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11.
《Current Applied Physics》2015,15(11):1412-1416
We investigated the drain avalanche hot carrier effect (DAHC) of p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor of 0.14 μm channel length (PMOSFET) with SiON gate dielectric. Using three different stress conditions of substrate maximum current, the changes to threshold voltage, maximum transconductance, saturation current and channel leakage current was monitored. Concurrently, the lateral distribution of interface trap density (Nit) and bulk trapped charge density (Not) with stress time has been extracted along the 70 nm half channels from gate edge to drain junction, which is the first endeavor in describing charge traps along sub 100 nm short channels. The degradation of the PMOSFET was described by combining electrical property with Nit and Not profiles. Hot electron punch through (HEIP) effect was evidenced by negative Not distribution near the drain junction while more severe hot carrier degradation was successfully demonstrated by the empirical power law dependence of the electrical parameters Nit and Not. We have studied the evolution of degradation behavior along highly scaled tens of nanometer channel, and Nit and Not profile offers systematic study and interpretation of degradation mechanism of hot carrier effect in MOSFET devices. 相似文献
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13.
14.
I. V. Nemchinov V. I. Artem'ev V. I. Bergelson V. M. Khazins T. I. Orlova V. A. Rybakov 《Shock Waves》1994,4(1):35-40
A method of possible diagnostics of supersonic flows around a blunt body and its aerodynamic characteristics by means of a thin channel of reduced density emerging in front of the bow shock wave is discussed. The channel was placed parallel to the body axis or inclined to it. Under the conditions of initially uniform pressure the temperature in the channel (the hot spike) is higher than that of the environment. A thin hot spike, which as its limit is infinitely thin, results in the formation of a precursory disturbance in front of the bow shock wave. The length of the precursor is comparable with the characteristic length, that is, the cross section of the blunt body. The hot spike when localized parallel to the body axis and not in line with it yields turning and deviating moments, a lift force was generated even for a symmetric blunt body. Possible applications of this effect are, for example, a change of the trajectory of a small asteroid by means of using the hot spike.This article was processed using Springer-Verlag TEX Shock Waves macro package 1.0 and the AMS fonts, developed by the American Mathematical Society. 相似文献
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提出沿构件长度方向截面尺寸发生缓慢变化时双帽箱型横截面点焊薄壁构件扭转特性的分析方法,并利用此方法讨论了变截面等焊点间隔构件和变截面非等焊点间隔构件的翘曲扭转问题并得到如下结论:①变截面构件长度越长,扭转刚度越小,其刚度下降率与等截面构件几乎相等;②采用变截面构件,不仅保持一定刚度,还可以减少焊点数目,降低焊接成本;③若右半部分的焊点间隔p2对左半部分的焊点间隔p1的变化范围小于25%,则其传递剪力变化不大。仿真结果与实验值以及利用cosmos/m而得到的数值解相比较吻合得较好,完全满足工程精度要求。此研究为解决实际车体结构的设计问题,具有有益的参考价值。 相似文献
16.
对ITER包层屏蔽块进行了热工水力学设计及分析,并给出了两套合理的加热方案。分析结果表明,可以通过分阶段改变入口气体温度的方法实现在高效加热屏蔽块的同时满足工程及部件热应力的技术要求,并通过热应力计算验证了加热过程不会对屏蔽块产生不可预期的结构破坏。 相似文献
17.
参照国际上对激光损伤阈值不同测量技术建立起来的相应检测规范和标准,分别采用1-on-1,S-on-1,R-on-1和光栅扫描共4种测量方式,在1 064 nm波长下对HfO2/SiO2周期性高反射薄膜进行了激光损伤阈值的测量研究。根据测量结果,比较并分析了这4种测量方式之间的差异,重点研究了R-on-1和光栅扫描测量方式中存在的激光预处理效应对薄膜损伤阈值的影响,以及辐照激光光斑尺寸与损伤阈值之间的联系,并讨论了光栅扫描方式中预处理效应与扫描间距和扫描能量密度梯度的关系。研究表明:R-on-1方式下测得的损伤阈值最高,光栅扫描和1-on-1次之,S-on-1最小;1 000个脉冲激光辐照下的累积效应不显著,并且在激光光斑尺寸的差异较小时,阈值与光斑尺寸的对应关系并不明显;光斑尺寸相同时,扫描光斑的间距越小,激光预处理效果越好。 相似文献
18.
针对美国布鲁克海文国家实验室(BNL)型的光阴极微波电子枪,模拟了不同分布状态的驱动激光脉冲斜入射光阴极对束流质量的影响,给出了改变注入相位和补偿线圈磁场强度对发射度的优化结果。结果表明:光斑椭圆化将会导致发射度的大幅增长,优化效果不理想;波前不同步导致的发射度增长对于纵向高斯分布的脉冲可以得到理想的优化。对于斜入射引起的光斑椭圆化和波前不同步问题给出了光学校正方法及部分测量结果。此外,模拟结果显示,对于横向均匀分布的激光脉冲,适当椭圆度的光斑比圆形光斑更有利于提高电子束质量。 相似文献
19.
利用神光Ⅱ第九路2 ns长脉冲激光束作用厚钛固体靶,研究了产生的keV X射线源的辐射区域和总辐射功率的时间行为。结果表明:在长脉冲激光作用厚固体靶时,硬X射线线辐射功率的时间行为以及辐射体积的时间行为与激光脉冲波形一致;长脉冲时,等离子体2维膨胀效应非常显著,keV X射线线辐射的径向辐射区域在激光焦斑尺寸附近达到饱和,导致X射线线辐射功率出现饱和,且keV X射线线辐射的辐射体积正比于焦斑尺寸的3次方。从理论和实验角度研究了在同样入射激光能量下,辐射功率随激光焦斑尺寸的变化关系,发现keV X射线线辐射的饱和辐射功率正比于焦斑尺寸的5/3次方,理论结果与实验结果一致。并讨论了相同基频输出激光能量下,keV X射线辐射总功率随激光波长的变化关系,发现即使考虑了倍频效率的影响,短波长激光仍然有利于keV X射线的发射。 相似文献
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