InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

聚己二酸单(2-羧苯酚)酯的合成和表征

以己二酸酐和邻羟基苯甲酸为原料，制备了己二酸单（2-羧苯酚）酯，并以它为单体聚合得到了相应的聚酯酸酐．研究了温度、真空度对聚合物分子量的影响，得到了最佳的聚合条件：真空度66．66Pa，聚合温度200℃．在此条件下聚合2．5h，得到的聚己二酸单（2-羧苯酚）酯重均分子量达6498．另外，还对聚合物在不同pH值条件下的体外降解行为进行了研究．     

低温等离子体对塑料表面处理——低温等离子体对高密度聚乙烯表面处理的ESR研究

本文研究了不同处理条件(处理功率、处理时间和处理压力)下等离子体气体(Ar、N₂、O₂和空气等)对高密度聚乙烯表面处理产生的自由基的ESR谱。我们观察到等离子体处理产生的自由基是相当稳定的,它的ESR信号强度随处理功率和处理时间增加而增加。但处理压力对它影响不大。我们证明了紫外线对高密度聚乙烯表面产生自由基作用随处理条件而变化。并初步解释了谱的超精细相互作用。     

激光痕量物证采集系统

Coherent（相干）公司推出独特而功能强大的新型Trac-ER^TM激光器，用于犯罪现场的痕量物证，包括隐约残留指纹的采集。TracER使用5W的绿光激光器。TracER的高输出功率大大提高了在犯罪现场进行无损搜索的效率，可以仅依据特征荧光采集指纹或其他痕量物证。同时，532nm波长非常适合于使用烟熏样品和荧光探针如茚三酮（ninhydrin）。     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

荧光X射线分析装置

本发明的课题在于提供一种进行氮置换的荧光X射线分析装置，容易更换试样室和照射室之间的隔壁膜，在分析时，试样室的空气不流入照射室。第1支架（21）按照其窗（21a）与试样室（3）和照射室（8）之间的壁部（4）的窗（如）重合的方式气密地安装于壁部（4）上，按照覆盖第1支架的窗（21a）的方式设置隔壁膜（9）。第2支架（23）按照其窗（23a）夹持隔壁膜（9），与第1支架的窗（21a）重合的方式设置。     

非线性守恒方程的两种稳定化谱元方法

考虑非线性守恒方程的高阶数值解法,介绍了基于谱元法的两种稳定性方法,一种是谱粘性消去法(SVV),另一种是过滤法.在SVV方法中,我们推广并分析了传统的基于单区域的SVV算子的定义.在过滤法中,我们分析了SVV-H elm holtz过滤算子的性质.文中从分析和计算两方面对两种方法进行了比较,建立了两者之间的关系.最后通过一系列数值试验说明方法的有效性.     

红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光

利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。     

电流计在交流电演示中的共振问题

主要讨论了磁电式电流计在输入低频交流电时发生的共振现象 ,分析影响磁电式电流计灵敏程度 (指针最大偏转角αm 大小 )的主要因素。