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101.
感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 相似文献
102.
ICP-AES法测定6种海产品中的营养元素及营养功能的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用ICP-AES法测定了6种海产品中的6种营养元素,讨论了与实验有关的相关因素。该方法回收率为96%-103%,相对标准偏差<4%,结果令人满意。 相似文献
103.
104.
105.
铸造锌合金中铝、铜、镁、铁、硅、镉的 ICP-AES法测定 总被引:1,自引:0,他引:1
采用ICP-AES法测定了铸造锌合金的铝、铜、镁、铁、硅、镉6种元素。并研究了基体对6种被测元素以及被测元素间的干扰。进行了酸度与内标用量试验,以及精密度、准确度、回收率试验,获得了满意的结果。 相似文献
106.
ICP-MS 法直接测定冰芯样品中超痕量镉 总被引:3,自引:0,他引:3
采用 ICP- MS法对冰芯样品中超痕量 Cd的直接测定进行了研究。确定了直接测定浓度为 pg/m L 级的 Cd的最佳仪器参数、载气流速、进样速度等与灵敏度之间的关系以及浓度和扫描参数对分析精度的影响。本方法对浓度 5~2 0 0 pg/m L Cd的分析 ,RSD<1 0 % ,回收率在 88%~ 1 0 5%之间 ,检测限为0 .1 5pg/m L 相似文献
107.
ICP—AES法测定生铁中硅锰磷的研究 总被引:5,自引:1,他引:4
通过正交试验选择出最佳溶样条件,用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法测定生铁中硅,锰,磷,方法简便可靠,具有良好的精密度和准确性,相对标准偏差不大于3.8%。 相似文献
108.
微波消解氢化物发生ICP—AES法测定川山紫中痕量硒 总被引:10,自引:0,他引:10
建立了微波消解连续氢化物发生ICP AES法测定川山紫中痕量硒的方法 ,系统地研究了微波消解、氢化物发生的最佳条件 ,方法简便快速 ,检出限为 0 .0 0 38μg·ml- 1,RSD为 1.13% (n =10 ,0 .5 4 7μg·g- 1Se) ,样品加标回收率为 99.2 4 %。 相似文献
109.
Inductively Coupled Plasma Etching in ICl- and IBr-Based Chemistries. Part I: GaAs, GaSb, and AlGaAs
Y. B. Hahn D. C. Hays H. Cho K. B. Jung E. S. Lambers C. R. Abernathy S. J. Pearton W. S. Hobson R. J. Shul 《Plasma Chemistry and Plasma Processing》2000,20(3):405-415
High-density plasma etching of GaAs, GaSb, and AlGaAs was performed inICl/Ar and IBr/Ar chemistries using an Inductively Coupled Plasma (ICP)source. GaSb and AlGaAs showed maxima in their etch rates for both plamachemistries as a function of interhalogen percentage, while GaAs showedincreased etch rates with plasma composition in both chemistries. Etchrates of all materials increased substantially with increasing rf chuckpower, but rapidly decreased with chamber pressure. Selectivities >10 forGaAs and GaSb over AlGaAs were obtained in both chemistries. The etchedsurfaces of GaAs showed smooth morphology, which were somewhat better withICl/Ar than with IBr/Ar discharge. Auger Electron Spectroscopy analysisrevealed equirate of removal of group III and V components or thecorresponding etch products, maintaining the stoichiometry of the etchedsurface. 相似文献
110.