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211.
对于线性型多目标半定规划问题,引进加权中心路径的概念,并利用单目标半定规划的中心路径法,提出了求解多目标半定规划问题的加权中心路径法,先得型对一个叔向量的有效解,然后在此基础上,提出了通过一次迭代得到对应一定范围内其他任意权向量的有效解的一步修正方法. 相似文献
212.
A Kondo model in a square tight-bonding lattice of conduction electrons is considered.The Kondo interaction takes a d-wave.Using mean-field theory and numerical simulations,it is found that there is a pseudo-gap for the impurity density of states at the Fermi level.Numerical results also show that the exponents of the lowtemperature thermodynamic quantities are non-universal but dependent on the interaction. 相似文献
213.
214.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
215.
对短程飞行时间法(tim e-of-flight,TOF)中推算冷原子温度的理论拟合公式与近似拟合公式进行了误差分析与比较。研究表明:对于使用短程飞行吸收光谱信号推测冷原子团温度,当探测光光斑半径与冷原子团高斯半径之比k小于0.2时,理论拟合公式和近似拟合公式能很好的相符,随着探测光光斑半径与冷原子团高斯半径比值的逐渐增大,用近似拟合公式所得TOF吸收信号与用理论拟合公式所得TOF吸收信号的误差也将逐渐增大,当比值为0.5时,用近似拟合公式所得TOF吸收信号的误差将增大到20%。 相似文献
216.
217.
In market, excess demands for many products can be met by reorder even during one period, and retailers usually adopt substitution strategy for more benefit. Under the retailer's substitution strategy and permission of reorder, we develop the profits maximization model for the two-substitutable-product inventory problem with stochastic demands and proportional costs and revenues. We show that the objective function is concave and submodular, and therefore the optimal policy exists. We present the optimal conditions for order quantity and provide some properties of the optimal order quantities. Comparing our model with Netessine and Rudi's, we prove that reorder and adoption of the substitution strategy can raise the general profits and adjust down the general stock level. 相似文献
218.
在用单纯形方法解线性规划的问题时,不可避免会出现退化情况,而某些退化情况会导致循环。目前采用的避免循环的方法一共有两类:传统的摄动法(字典序)和Bland方法。本分析了传统摄动法的一些不足,给出了一种新的摄动法。 相似文献
219.
20 0 2年 8月 12日的Phys .Rev .Lett.第 89卷第 0 75 5 0 2页上发表了Petkov等的论文“渗入Cs的ITQ - 4沸石 (Zeolite)的结构 :在膺一维空隙中的金属离子列和相关的电子” ,文中发展了X射线原子对分布函数 (PDF)方法 .这种结构可以发展成为应用广泛的新的电极材料 .沸石ITQ - 4是一种由SiO4四面体为骨架的网格状硅酸盐 ,其中的空隙尺寸略小于1nm ,允许尺寸小于它的分子通过 ,因此它也是一种分子筛 .沸石原来是晶态 ,渗入Cs后则处于晶态和非晶态之间的中间状态 ,其中的晶态部分产生X射线布拉格… 相似文献
220.