富锂掺杂Li1.06Co0.05Cr0.1Mn1.85O4的合成及电化学性能研究

锂离子电池具有比能量高、功率大、使用寿命长、无记忆效应、性能价格比高等优点,从而成为可充式电源的主要选择对象.锰由于资源丰富、价廉、环境友好等优点,使锰酸锂(LiMn2O4)成为最有希望取代钴酸锂的正极材料.但锰酸锂的放电容量相对较低,结构欠稳定,容量衰减严重,作为正极材料还无法与钴酸锂相比,近年来做了大量的研究工作以改善它的电化学性能[1～6].最近Youngjoon Shin等研究发现[7]用少量的Li与Ni共同替代LiMn2O4中的Mn得到的LiMn2-2yLiyNiyO4的电化学性能要优于单元素替代的LiMn2-xMxO4(M=Li,Cr,Fe,Co,Ni)的电化学性能.     

两个双核铁（Ⅲ）和三足配体的配合物的合成和晶体结构

运用三足四齿配体三（2－甲基吡啶）胺（TPA）或三（2－甲基苯丙咪唑）胺（TBA）,得到两个双核铁(III)配合物，[Fe₂L₂(μ₂-O)(μ₂-p-NH₂-C₆H₄COO)]³⁺ (L = TPA, 1 和 L = TBA, 2)。两个配合物均为单斜晶系，空间群为P2(1)/c.晶胞参数 1: a = 1.4529(4), b = 1.6622(5), c = 2.0625(6) nm, β= 100.327(5)º, V = 4.900(3) nm³, z = 4, F(000) = 2344, 分子量M_r = 1142.91, Dc = 1.549 g/cm³, R₁ = 0.0544, R₂ = 0.0962. 2: a = 1.3378(4), b = 2.1174(7), c = 2.4351(7) nm, β= 97.315(6)º, V = 6.842(4) nm³, z = 4, F (000) = 3116, 分子量M_r = 1505.08, Dc = 1.444 g/cm³, R₁ = 0.0793, R₂ = 0.1623. 在两个双核铁(III)配合物中，中心的三价铁和配体TPA或TBA上的四个氮原子和两个氧原子通过不同的桥形成一个畸变的八面体构型。     

掺溴聚-4-甲基-1-戊烯的合成研究

 液溴与聚-4-甲基-1-戊烯（PMP）的四氯化碳溶液反应，在光照条件下得到溴代PMP，通过红外与元素分析确证了其结构。并通过热重分析对其性能进行了初步的研究。研究发现，在光照条件下溴原子很容易与PMP中叔丁基上的氢原子发生取代反应，得到化学掺杂溴原子的聚合物。该聚合物在150℃以下比较稳定，在150℃以上就会失去HBr。采用此种方法，可得到掺杂均匀的低密度材料。     

内地核中碳含量的第一性原理研究

基于第一性原理GGA-PBE方法计算了零温下Fe3C的状态方程和声速.使用半经验方法确定了 Fe3C在高压下的晶格和电子格林爱森(Grüneison)参数.将Fe3C的0-K等温线外推至内地核条件,发现需要3.1wt％碳才能解释内地核的密度亏损问题.计算出的Fe3C的纵波声速(Vp)高于纯铁,且横波声速(Vs)与纯铁相...     

低温制备Mn4+掺杂Gd2ZnTiO6红色荧光粉及其发光性能研究

Mn4+掺杂A2BB'O6型双钙钛矿红色荧光粉可应用于植物生长照明领域而受到广泛研究,但该类荧光粉的合成温度普遍较高.通过添加一种新的助熔剂LiCl,成功将Gd2ZnTiO6:Mn4+ (GZTO:Mn4+)的合成温度从1300℃降低至950℃.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、激发...     

射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。     

稀土元素掺杂上转换纳米材料在卫生分析领域中的应用

稀土元素掺杂上转换纳米材料(REEs-UCNPs)作为新兴一代的荧光纳米探针,具备反斯托克斯发光的独特转换性质,具有光学/化学稳定性好、荧光寿命长、激发光生物组织穿透深度大,且对组织损伤小等显著优点,近年来在卫生分析领域的研究和应用获得了广泛的关注.本文重点综述了REEs-UCNPs对卫生样品中金属离子、有机小分子、激...     

Ru、Rh、Pd掺杂GaSb的电子结构和光学性质

运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。     

Fe掺杂α-Bi2O3光电性质的第一性原理研究

采用第一性原理杂化泛函HSE06方法对Fe掺杂α-Bi2 O3的电子结构和光学性质进行了计算研究.结果表明,Fe掺杂α-Bi2 O3体系有较小的结构变形,本征α-Bi2 O3的禁带宽度为2.69 eV,Fe掺杂使α-Bi2 O3的禁带宽度减小(约为2.34 eV).对其光学性质研究得出Fe掺杂扩展了α-Bi2 O3对可...