国内CIDEP研究进展

化学诱导动态电子极化（CIDEP）是检测瞬态顺磁粒子并表征其特征的强有力的手段,对于研究光化学和光物理瞬态过程的微观机理和规律有重要意义. 本文较为详细地总结了4种常见的CIDEP机理,讨论了各种极化谱及相应的极化条件;简要介绍了国内研究小组在CIDEP理论以及在均相溶液和微复相体系中光化学过程的CIDEP研究成果.      

低温功率器件驱动电路实验研究

低温电力电子技术的发展日益得到重视,主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能,如更低的通态阻抗,更高的开关频率等.为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能,急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路.我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上,从中挑选了三种在低温下进行实验,对其输出波形随温度的变化进行研究,首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片,其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求,为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础.     

接枝羧基的有限长碳纳米管电子结构的第一性原理研究

基于局域密度泛函理论，采用第一性原理方法，建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型，通过计算其电子分布和态密度的变化，讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明，接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变，其费米能级上的电子态密度下降；最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势. 关键词： 碳纳米管 密度泛函理论 电子结构     

O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论，本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度，给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内，O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位，O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感，其值随着覆盖度的增加而减小；O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系，原因是Au表面电子向O偏移，形成表面偶极子；O—Au的相互作用形成成键态和反键态，且反键态都被占据，造成O—Au键很弱，O吸附能较小. 关键词： 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性     

SiN团簇光电子能谱的指认

应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较，此外还根据计算得到的低能激发能对SiN^-阴离子的光电子能谱进行了理论指认.研究表明，SiN^-阴离子的基态为¹Σ态，而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于¹Σ→²Σ和¹Σ→²Π的跃迁.研究结果还表明，用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的. 关键词： 团簇 光电子能谱 基态 激发态     

高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d¹⁰-3d⁹4l5f-3d¹⁰4l双电子复合过程以及类Cu离子的3d¹⁰4l-3d⁹4l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

新型材料--光子晶体

半个世纪以来，对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展，但这也不可避免地引发了一系列问题，例如电路中能量损耗过大导致集成片发热，如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限，转而把目光由电子投向了光子，因为光子有着电子所不具备的优势：速度快，彼此间不存在相互作用，一旦实现用光子替代电子传递信息，     

类氦离子的KLL双电子复合过程的相对论理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，发展了计算双电子复合截面的程序.并以类锂C³⁺，Ar¹⁵⁺，Kr³³⁺和U⁸⁹⁺等离子为例，详细计算了共振双激发态1s2l2l′的辐射衰变率、Auger衰变率及相应的双电子复合截面.对于C⁴⁺，Ar^l6+和Kr³⁴⁺离子的结果与已有的计算和实验结果都能很好地符合；对于U⁹⁰⁺离子，则重点 关键词： 双电子复合 截面 MCDF     

强光场下电子与库仑势散射及多光子过程

对Schr?dinger方程引入修饰势,并将波函数展开为Floquet分波,即可实施分离变量。强光场时弱耦合法选取合适微扰量,径向波动方程可逐步近似求解。以圆极化强光场为例,计算了散射波函数、散射矩阵和截面。重要结论是:强光场下将出现多光子过程,对应m次多光子过程有相应的共振谱线族,谱线能量约为m?ω,并给出谱线强度计算公式。 关键词：