular momentum. Finally, in preparation for an extension of the weak‐coupling treatment, the action of the boson creation and annihilation operators on the oscillator eigenvectors is calculated, thus completing the algebraic approach to the weakly coupled T ? t system. 相似文献
119.
为了让临床医生更方便地使用M eta分析方法,我们根据四格表数据特点,提出了一种基于固定效应模型的简明方法。该方法简单而容易操作,且统计结果与原方法完全等价,在循证医学领域很有推广价值。 相似文献
120.